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资料->【E】光盘论文->【E5】英文书籍->On-Chip ESD Protection for Integrated Circuits (英).pdf
为实现十倍于 USB 2.0的传输速度，必须使用更先进的工艺来设计和制造 USB 3.0控制芯 片，这也造成 USB 3.0的控制芯片对静电放电(ESD)的耐受能力快速下降。此外，当 USB 3. 0被广泛用于传输影音数据时，对数据传输...
All semiconductor devices are sensitive to electrostaticdischarge (ESD) damage to varying degree
静电放电(ESD)会对集成电路(IC)造成破坏性的能量冲击，良好的IC设计能够在IC装配到应用电路的过程中保护IC免遭ESD冲击的破坏。安装后，IC还必须能够承受ESD穿过静电防护电路进入最终电路的冲
电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 ...
实用型选型指南，涵盖TVS和ESD保护二极管关键参数与应用场景，助力工程师快速匹配合适器件，提升电路可靠性。包含典型电路设计建议与失效分析案例。
本资源详细介绍了针对汽车电子产品的静电放电(ESD)试验方法，是确保车辆电子系统在面对静电干扰时仍能保持稳定运行的关键。内容涵盖了从测试环境搭建到具体操作步骤的全面指导，特别适合从事汽车电子设计与测试的专业人士参考使用。通过学习这份资料，您...