BI-CMOS

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基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源...

2014-12-03 55 BI-CMOS

ADC0809采样控制电路的实现ADC0809是CMOS的8位A/D转换器,片内有8路模拟开关,可控制8个模拟量中的一个进入转换器中,转换时间约100us。主要控制信号有,START是转换启动信号,高电平有效。ALE是3位通道选择地址(AD...

2016-10-13 194 BI-CMOS

该文提出了一种电流型CMOS电路的并联开关结构,使得电流型CMOS电路能在较低的电源电压下工作,因而可以实现电路的低功耗设计,同时在相同的电源电压下,采用并联开关结构的电路比相应的申联开关电路具有更快的速度.PSPICE模拟证明了采用并联开...

2023-09-12 2 BI-CMOS