📚 Gate技术资料

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le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)&#...

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由于高重复频率固体开关在加速器、雷达发射机、高功率微波和污染控制等领域存在的潜在优势,美国、英国、日本和韩国等都对固体开关技术进行了大量研究,从而成为近年脉冲功率界研究的重点1。从固体元件电路结构上,...

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1前言莱钢型钢厂大型生产线传动系统采用西门子SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交电压型变频器供电,变频器采用公共直流母线式结构;冷床传输链采用4台电机单独传动,每台电机分别由独立的逆变单...

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型品体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有M...

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FU6831/11 是一款集成 8051 内核和电机控制引擎(ME)的电机驱动专用芯片,8051 内核处理常规事务,ME 处理电机实时事务,双核协同工作实现各种高性能电机控制。其中 8051 内核大部...

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资源包含以下内容:1.2 COMP CHILLER.rar2.20-COMM-E Adapter Diagnostics.zip3.3 Phase Motor Startup Logic.zip4.5...

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