CMOS电压基准

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摘要:采用共源共栅运算放大器作为驱动,设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路,并在TSMC0.18Um CMOS工艺下,采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明:在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6...

2013-11-19 182 CMOS电压基准

根据汽车发动机控制芯片的工作环境,针对常见的温度失效问题,提出了一种应用在发动机控制芯片中的带隙基准电压源电路。该电路采用0.18 μm CMOS工艺,采用电流型带隙基准电压源结构,具有适应低电源电压、电源抑制比高的特点。同时还提出一...

2014-01-09 107 CMOS电压基准