GaN隔离

半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料，典型的是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等材料。宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求...

2022-01-03 11 GaN隔离

2017-02-25 127 GaN隔离

 采用TLP109光电隔离的CH340 USB转串口模块AD设计硬件原理图+PCB+封装库文件，2层板设计，双面布局布线，大小为47x25mm，包括完整的原理图和PCB文件，可用Altium Designer(AD)软件打开或修改...

2022-01-16 5 GaN隔离

本工程报告描述了双向可控硅调光，非隔离降压-升压LED驱动器设计用于驱动一个从195伏至265伏的输入电压范围141伏55毫安名义LED电压串。LED驱动器利用了LYTSwitch-3系列中的LYT3324D。

2023-01-16 9 GaN隔离

等间隔的OFDMA程序，里面有在多径信道下做的，对OFDMA的入门者有极大的帮助

2014-01-06 158 GaN隔离

2016-03-16 72 GaN隔离

本工程的报告介绍了可控硅调光、非隔离的低边降压-升压 LED 驱动电路设计，以驱动从 195 V 至 265 V 的输入的电压范围内的 72 V 115mA 名义 LED 电压串。LED 驱动程序使用的 LYT3325D 是 LYTS...

2023-01-19 8 GaN隔离

用光电耦合器测量出重物下降过程中经过任何等距离且在同一垂直线上的三点时间间隔t1,t2,及距离h，然后利用公式g=2h(t1-t2)/t1t2(t1+t2)使用浮点数运算方法计算出g的值。最后由单片机p3口送串行显示。

2014-12-06 85 GaN隔离

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