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EEPROM,EPROM,FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中,充入的电子只能用紫外线的能量来激出,EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成...
第二部分:DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较............................................................................