CMOS集成电路

共 63 篇文章
CMOS集成电路 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 63 篇文章,持续更新中。

模拟cmos集成电路设计

拉扎维经典著作,陈贵灿等翻译。介绍了mos工艺短沟道效应\   单级和差动放大频响反馈/震荡/封装工艺等

模拟cmos集成电路设计

模拟cmos集成电路设计<span style="white-space:normal;">&nbsp;———<span style="white-space:normal;">拉扎维</span></span>

模拟cmos集成电路设计(design of analog

<P>模拟集成电路的设计与其说是一门技术,还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石,而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。.<BR>美国加州大学洛杉机分校(UCLA)Razavi教授凭借着他在美国多所著名大学执教多年的丰富教学经验和在世界知名顶级公司(AT&

射频集成电路设计John Rogers(Radio Freq

<P>Radio Frequency Integrated Circuit Design</P> <P>I enjoyed reading this book for a number of reasons. One reason is that it<BR>addresses high-speed analog design in the context of microwave issues.

CMOS绿色模式AC_DC控制器振荡器电路

采用电流模脉宽调制控制方案的电池充电芯片设计,锯齿波信号的线性度较好,当负载电路减小时,自动进入Burst Mode状态提高系统的效率。整个电路基于1.0 &mu;m 40 V CMOS工艺设计,通过Hspice完成了整体电路前仿真验证和后仿真,仿真结果表明,振荡电路的性能较好,可广泛应用在PWM等各种电子电路中。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.c

带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构,利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度,100 MS/s采样频率的高速流

250种IC功放的电路图

集成电路图

4-20mA,0-10V电流~电压模拟信号光电隔离放大器

iso u-p-o 系列直流电压信号隔离放大器是一种将电压信号转换成按比例输出的隔离电流或电压信号的混合集成电路。该ic内部含有一组高隔离的dc/dc电源和电压信号高效率耦合隔离变换电路等,可以将直流电压小信号进行隔离放大(u/u)输出或直接转换为直流电流(u /i)信号输出。较大的输入阻抗(&ge;1 m&omega;),较强的带负载能力(电流输出>650&omega;,电压输出&ge;2k&o

模拟集成电路的分析与设计

很经典的教材

模拟集成电路及其应用(运放讲解清晰)

我见过的讲解最清晰易懂的运放资料,值得下载

模拟CMOS集成电路设计

模拟CMOS集成电路设计

基于第二代电流传输器的积分器设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 20.909090042114258px; ">介绍了一种基于低压、宽带、轨对轨、自偏置CMOS第二代电流传输器(CCII)的电流模式积分器电路,能广泛应用于无线通讯、

编码译码集成电路VD5026 VD5027

<P>  VD5026,VD5027是CMOS大规模数字集成电路(见图1)。前者是编码器,后者是译码器。他们组合应用起来构成一个发射—接收数字编译码系统。</P>

MAX17600数据资料

&nbsp;The MAX17600&ndash;MAX17605 devices are high-speedMOSFET drivers capable of sinking /sourcing 4A peakcurrents. The devices have various inverting and noninvertingpart options that provide greate

CMOS和TTL电路探讨

<p> 通常以为TTL门的速度高于&ldquo;CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大,作速度越低。管子的开关时间越长,门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有&ldquo;传输延时&rdquo;tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称&ldquo;速度-功耗积&rdquo;,做为器件性能的一个重要指

模拟集成电路原理与设计

本讲<BR>研究模拟电路的重要性<BR>模拟电路设计的难点<BR>研究AIC的重要性<BR>研究CMOS AIC的重要性<BR>电路设计一般概念<BR>抽象级别<BR>健壮性设计<BR>符号约定

叫你设计一个多功能电子钟并仿真

这里面介绍了多种数字集成电路的用法,和设计电子钟的具体电路图

低噪声放大器(LNA)

LNA的功能和指标<BR>二端口网络的噪声系数<BR>Bipolar LNA<BR>MOS LNA<BR>非准静态(NQS)模型和栅极感应噪声<BR>CMOS最小噪声系数和最佳噪声匹配<BR>参考文献<BR>LNA 的功能和指标<BR>&#8226; 第一级有源电路,其噪声、非线性、匹配等性<BR>能对整个接收机至关重要<BR>&#8226; 主要指标<BR>– 噪声系数(NF)<BR>取决于系统

低功耗高速跟随器的设计

提出了一种应用于CSTN-LCD系统中低功耗、高转换速率的跟随器的实现方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高压工艺SPICE模型的仿真结果表明,在典型的转角下,打开2个辅助模块时,静态功耗约为35 μA;关掉辅助模块时,主放大器的静态功耗为24 μA。有外接1 μF的大电容时,屏幕上的充放电时间为10 μs;没有外接1μF的大电容时,屏幕上的充放电时间为13μs。验证表明,该跟随器能

精密运算放大器自动校零

运算放大器集成电路,与其它通用<BR>集成电路一样,向低电压供电方向发<BR>展,普遍使用3V供电,目的是减少功<BR>耗和延长电池寿命。这样一来,运算放<BR>大器集成电路需要有更高的元件精度和<BR>降低误差容限。运算放大器一般位于电<BR>路系统的前端,对于时间和温度稳定性<BR>的要求是可以理解的,同时要改进电路<BR>结构和修调技术。当前,运算放大器是<BR>在封装后用激光修调和斩波器稳