CMOS+Sensor
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CMOS+Sensor 全部资料 880 份
中国集成电路大全-高速CMOS集成电路-777页-13.6M.pdf
专辑类-器件数据手册专辑-120册-2.15G 中国集成电路大全-高速CMOS集成电路-777页-13.6M.pdf
2023-07-07
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标准数字电路-4000-CMOS-全系列数据手册-中文-.pdf
专辑类-器件数据手册专辑-120册-2.15G 标准数字电路-4000-CMOS-全系列数据手册-中文-.pdf
2023-07-07
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一种新结构的智能化六维腕力传感器A New Structured and Intellectualized Six-Axis Wrist Force Sensor
本文首先提出了一种新结构的水下机械手用六维腕力传感器;然后为其设计了信号放大、滤波和调零电路;最后,设计了以内置CAN总线控制器的80C592单片机为核心的传感器信号解耦和通讯单元,使该传感器成
2023-12-07
9
OV9655 Sensor VGA尺寸下的寄存器配置值,由OV公司提供,经实际验证,可用!
OV9655 Sensor VGA尺寸下的寄存器配置值,由OV公司提供,经实际验证,可用!
2013-12-08
118
带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计
设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构,利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度,100 MS/s采样频率的高速流水线(Pipeline...
2014-12-23
86
CMOS工艺多功能数字芯片的输出缓冲电路设计
为了提高数字集成电路芯片的驱动能力,采用优化比例因子的等比缓冲器链方法,通过Hspice软件仿真和版图设计测试,提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理图设计和版图设计...
2013-10-09
35
一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上,通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法,大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明:在-4...
2013-10-27
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