DSP控制移相全桥手册，网友分享，仅供参考
标签： 移相全桥
上传时间： 2017-06-25
上传用户：乖乖的巴巴爸爸
将 LLC 谐振网络引入到全桥双向 DC-DC 变换器中，提出一种新型双向全桥 LLC 谐振变换器。 该变换 器主要由传统全桥双向 DC-DC 电路和 LLC 谐振网络组成。 该电路可以在全负载范围内实现功率开关管的零电压 开通关断和整流环节的零电流开通关断。 文中介绍和分析了变换器的拓扑结构与工作原理,并通过仿真验证了理论 分析的正确性
上传时间： 2019-09-29
上传用户：red20042004
IC-Ucc28950改进的相移全桥控制设计UcC28950是T公司进一步改进的相移全桥控制C，它比原有标准型UCC2895主要改进为Zvs能力范围加宽，对二次侧同步整流直接控制，提高了轻载空载转换效率，而且此时可以ON/OFF控制同步整流成为绿色产品。既可以作电流型控制，也可以作电压型控制。增加了闭环软启动及使能功能。低启动电流，逐个周期式限流过流保护，开关频率可达1MHz UCC28950基本应用电路如图1所示，内部等效方框电路如图2所示。*启动中的保护逻辑UCC28950启动前应该首先满足下列条件：*VDD电压要超过UvLo阈值，73V*5V基准电压已经实现*芯片结温低于140℃。*软启动电容上的电压不低于0.55V。如果满足上述条件，一个内部使能信号EN将产生出来，开始软启动过程。软启动期间的占空比，由Ss端电压定义，且不会低于由Twm设置的占空比，或由逐个周期电流限制电路决定的负载条件电压基准精确的（±1.5%5V基准电压，具有短路保护，支持内部电路，并能提供20mA外部输出电流，其用于设置DCDC变换器参数，放置一个低ESR，ESL瓷介电容（1uF-2.2uF旁路去耦，从此端接到GND，并紧靠端子，以获得最佳性能。唯一的关断特性发生在C的VDD进入UVLo状态。*误差放大器（EA+EA，COMP）误差放大器有两个未提交的输入端，EA+和EA-。它具有3MHz带宽具有柔性的闭环反馈环。EA+为同相端，EA-为反向端。COMP为输出端输入电压共模范围保证在0.5V-3.6V。误差放大器的输出在内部接到pWM比较器的同相输入端，误差放大器的输出范围为0.25V4.25V，远超出PwM比较器输入上斜信号范围，其从0.8v-2.8V。软启动信号作为附加的放大器的同相输入，当误差放大器的两个同相输入为低，是支配性的输入，而且设置的占空比是误差放大器输出信号与内部斜波相比较后放在PWM比较器的输入处。
标签： ucc2895
上传时间： 2022-03-31
上传用户：hao123
为解决移相全桥电路驱动及相角控制问题,设计了一种数字控制的移相全桥驱动电路.以TPL521为光耦隔离、IR2110为栅极驱动芯片.由DSP产生PWM信号,经过光耦隔离和逻辑电路后送至IR2110进行相角控制.文章对IR2110驱动电路原理进行分析及参数进行设计,对TMS320F28335进行设置并给出部分代码.实验结果表明：通过TMS320F28335可产生的不同相角的PWM波形,满足了移相全桥对不同相角控制的要求.In order to solve the problem of phase-shifted full-bridge circuit driving and phase angle control,a digitally controlled phaseshifted full-bridge driving circuit was designed. TPL521 optocoupler isolation,IR2110 gate driver chip. PWM signals are generated by the DSP and sent to the IR2110 for phase angle control after optocoupler isolation and logic circuits. This text carries on the analysis to the principle of IR2110 drive circuit and parameter design,set up and give out some code to TMS320F28335. The experimental results show that the PWM waveforms with different phase angles generated by TMS320F28335 can meet the requirements of phase-shifted full-bridge control for different phase angles.
上传时间： 2022-05-03
上传用户：zhanglei193
此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在全桥LLC电路中的系统性能，该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型1000V额定器件专为SiC MOSFET设计，具有开尔文源极连接，可改善开关损耗并减少门电路中的振铃。 它还在漏极和源极引脚之间设有一个凹口，以增加蠕变距离，以适应更高电压的SiC MOSFET。图1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封装的最新Cree 1000V SiC MOSFET。该板旨在让用户轻松：在全桥谐振LLC电路中使用4L-TO247封装的新型1000V，65mΩSiCMOSFET时，评估转换器级效率和功率密度增益。检查Vgs和Vds等波形以及振铃的ID。
上传时间： 2022-07-17
上传用户：zhaiyawei
全桥的好书啊，据说是现在移相全桥类书籍的鼻祖啊
标签： 移相全桥
上传时间： 2013-07-03
上传用户：zhch602
全桥变换器中磁通不平衡的抑制。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：nunnzhy
全桥DCDC变换器平均电流控制模式控制分析
上传时间： 2013-11-18
上传用户：jackgao
全桥电路
上传时间： 2013-10-21
上传用户：my_cc
基于电荷泵的IR2110全桥驱动电路研究
上传时间： 2014-12-24
上传用户：zengduo
