E类射频

共 68 篇文章
E类射频 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 68 篇文章,持续更新中。

MT-012 ADC需要考虑的交调失真因素

交调失真(IMD)是用于衡量放大器、增益模块、混频器和其他射频元件线性度的一项常用 指标。二阶和三阶交调截点(IP2和IP3)是这些规格参数的品质因素,以其为基础可以计算 不同信号幅度下的失真积。虽然射频工程师们非常熟悉这些规格参数,但当将其用于ADC 时往往会产生一些困惑。本教程首先在ADC的框架下对交调失真进行定义,然后指出将 IP2和IP3的定义应用于ADC时必须采取的一些预防措施。

XP-142E紧凑式高速贴片机规格说明书

XP-142E是实现调整贴装以及紧凑式机器空间的全影像方式的贴片机,是可以对应用小型芯片元件~中型元件为止的调整贴片机.

D类数字输入放大器的简化系统设计

D类数字输入放大器的简化系统设计

高增益低功耗恒跨导轨到轨CMOS运放设计

<span id="LbZY">基于CSMC的0.5 &mu;mCMOS工艺,设计了一个高增益、低功耗、恒跨导轨到轨CMOS运算放大器,采用最大电流选择电路作为输入级,AB类结构作为输出级。通过cadence仿真,其输入输出均能达到轨到轨,整个电路工作在3 V电源电压下,静态功耗仅为0.206 mW,驱动10pF的容性负载时,增益高达100.4 dB,单位增益带宽约为4.2 MHz,相位裕度为63

西门子S7-200 CPU PID控制图解

<p> PID控制器由比例单元(P)、积分单元(I)和微分单元(D)组成。其输入e (t)与输出u (t)的关系为 u(t)=kp[e(t)+1/TI&int;e(t)dt+TD*de(t)/dt] 式中积分的上下限分别是0和t</p> <p> 因此它的传递函数为:G(s)=U(s)/E(s)=kp[1+1/(TI*s)+TD*s]</p> <p> 其中kp为比例系数; TI为积分时间常数;

E54显示器整机线路分析

经整流桥整流出的直流电压 110V,由D906 整流,经R911,R912 后,再由C911 滤波,到UC3842 的⑦脚,当⑦脚,当⑦脚电压在16V-34V 之间时,UC3842 开始工作,此时⑧脚有了5V 的基准电压,⑥脚输出脉冲,使开关管Q901 导通,此时,变压器初级线圈(4-6)有电流产生,产生感应电动势,根据互感原理,初级线圈(1-2)也产生感应电压,经R913,D910 整流C911

基于FPGA和虚拟仪器的DDS信号发生器设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">将虚拟仪器技术同FPGA技术结合,设计了一个频率可控的DDS任意波形信号发生器。在阐述直接数字频率合成技术的工作原理、电路构成的基础上,分别介绍了上位机

基于粒子群模糊C均值聚类的快速图像分割

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">模糊C-均值聚类算法是一种无监督图像分割技术,但存在着初始隶属度矩阵随机选取的影响,可能收敛到局部最优解的缺点。提出了一种粒子群优化与模糊C-均值聚类相

三极管代换手册下载

<p> <img alt="" border="0" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/200871817293146338.jpg" /></p> <p> 三极管代换手册下载</p> <div class="right_content"> 前言<br /> 使用说明<br /> 三极管对照表<br /> A<br /> B<br /> C<br

[数字信号处理及应用].王华奎.文字版

内容简介 本书以数字信号处理基础内容为主,同时也介绍了有关数字信号处理实现与应用。书中 以主要篇幅讨论了离散时间信号与系统的基本概念,离散傅里叶变换及其快速算法,数字滤 波器的结构与各种设计方法。这是数字信号处理中的经典内容,也是进一步学习和掌握更多 信号处理理论的基础。为便于数字信号处理系统的设计与开发,书中介绍了数字信号处理芯 片的原理及其开发工具以及应用实例。 本书概念清晰,说明详细,深入浅

射频基础知识培训

华为射频基础知识,不看白不看哈

电路分析基础-ppt教程

<P>第一章&nbsp; 基 础 知 识<BR>由电阻、电容、电感等集中参数元件组成的电路称为集中电路。<BR>1.1&nbsp; 电路与电路模型<BR>1.2&nbsp; 电路分析的基本变量<BR>1.3&nbsp; 电阻元件和独立电源元件<BR>1.4&nbsp; 基尔霍夫定律<BR>1.5&nbsp; 受&nbsp; 控&nbsp; 源<BR>1.6&nbsp; 两类约束和KCL,KVL方程

DA转换接口的射频IQ调制

<p> &nbsp;</p> <div> Linear Technology&rsquo;s High Frequency Product lineupincludes a variety of RF I/Q modulators. The purpose ofthis application note is to illustrate the circuits requiredto inte

数字预失真系统反馈通道增益平坦度的补偿

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">针对数字预失真系统对反馈链路平坦度的要求,提出一种在不断开模拟链路的前提下,采用单音测量WCDMA&amp;LTE混模基站射频拉远单元反馈链路的增益平坦

电流型运算放大器在应用电路中的特性研究

<p>   文中简要介绍了电流型运放的特性,着重对电流型运放的应用电路进行测试,研究电流型运放的应用特性。实验中,选择典型电流型运放及电压型运放构建负阻变换器、电压跟随器和同相比例放大器,通过对此3类应用电路的测试,分析、总结运放参数对特殊应用电路的影响,为电路设计者在具体电路的设计中恰当选择适合的放大器提供参考。</p>

一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/

48MHz窄带射频功放设计

48MHz窄带射频功放电路

油气水多相流电容层析成像灵敏场仿真研究

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">针对准确测量油气水多相流各分相含量的问题,采用了电容层析成像技术完成油气水多相流各分相含量测量。通过仿真分析了采用有限元分析方法的电极间的灵敏度特性,探

如何计算具有狭窄气隙的圆形转子电机中的绕组感应

<P>本文的目的在于,介绍如何计算具有狭窄气隙的圆形转子电机中的绕组感应。我们仅处理理想化的气隙磁场,不考虑槽、外部周边或倾斜电抗。但我们将考察绕组磁动势(MMF)的空间谐频。</P> <P>在图1中,给出了12槽定子的轴截面示意图。实际上,所显示的是薄钢片的形状,或用于构成磁路的层片。铁芯由薄片构成,以控制涡流电流损耗。厚度将根据工作频率而变,在60Hz的电机中(大体积电机,工业用)层片的厚度典

宽带射频功率放大器的数字预失真技术研究

<div> 本课题主要研究对象为数字预失真技术中的功放模型的建立及数字预失真算法的研究。功放的数学模型主要分为无记忆模型和记忆模型,分析了不同模型的参数估计的方法。针对以往常见的模型反转数字预失真算法,课题分析并使用了新颖的间接学习(indirect learning)数字预失真算法,从而有效避免了无法对功放模型进行求逆的缺陷,并在此架构下仿真了不同功放模型的参数估计对于数字预失真效果的影响。针