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CMOS工艺 的查询结果
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学术论文 基于CMOS工艺的低压差线性稳压器研究.rar
近年来，随着集成电路技术和电源管理技术的发展，低压差线性稳压器（LDO）受到了普遍的关注，被广泛应用于便携式电子产品如PDA、MP3播放器、数码相机、无线电话与通信设备、医疗设备和测试仪器等中，但国内研究起步晚，市场大部分被国外产品占有，因此，开展本课题的研究具有特别重要的意义。 首先，简单阐述了课题研究的背 ...
模拟电子 CMOS工艺多功能数字芯片的输出缓冲电路设计
为了提高数字集成电路芯片的驱动能力，采用优化比例因子的等比缓冲器链方法，通过Hspice软件仿真和版图设计测试，提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理图设计和版图设计，整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M 的0.6 μm CMOS工艺的工艺库（06mixddct02v24）仿真，基于CS ...
系统设计方案 HS5104是一款采用CMOS工艺的红外遥控编码发射IC, 可产生32种不同的 编码输出供用户选择
HS5104是一款采用CMOS工艺的红外遥控编码发射IC, 可产生32种不同的
编码输出供用户选择，采用38KHz载波红外信号编码发射输出，具有定向性好、
抗干扰能力强、遥控距离远的特点；IC 设计中设计了防静电（ESD）电路，安全
性高。 ...
MTK 5800C Fm芯片资料和驱动代码 技术特点： *国内首颗采用CMOS工艺的调频收音机芯片； *驱动能力强
5800C Fm芯片资料和驱动代码
技术特点：
*国内首颗采用CMOS工艺的调频收音机芯片；
*驱动能力强，可直接驱动耳机及放大器；
*功耗低，比国外先进方案还低1mA；
*频率覆盖从76M-108M的各国调频波段；
*高度集成度，所需外围器件数为零；
*强大的LOW-IF数字音频结构；
*强大的数字信号处理技术（DSP）,实现自动频率控制和自动 ...
电源技术 一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数， ...
模拟电子 带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计
设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度，100 MS/s采样频率的高速流水线（Pipelined）ADC的运放。设计基于SMIC 0.25 μm CMOS工艺，在Cadence环境下对电路进行Spectre仿真。仿真结 ...
模拟电子 CMOS绿色模式AC_DC控制器振荡器电路
采用电流模脉宽调制控制方案的电池充电芯片设计,锯齿波信号的线性度较好,当负载电路减小时,自动进入Burst Mode状态提高系统的效率。整个电路基于1.0 μm 40 V CMOS工艺设计,通过Hspice完成了整体电路前仿真验证和后仿真,仿真结果表明,振荡电路的性能较好,可广泛应用在PWM等各种电子电路中。
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模拟电子 CMOS工艺下高摆幅共源共栅偏置电路
共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应，在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅偏置电路，且能应用于任意电流密度。根据饱和电压和共源共栅级电流密度的定义,本文提出器件宽长比与输出电压摆幅的关系,并设计一种高摆幅的共源共栅级偏置电路。
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电源技术 CMOS射频功率放大器中的变压器合成技术
设计了一种可在CMOS射频功率放大器中用于功率合成的宽带变压器。通过对变压器的并联和串联两种功率合成形式进行分析与比较，指出了匝数比、功率单元数目以及寄生电阻对变压器功率合成性能的影响；提出了一种片上变压器的设计方法，即采用多层金属叠层并联以及将功放单元内置于变压器线圈中的方式，解决了在CMOS工艺中设计 ...
传感与控制 用于低噪声CMOS图像传感器的流水线ADC设计及其成像验证
在对低噪声CMOS图像传感器的研究中，除需关注其噪声外，目前数字化也是它的一个重要的研究和设计方向，设计了一种可用于低噪声CMOS图像传感器的12 bit，10 Msps的流水线型ADC，并基于0.5 ?滋m标准CMOS工艺进行了流片。最后，通过在PCB测试版上用本文设计的ADC实现了模拟输出的低噪声CMOS图像传感器的模数转换，并基于 ...