CMOS基准

使用0.18um 标准 CMOS 的工艺设计，内嵌ASIX CORE（32 位RISC 内核，兼容ARM720T，带8KB 指令数据Cache 和全功能MMU），采用冯诺依曼结构

2016-09-07 25 CMOS基准

2021-10-17 10 CMOS基准

基于标准CMOS工艺的ADC设计与实现，适用于高性能模拟信号采集系统。提供可直接用于生产环境的电路设计代码和验证方案，经过多个项目打磨，具备良好的稳定性和精度表现。

2026-01-22 3 CMOS基准

介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-4...

2013-10-27 65 CMOS基准

基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源...

2014-12-03 55 CMOS基准

2013-04-15 32 CMOS基准

2014-01-22 98 CMOS基准

专辑类-器件数据手册专辑-120册-2.15G 标准数字电路-4000-CMOS-全系列数据手册-中文-.pdf

2013-06-16 140 CMOS基准

CMOS基准 热门资料