IGBT基本参数详解
1,Vs:集射极阻断电压在可使用的结温范围内,栅极和发射极短路状况下,集射极最高电压。手册里一般为25℃下的数据,随着结温的降低,VcEs会逐渐降低。由于模块内外部的杂散电感,IGBT在关断时Vcs最容易超过限值2,Poat:最大允许功耗在25℃时,IGBT开关的最大允许功率损耗,即通过结到壳的热帆...
1,Vs:集射极阻断电压在可使用的结温范围内,栅极和发射极短路状况下,集射极最高电压。手册里一般为25℃下的数据,随着结温的降低,VcEs会逐渐降低。由于模块内外部的杂散电感,IGBT在关断时Vcs最容易超过限值2,Poat:最大允许功耗在25℃时,IGBT开关的最大允许功率损耗,即通过结到壳的热帆...
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