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FIBLTS(Field-Induced Breakdown Localized Trapping Sites)技术是一种先进的半导体器件可靠性测试方法,特别适用于评估高压MOSFET、IGBT等功率器件的长期稳定性。通过精确控制电场强度,FIBLTS能够有效识别并定位潜在的局部缺陷区域,为提高产品质量和延长使用寿命提供科学依据。对于从事电力电子系统设计与维护的专业人士而言,掌握FIBLTS...

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