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GAN 的查询结果
论文 GaN-on-Si+Displace+Si+and+SiC
GaN is an already well implanted semiconductor
technology, widely diffused in the LED optoelectronics
industry. For about 10 years, GaN devices have also been
developed for RF wireless applications where they can
replace Silicon transistors in some selected systems. That
incursion in the RF field ha ...
技术资料 硅基GaN功率半导体技术
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技术资料 MACOM 高功率GaN产品组合
GaN技术相比传统LDMOS的优势已经不必多说，这项技术在RF领域已经得到认可。更小尺寸、更高效能、更大功率和更宽带宽;这些优势都是LDMOS所不能比拟的。即便如此，目前GaN技术还是没有完全取代LDMOS。这是为什么呢?主要是三方面的原因限制了GaN技术产品的普及。第一就是成本，与传统LDMOS相比GaN的成本较高;目前可用的商用GaN ...
技术资料 硅基GaN功率半导体技术总结
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技术资料 GaN基紫外图像传感器研究
本资源深入探讨了基于GaN材料的紫外图像传感器技术，采用pin型背面入光式结构设计，成功实现了64×64分辨率的紫外探测器阵列样品开发。该研究不仅为高灵敏度、低噪声的紫外成像提供了新的解决方案，而且对于推动环境监测、生物医学以及安全检测等领域的技术创新具有重要意义。适合从事半导体器件研发、光电技术应用的专业人 ...
技术资料 Si衬底GaN基材料及器件的研究
GaN作为新型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料，可与InN，AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金（AlGaN、InGaN、AlInGaN），对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围，而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性，因此在光电子领域具有极大的应用前景。 ...
技术资料 GaN基LEDs可靠性的研究.zip
加速试验论文，阐述了有关发光二极管的加速寿命试验问题及相关试验方法
技术资料 基于GaN器件射频功率放大电路的设计
本文主要是基于氮化锌（GaN）器件射频功率放大电路的设计，在s波段频率范围内，应用CREE公司的氮化稼（GaN）高电子迁移速率品体管（CGH40010和CGH40045）进行的宽带功率放大电路设计.主要工作有以下几个方面：首先，设计功放匹配电路。在2.7GHz~3.5GHz频带范围内，对中间级和末级功放晶体管进行稳定性分析并设置其静态工作 ...
技术资料 基于GaN的功率放大器设计
该文档为基于GaN的Ka波段功率放大器设计及热分析，很不错的参考论文