第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战
作者：何亮，刘扬论文摘要：氮 化 镓 (G a N )材 料 具 有 优 异 的 物 理 特 性 ，非 常 适 合 于 制 作 高 温 、高 速 和 大 功 率 电 子 器 件 ，具 有 十 分 广 ...
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宽禁带功率半导体器件技术总结
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碳化硅功率器件的发展现状及其在电力系统中的应用展望
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SiC功率半导体器件发展历程 优势和发展前景讲解
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功率半导体器件芯片背面多层金属层技术(精)
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各种功率半导体器件和IGBT电路符号总结
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