计算方法： 1) A值（相位）的计算：根据设置的相位值D（单位为度，0度-360度可设置），由公式A=D/360，得出A值，按四舍五入的方法得出相位A的最终值； 2) B偏移量值的计算：按B=512*(1/2VPP-VDC+20)/5； 3) C峰峰值的计算：按C=VPP/20V*4095；
上传时间： 2013-11-18
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2012TI杯陕西赛题H题,2012TI杯陕西赛题B题--频率补偿电路.
上传时间： 2013-10-07
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三极管代换手册下载 前言 使用说明 三极管对照表 A B C D E F G H K L M …… 外形与管脚排列图
上传时间： 2013-10-24
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磁芯电感器的谐波失真分析 摘 要：简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB，从而降低总谐波失真THD的历史过程，分析了诸多因数对谐波测量的影响，提出了磁心性能的调控方向。 关键词：比损耗系数， 磁滞常数ηB ，直流偏置特性DC-Bias，总谐波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年来，变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家，在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上，进行了深入的探讨和广泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施，促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。 一、 历史回顾 总谐波失真（Total harmonic distortion） ，简称THD，并不是什么新的概念，早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17－78“载波用铁氧体罐形磁心”中，规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示，利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法，专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统，其非线性失真有很严格的要求。 图中 ZD —— QF867 型阻容式载频振荡器，输出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通滤波器，阻抗 150Ω，阻带衰耗大于61dB， Lg88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 选频电平表，输入高阻抗， L ——被测无心罐形磁心及线圈， C ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时，所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝， （线架为一格） ， 其空心电感值为 318μH（误差1％） 被测磁心配对安装好后，先调节振荡器频率为 36.6～40KHz， 使输出电平值为+17.4 dB， 即选频表在 22′端子测得的主波电平 （P2）为+17.4 dB，然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平（P3）， 则三次谐波衰耗值为：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 为放大器增益dB 从以往的资料引证， 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作，其中测量系统的高、低通滤波器，信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严，阻抗必须匹配，薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成，以保证本身的“洁净” ，不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求， 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初，1409 所和四机部、邮电部各厂，从工艺上改变了推板空气窑烧结，出窑后经真空罐冷却的落后方式，改用真空炉，并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料，在此基础上，还实现了高μ7000～10000材料的突破，从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM（频率划分调制）向PCM（脉冲编码调制） 转换时期， 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ，100KHz）的超优铁氧体材料<3>，其磁滞系数降为优铁
上传时间： 2014-12-24
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附件附带破解补丁 浩辰CAD 2012专业版破解方法： 按正常安装浩辰CAD 2012专业版，点击安装KeyGen.exe。 浩辰CAD2012，以增强软件实用性、易用性为主要目标，新增了大量实用功能，改进了着色、消隐的正确性，提升了大幅面光栅图像处理的性能，同时改进了LISP\VBA二次开发接口的正确性和兼容性。 浩辰CAD 2012根据国内外用户的需求，增加了大量实用功能，例如动态块、DWF文件插入、隔离隐藏对象、转换EXCEL表格、块属性管理器、放样、超级填充等。 浩辰cad2012新增功能： 1、动态块（bedit） 动态块具有灵活性和智能性。 用户在操作时可以轻松地更改图形中的动态块参照。 可以通过自定义夹点或自定义特性来操作动态块参照中的几何图形。 a)通过设置图块中元素的可见性，一个图块中可以包含一种图形的多种形态，如下图的汽车模块就包含跑车、轿车和卡车的各向视图，只需在可见性列表中选择一个选项，就可以显示相应的图形。 还可对图块中的图形设置参数和动作，可对图块的整体或部分图形进行移动、旋转、翻转、缩放、阵列等；并可建立查询列表，对图块进行参数化控制。通过图块的动作设置，一个图块可以派生出数个图块，如下图所示： 2、DWF参考底图（dwfattach） 可以将dwf文件插入到当前图中作为参考底图，并可以捕捉到底图的端点、中点，如下图所示： 3、对象隔离、对象隐藏、取消对象隔离 可将选择的对象暂时隐藏，也可将选择对象以外的其他所有对象隐藏。当图中对象较多，利用此命令可以简化图纸，方便后续操作，操作起来比图层隔离更加简便、直观。 4、冻结其它图层和锁定其它图层 浩辰CAD 之前版本提供了图层隔离的功能，冻结其他图层和锁定其它图层与图层隔离功能类似，可以通过选择需要显示或可编辑对象，将其他图层进行冻结和锁定。 5、CAD表格转EXCEL表格 可以直接选择CAD中由直线、多段线和单行文字、多行文字组成的表格输出为EXCEL表格。 6、文字递增 可以对序号、编号、数值进行递增复制，间距、数量和增量均可随心所欲地控制。 7、多段线布尔运算 可直接对封闭的多段线进行差并交计算，无需转换面域，有时比修剪更简便。 8、拼写检查（spell） 此功能实现对用户输入的单词或文章进行单词校验，提示匹配的单词列表，方便用户进行正确的单词填写工作。可以实现不同语言的单词校验工作，包括英文，德文，等8种语言。 可以对全部实体（包括布局，模型中的所有实体）进行校验。 可以分别对布局或模型中的实体进行校验。 可以单独对一个实体或一个选择集进行校验。 方便用户自定义词典。 兼容的自定义词典。 支持文字，块内文字，块属性，属性，标注的校验。 9、放样（Loft） 通过对包含两条或者两条以上的横截面曲线的一组曲线进行放样（绘制实体或曲面）来创建三维实体或曲面。 10、块属性管理器（battman） 创建带属性的块后，执行 battman 对块中属性定义进行查询和修改，如果将修改应用到所有块参照，则对应块的块参照中属性实体也会做对应修改。 11、超级填充（superhatch） 超级填充命令有点像hatch命令，不同的是，可以使用该命令将光栅图像、块、外部参照和擦除这些实体作为填充实体对闭合区域进行填充。 12、线上写字 可以在选择线上书写文字，线会被自动打断，文字会放到线中间。 ◆ 重要功能改进 1、超链接 浩辰CAD 2012版的超链接不仅修改了以前存在的一些错误，而且提供了更为丰富的功能。 a)支持web链接的浏览和连接的设置。 b)支持打开操作系统可打开的所有文件。 c)支持dwg图纸的视图定位。 d)支持超链接的复制粘贴。 e)可以通过鼠标光标状态来判断是否存在链接，方便用户判断是否存在链接。 f)可以通过ctrl+鼠标点击打开设置的文件，方便用户的操作。 g)可以通过右键打开块内实体的链接。 2、光栅图像 浩辰CAD 2012版不仅增加了图像格式的支持，同时提升了大分辨率光栅图像的插入、显示和打印的效果和速度。 a) 增加了对多种图像格式的支持，诸如：CALS-1(*.cal,*.mil,*.rst,*.cg4)、RLC、GEOSPORT(.bil)、PICT(.pct/.pict)、IG4、Autodesk Animator(.fil/.flc)。 b) 内存使用问题，可以插入多张图片，内存不会增加。 c) 光栅图像打印问题（不清晰）。 d) 插入大图像时，预览速度大幅提升。 3、二次开发改进 浩辰CAD 2012版针对二次开发商和用户提出的一些LISP及VBA与AutoCAD存在的兼容性问题进行了系统梳理，兼容性有明显提升，此外还针对国外二次开发商的需求开发了Lisp调试器。 a) Lisp改进 处理了线程问题、命令范围值问题、VLX解析问题，对Lisp程序执行速度进行了优化。 b) VBA改进 处理了VBA的文档管理、接口不全、接口错误、类派生关系错误问题。 c) Lisp调试器 用户在使用浩辰CAD时，由于LISP与AutoCAD不完全兼容，用户需要一个工具进行调试，以协助用户解决及分析报告LISP问题。此系统以完成调试功能为主，不处理词法分析前的映射。适用于中级以上开发用户。
上传时间： 2013-11-10
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PSHLY-B回路电阻测试仪介绍
上传时间： 2013-11-05
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总线:指能为多个部件服务的信息传送线，在微机系统中各个部件通过总线相互通信。地址总线:它是传送由CPU发出的用于选择要访问的器件或部件的地址。数据总线:它是用来传送微型机系统内的各种类型的数据。汇编：是能完成一定任务的机器指令的集合。二进制数:只有0和1两个数码，基数为二。16进制数:采用0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、A、B、C、D、E、F等16个数码，其中A-F相应的十进数为10-15，基数是16。指令:是计算机所能执行的一种基本操作的描述，是计算机软件的基本单元。存储器:用来存放计算机中的所有信息：包括程序、原始数据、运算的中间结果及最终结果等。
标签： 单片机
上传时间： 2013-11-14
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1.1MCS51实验系统安装与启动1.DVCC系列实验系统在出厂时均为51状态对DVCC—52196JH机型：SK1位1—5置ON位置，位6—10置OFF对DVCC—5286JH和DVCC—598JH机型：a.SK1位1—5置ON，位6—10置OFF；b.SK2位1—2置ON；c.SK3置ON；d.SK4置OFFe.卧式KBB置51、96位置,立式KBB1开关置51、88位置（只对DVCC—598JH/JH+）；f.DL1—DL4连1、22.如果系统用于仿真外接用户系统，将40芯仿真电缆一头插入系统中J6插座，另一头插入用户系统的8051CPU位置，注意插入方向，仿真头上小红点表示第一脚，对应用户8051CPU第一脚。3.接上+5V电源，将随机配备的2芯电源线，红线接入外置电源的+5V插孔，黑线接入外置电源地插座。上电后，DVCC系列实验系统上显示“P.”闪动。如果是独立运行，按DVCC系列用户手册进入键盘管理监控，就能马上做实验。键盘管理监控操作详见第一分册第四章。如果连上位机工作，必须将随机配备的D型9芯插头一端插入DVCC系统J2插座，另一端插入上位机串行口COM1—COM2任选。然后按DVCC实验系统PCDBG键，再运行上位机上的DVCC联机软件，双方建立通信，往后详细操作见用户手册第五章。如果电源内置，只需打开～220V电源开关即可。
上传时间： 2013-10-12
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PIC 单片机的组成习题解答 解答部分1. PIC 单片机指令的执行过程遵循着一种全新哈佛总线体系结构的原则，充分利用了计算机系统在程序存储器和数据存储器之间地址空间的相互独立性，取指过程和执行指令过程可以流水线操作同时进行。因此，当PIC 时钟频率为4MHZ时，执行一条非转移类指令需要4 个系统时钟周期，即1us,但其指令执行的真实时间应为2us(在执行n—1 条指令时取第n 条指令，然后执行第n 条指令)。所以选项B 正确2. 端口RE 共有3 个引脚RE0~RE2，它们除了用做普通I/O 引脚和第5~7 路模拟信号输入引脚外，还依次分别承担并行口读出/写入/片选控制端引脚。A． 对。读出/写入（REO~RE1）。B．错。同步串行的相关引脚与端口C 有关。C．错。通用异步/同步串行的相关引脚与端口C有关。D． 错。CCP模块的相关引脚也是与端口C有关。所以选项A正确。3. 上电延时电路能提供一个固定的72ms 上电延时，从而使VDD有足够的时间上繁荣昌盛到单片机合适的工作电压。所以选项B 正确。
上传时间： 2013-11-09
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MPLAB C18使用指南 简介本文档论述MPLAB® C18 编译器的技术细节，并讲解MPLAB C18 编译器的所有功能。 这里假定读者已经具备如下基本素质：• 知道如何编写C 程序• 知道如何使用MPLAB 集成开发环境创建和调试项目• 已经阅读并理解了所使用单片机的数据手册 文档内容编排如下：• 第1 章：简介 — 提供对MPLAB C18 编译器的概述以及有关调用编译器的信息。• 第2 章：语法说明 — 论述MPLAB C18 编译器与ANSI 标准的不同之处。• 第3 章：运行时模型 — 论述MPLAB C18 编译器如何利用 PIC18 PICmicro® 单片机的资源。• 第4 章：优化 — 论述MPLAB C18 编译器执行的优化功能。• 第5 章：示例应用程序 — 给出一个示例应用程序，并就本用户指南中论述的各主题，对源代码进行了说明。• 附录A：COFF 文件格式 — 详细阐述了Microchip 的COFF 格式。• 附录B：采用ANSI 定义的方式 — 论述按照ANSI 标准的要求，MPLAB C18 实现所定义的执行方式。• 附录C：命令行概述 — 列出了命令行选项以及论述每个命令行选项的参考章节。• 附录D：MPLAB C18 诊断 — 列出了错误、警告和消息。• 附录E：扩展模式 — 论述非扩展模式和扩展模式之间的区别。
上传时间： 2013-10-30
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