氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（directbandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumpedsolid-statelaser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。