COOLMOS_原理结构
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下： 对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EP...
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BV技术，专注于高性能电子元件的电压击穿测试，是确保产品安全与可靠性的关键。广泛应用于半导体、电力电子及新能源汽车等行业，通过精准测量材料或器件在特定条件下的耐压性能，帮助工程师优化设计，提升产品质量。本页面汇集了12份精选资源，涵盖理论基础、实验方法及最新研究成果，为专业技术人员提供全面的学习资料和技术支持，助力您掌握BV测试的核心技能，推动技术创新与发展。
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查看全部39个资源 »期刊论文：基于DSP的实时多任务嵌入式系统
·论文摘要：介绍TMS320C2812的BIOS内核，实现实时多任务操作,扩展外部时钟的接口电路和AT49BV162内部结构。结合TMS320C2812的功能，介绍DSP在嵌入式系统中如何对Flash进行数据的读写操作...
基于DSP的实时多任务嵌入式系统
·摘要： 介绍TMS320C2812的BIOS内核,实现实时多任务操作,扩展外部时钟的接口电路和AT49BV162内部结构.结合TMS320C2812的功能,介绍DSP在嵌入式系统中如何对Flash进行数据的读写操作. ...
Flash存储W25Q16芯片
W25Q16BV(16M-bit)是为有限的空间、引脚和功耗的系统提供一个存储解决方案。25Q系列比普通的串行Flash存储器更灵活，性能更优越。基于双倍/四倍的SPI，它们能够可以立即完成提供数据给RAM，包括存储声音、文本和数据。芯片支持的工作电压2.7V到3.6V，正常工作时电流小于4mA，掉...
CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入E...
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