《深入理解Android：卷I》,讲述android开发中的要点，免分分享个大家！
标签： Android
上传时间： 2013-04-24
上传用户：diamondsGQ
]本文介绍了如何利用CPLD(复杂可编程逻辑器件)与单片机的结合实现并行I／\r\nO(输入／输出)接口的扩展。该设计与用8255做并行I／O接口相比，与单片机软件完全兼容，\r\n同时拥有速度快，功耗低，价格便宜，使用灵活等特点
上传时间： 2013-08-14
上传用户：xa_lgy
:针对现场可编程门阵列(FPGA)芯片的特点,研究FPGA中双向端口I/O的设计,同时给出仿真初始化双向端口I/O的方法。采用这种双向端口的设计方法,选用Xilinx的Spartan2E芯片设计一个多通道图像信号处理系统。
上传时间： 2013-08-17
上传用户：xiaoyunyun
一种基于CPLD和PC I总线的视频采集卡的设计方案
上传时间： 2013-08-24
上传用户：123啊
Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total output signal swing. Since many lowvoltageapplications are single-ended, the questions arise,“How can I use a differential I/O amplifi er in a single-endedapplication?” and “What are the implications of suchuse?” This Design Note addresses some of the practicalimplications and demonstrates specifi c single-endedapplications using the 3GHz gain-bandwidth LTC6406differential I/O amplifi er.
上传时间： 2013-11-23
上传用户：rocketrevenge
抑制△I 噪声一般需要从多方面着手, 但通过PCB 设计抑制△I 噪声是有效的措施之一。如何通过PCB 设计抑制△I 噪声是一个亟待深入研究的问题。在对△I 噪声的产生、特点、主要危害等研究的基础上, 讨论了辐射干扰机理, 重点结合PCB 和EMC 研究的新进展, 研究了抑制△I 噪声的PCB 设计方法。对通过PCB 设计抑制△I 噪声的研究与应用具有指导作用。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：时代电子小智
6 GEMS压力变送器3000系列-超高压变送器 GEMS压力变送器3000的行业应用： 船舶、工程机械 产品特点： ■工作压力可高达10,000PSI ■高精度-在整个应用过程中,精度在±0.15%之内 ■高稳定性-长期漂移≤0.05%FS/6年 ■高的抗震动性能-采用了薄膜溅射式设计,取消了易破的连接线 GEMS压力变送器3000的性能参数 精度 0.15%FS 重复性 0.03%FS 长期稳定性 0.06%F.S/年 压力范围 0-500、1000、2000、3000、5000、6000、7500、10,000psi 耐压 2xF.S,15,000PSI,Max. 破裂压力 7xFS 4xFS,对于10,000psi 疲劳寿命 108次满量程循环 零点公差 0.5%F.S 量程公差 0.5%F.S,响应时间0.5毫秒 温度影响 温漂 1.5%FS(-20℃到80℃) 2%FS(-40℃到100℃) 2.7%FS(-55℃到120℃) GEMS压力变送器3000的环境参数 振动 正弦曲线,峰值70g,5～5000HZ(根据MIL-STD810,514.2方法程序I) EMC 30V/m(100V/m Survivability) 电压输出 电路 见PDF文件(3线) 激励 高于满程电压1.5VDC,最大到35VDC@6mA 最小环路电阻 (FS输出/2)Kohms 供电灵敏度 0.01%FS/Volt 电流输出 电路 2线 环路供电电压 24VDC(7-35VDC) 输出 4-20mA 最大环路电阻 (Vs-7)x50Ω 供电灵敏度 0.01%FS/V 比率输出 输出 0.5v到4.5v(3线)@5VDC供电 输出激励电压 5VDC(4.75V-7VDC) GEMS压力变送器3000的物理参数 壳体 IP65代码G(NEMA4);IP67代码F(NEMA6) 接液部件 17-4和15-5不锈钢 电气连接 见订货指南 压力连接 1/4″NPT或G1/4 重量(约) 110g(电缆重量另加:75g/m) 机械震动 1000g/MIL-STD810,方法516.2,程序Ⅳ 加速度 在任意方向施加100g的稳定加速度时1bar(15psi)量程变送器的输出会波动0.032%FS/g,量程增大到400bar(6000psi)时输出波动会按对数递减至0.0007%FS/g. 认证等级 CE
上传时间： 2013-10-09
上传用户：sdfsdfs1
当今电子系统如高端处理器及记忆体，对电源的需求是趋向更低电压、更高电流的应用。同时、对负载的反应速度也要提高。因此功率系统工程师要面对的挑战，是要设计出符合系统要求的细小、价廉但高效率的电源系统。而这些要求都不是传统功率架构能够完全满足的。Vicor提出的分比功率架构(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件，可提供革命性的功率转换方案，应付以上提及的各项挑战。这些功率元件称为V•I晶片。
上传时间： 2013-11-15
上传用户：yan2267246
常用主板I/O芯片简介
上传时间： 2013-11-10
上传用户：yupw24
各系列I/O型单片机使用手册 第一部份 单片机概论 1第一章 硬件结构 3简介3特性4技术特性4内核特性4周边特性5选择表6系统框线图7引脚分配8引脚说明10极限参数15直流电气特性16交流电气特性18EEPROM 交流电气特性18系统结构图19时序和流水线结构(Pipelining) 19程序计数器21堆栈23算术及逻辑单元 – ALU24MTP 程序存储器25结构25特殊向量26查表27查表程序范例28在线烧写30数据存储器31结构31通用数据存储器32专用数据存储器32
上传时间： 2013-10-15
上传用户：yimoney
