FPGA与ARM EPI通信，控制16路步进电机和12路DC马达 VHDL编写的，，，，，
上传时间： 2013-10-21
上传用户：zhyfjj
FPGA与ARM EPI通信，控制16路步进电机和12路DC马达 VHDL编写的，，，，，
上传时间： 2013-10-30
上传用户：chaisz
一个EPI路由协议的实现，基于TORA算法，在NS2仿真平台编译通过，主要用于稀疏环境的MANET路由，仿真显示性能优于AODV，DSDV等原有AD HOC路由，思想在于引入基于节点遇见概率下的泛洪路由，适合开放MANET路由协议者参考。
上传时间： 2015-11-29
上传用户：hj_18
易派科技Electronics Pioneer v285 EPI-m102固件升级包
上传时间： 2017-04-01
上传用户：丿卓文灬雪影
随着生物工程及医学影像学的发展，磁共振成像在医学诊断学方面发挥着越来越重要的角色。磁场的均匀性是大型医疗设备——核磁共振(MRI)成像的理论基础，是评价该设备的一个重要的技术参数，磁场的均匀性分析也是电磁场理论分析的一个重要方向。良好、稳定的磁场均匀性对核磁共振图像的信噪比(SNR)的提高有重要的意义，同时也是饱和压脂序列实现的唯一条件。 该课题的主要内容是在介绍磁共振成像原理与磁共振超导磁体的超导匀场线圈的形状及位置的基础上，分析各个线圈中电流的大小与空间某点磁场强度的关系。同时借鉴磁共振成像原理，设计辅助测量水膜，对空间某一特定半径的球体腔内各点的磁场强度进行自动化测量。在当前使用的被动式匀场的基础上，利用分析软件，对线圈的选择及电流的大小进行计算与优化。实验结果表明效果良好，磁场均匀度有很大的改善。 采用的主要方法是利用磁共振成像原理及傅里叶转化技术去设计一种精确、方便、快捷的匀场方法。通过计算机模拟及有限元分析的方法进行计算、优化，最终得到理想的磁场均匀度。 良好的磁场均匀性是磁共振成像的基础，是饱和压脂序列(FATSAT)、平面回波成像(EPI)、弥散成像、频谱分析等一系列近几年新出现的先进序列实现的前提条件。从而为临床医学提供了一种先进的检查手段，为疾病诊治的及时性、准确性、可靠性及病灶确切位置的判断都提供了基础。 该文所介绍的磁场均匀性测量、分析方法以及在此基础上设计的匀场计算分析软件已在多台磁共振安装调试过程中得到应用，达到了预期的目的，能够满足现场调试的要求。该方法对于今后超导磁体磁共振的磁场均匀性调试，及在医学影像学方面的发展有很好的应用价值。该项技术在该领域的推广必然会提高磁场均匀性的精度，推动医学影像学及临床诊断学的发展。并能带来良好的社会效益及经济效益，具有关阔的应用前景。
上传时间： 2013-04-24
上传用户：tianjinfan
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下： 对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson就大了。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？
标签： COOLMOS
上传时间： 2014-12-23
上传用户：标点符号
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-10
上传用户：小眼睛LSL
SmartARM9B92 是由广州致远电子有限公司完全按照工业级标准（EMC/EMI）设计开发的一款通用工控/教学开发平台，其核心控制器采用了TI 公司最新推出的LM3S9000 系列芯片。LM3S9000 在通用处理性能方面取得了最新突破，实现了连接性、存储器配置与高级运动控制的完美结合。SmartARM9B92 开发平台提供了丰富的接口：外部总线接口（EPI）、USB OTG 接口、10/100Mbps 以太网接口、带电气隔离的CAN 接口、电机驱动板接口、带电气隔离的RS-485 接口、I2S 音频接口、UART/Modem 接口和SD 卡接口等，同时集成了大容量存储器，包括SRAM、SDRAM、NOR Flash 和NAND Flash。SmartARM9B92平台将LM3S9B92 的功能特性发挥的淋漓尽致，最大程度上满足客户的应用需求。
上传时间： 2013-10-31
上传用户：hewenzhi
