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HBM(高带宽存储器)技术以其卓越的数据传输速率和低功耗特性,成为高性能计算、图形处理及数据中心等领域的理想选择。通过堆叠多层DRAM芯片并利用TSV(硅通孔)技术实现垂直互联,HBM显著提升了内存带宽密度,满足了现代复杂应用对高速数据访问的需求。探索我们精选的7个HBM相关资源,深入理解其架构设计与优化策略,助力您在下一代电子系统开发中占据先机。

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电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 ...

📅 👤 2404

绪论 3线性及逻辑器件新产品优先性计算领域4PCI Express®多路复用技术USB、局域网、视频多路复用技术I2C I/O扩展及LED驱动器RS-232串行接口静电放电(ESD)保护服务器/存储10GTL/GTL+至LVTTL转换PCI Express信号开关多路复用I2C及SMBus接...

📅 👤 mikesering

LK1628是一种带键盘扫描接口的LED驱动控制专用电路,内部集成有MCU数字接口、数据锁存器、LED驱动、键盘扫描等电路。且在输入端口内置上拉,可在应用方案中省去外部上拉电阻。采用CMOS工艺,VDD供电为5V,超强的输入端口干扰能力,输入端口内置上拉电阻,显示模式:4位×13段&md...

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