系统start-up 定时器• 为了让振荡器能够稳定起振所需要的延时时间。• 其时间为1024 个振荡器振荡周期。制程和温度漂移• 因RC 振荡器的频率与内建振荡电容值有关，而此电容值与制程参数有关，所以不同的MCU 会表现出不一致性。在固定电压和温度下，振荡频率漂移范围约±25%。• 对于同一颗MCU(与制程漂移无关)，其振荡频率会对工作电压和工作温度产生漂移。其对工作电压和工作温度所产生的漂移，可参考HOLTEK 网站上提供的相关资料。EMI/EMS(EMC)注意事项• ROSC 位置应尽量接近OSC1 引脚，其至OSC1 的连线应最短。• CS 可以提高振荡器的抗干扰能力，其与MCU OSC1 和GND 的连线应最短。• RPU 在确定系统频率之后，量产时建议不要接，因为其fSYS/4 频率输出会干扰到OSC1
上传时间： 2014-01-20
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单片机教程内容有：CS-51单片机实用子程序库,单片机编程入门26讲,C51单片机C语言学习,单片机C语言教程,单片机应用等等。
上传时间： 2013-10-17
上传用户：aysyzxzm
1 概述由于在某些通讯设计应用中，需要扩展更多的串口数量，比如车床监控、纺织仪器检测和网状连接的数据采集等应用。为此成都国腾微电子有限公司推出的GM814x 可以满足多个同类产品的并联扩展，并且能简单的实现电路连接和程序控制，主MCU 可以识别数据的来源和指定和某个GM814x 通信。2 应用说明2.1 CS 与SPI 的数据通信GM814x 的CS（片选）引脚可用于控制SPI 总线时钟有效性，CS 低电平有效，内部下拉。CS 有效时，允许芯片的时钟接收和数据收发；无效时，SCLK、DIN 和DOUT 均为高阻状态，GM814x 不响应SPI 上的数据收发，但能正常收发子串口数据和产生相应中断。2.2 应用建议当使用GM814x 的应用需要扩展4 个以上的串口数量时，就需要使用2 片以上的GM814x。扩展的方式也有多种。方式一：将多个GM814x 的SPI 接口接在主MCU 的SPI 总线上，然后将所有GM814x 的中断进行线与后连接到MCU 的IRQ 上，同时将各GM814x 的IRQ 输出又连接到MCU的IO，以便MCU响应中断后检测是具体哪一个GM814x 输出的中断，然后再拉低对应的CS，拉高其它GM814x的CS，并执行通信操作。方式二：如果扩展的GM814x 数量较多，采用上述扩展方式可能会占用MCU较多的IO 资源，则可以将GM814x 的中断输出连接到具有OC 输出的与门芯片上，再输出到MCU 的中断输入。同时又将所有的GM814x 的中断输出进行编码输入到MCU，以供其判断产生中断的是哪一个GM814x。方式三：将所有GM814x 的中断输出连接到优先编码器进行编码输出，同时编码器也能输出低电平信号给MCU 作为中断响应。MCU 检测编码数据以获知产生中断的GM814x，然后进行数据通信处理。这种方式电路最简单，占用MCU 的IO 资源也最少。 举例：使用MCS51 单片机扩展8 片GM814x。本电路中，采用了上述提到的第三种扩展方式。通过普通的MCS51 单片机扩展最多8 片GM814x，可扩展最多32 个标准串口。为了节省MCU的IO 资源，电路中增加了一片8-3 线优先编码器74LS348 和一片3-8 线译码器74HC138。8 片GM814x 的IRQ 中断通过一片74LS348 输出中断源向量，同时产生GS 低电平信号到MCS51 的外部中断0 上，MCS51 响应中断后，可查询A0~A2 的值确定产生中断的GM814x，然后MCU 使能74HC138，输出对应的ABC 信号选中产生IRQ 信号的GM814x，再进行SPI 总线上的数据通信。 示例程序：本示例程序使用C 语言描述，仅供参考。 由于74LS348 是优先编码器，多个中断同时产生的时候，74LS348 的编码只会指示输入编号上最高的IRQ，MCU 无法直接获知是否其它的GM814x 也产生了中断。同时GM814x 在自己的中断申请后，数据传输到第8bit 时会自动清除，所以数据接收完后如果MCU 的中断引脚仍然为低，则表示还有其它GM814x 的中断申请，故必须在处理完当前中断后继续查询新的中断向量。这就是上述示例程序中while 循环的目的。 以上应用建议仅供设计者参考，不代表最终实现方式，更可靠和实际的实现方式可由设计者根据自己的实际情况确定。l 示例中的数据、参数和标志字命名不代表实际产品的特性，请参考实际产品的数据手册来获取你所需要的数据。
上传时间： 2013-10-26
上传用户：suicoe
存放在计算机中大量信息的安全问题以及敏感信息的防窃取、防篡改问题已经越来越引起人们的关注。为了实现对数据库管理系统中数据安全的需求，文中对系统的用户口令、C/S之间的签名认证、SQL Server 2005数据库加密、系统分配角色和用户权限几方面对数据库管理系统的安全问题进行研究，使用C#和T-SQL语言进行具体实现。实际应用表明，这些措施能够准确地实现数据的加密，阻止非法用户操作系统，保证系统安全，达到了设计要求。
上传时间： 2013-10-22
上传用户：wlcaption
采用DQPSK 调制方式对NRZ, RZ 和CSRZ 3 种码型进行调制, 研究40 Gb/ s 高速传输系统中这3 种不同类型的光信号。使用色散补偿方式对高速光纤传输系统进行200 kM 的模拟仿真, 比较不同码型的系统传输特性。分析表明CS- RZ- DQPSK 调制格式, 在较宽的入纤功率范围内都能取得最小的眼图张开代价。
上传时间： 2013-10-17
上传用户：YKLMC
第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲（Unbuffered）内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器（Registered）的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源，参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨，本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR，它们都被称为同步动态内存，其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进，所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate，也就是双倍的数据传输率，但是其时钟频率没有增加，只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上传时间： 2013-10-18
上传用户：宋桃子
Hyperlynx仿真应用:阻抗匹配.下面以一个电路设计为例，简单介绍一下PCB仿真软件在设计中的使用。下面是一个DSP硬件电路部分元件位置关系(原理图和PCB使用PROTEL99SE设计)，其中DRAM作为DSP的扩展Memory(64位宽度，低8bit还经过3245接到FLASH和其它芯片)，DRAM时钟频率133M。因为频率较高，设计过程中我们需要考虑DRAM的数据、地址和控制线是否需加串阻。下面，我们以数据线D0仿真为例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司网站下载各器件IBIS模型。然后打开Hyperlynx,新建LineSim File(线路仿真—主要用于PCB前仿真验证)新建好的线路仿真文件里可以看到一些虚线勾出的传输线、芯片脚、始端串阻和上下拉终端匹配电阻等。下面，我们开始导入主芯片DSP的数据线D0脚模型。左键点芯片管脚处的标志，出现未知管脚，然后再按下图的红线所示线路选取芯片IBIS模型中的对应管脚。 3http://bbs.elecfans.com/ 电子技术论坛 http://www.elecfans.com 电子发烧友点OK后退到“ASSIGN Models”界面。选管脚为“Output”类型。这样，一样管脚的配置就完成了。同样将DRAM的数据线对应管脚和3245的对应管脚IBIS模型加上(DSP输出，3245高阻，DRAM输入)。下面我们开始建立传输线模型。左键点DSP芯片脚相连的传输线，增添传输线，然后右键编辑属性。因为我们使用四层板，在表层走线，所以要选用“Microstrip”，然后点“Value”进行属性编辑。这里，我们要编辑一些PCB的属性，布线长度、宽度和层间距等，属性编辑界面如下：再将其它传输线也添加上。这就是没有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最远直线间距1.4inch，对线长为1.7inch)。现在模型就建立好了。仿真及分析下面我们就要为各点加示波器探头了，按照下图红线所示路径为各测试点增加探头：为发现更多的信息，我们使用眼图观察。因为时钟是133M，数据单沿采样，数据翻转最高频率为66.7M，对应位宽为7.58ns。所以设置参数如下：之后按照芯片手册制作眼图模板。因为我们最关心的是接收端(DRAM)信号，所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手册的输入需求设计。芯片手册中要求输入高电平VIH高于2.0V，输入低电平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一个NOTE里指出，芯片可以承受最高5.6V，最低-2.0V信号(不长于3ns)：按下边红线路径配置眼图模板：低8位数据线没有串阻可以满足设计要求，而其他的56位都是一对一，经过仿真没有串阻也能通过。于是数据线不加串阻可以满足设计要求，但有一点需注意，就是写数据时因为存在回冲，DRAM接收高电平在位中间会回冲到2V。因此会导致电平判决裕量较小，抗干扰能力差一些，如果调试过程中发现写RAM会出错，还需要改版加串阻。
上传时间： 2013-12-17
上传用户：debuchangshi
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上传时间： 2013-10-23
上传用户：彭玖华
PLC
上传时间： 2013-10-17
上传用户：haiya2000
本手册对CX-Programmer 应用程序和其对OMRON SYSMAC CS, CV 以及 C 系列 PLC 编制程序的能力进行了描述。但并不提供有关PLC 本身的详细资料，要获得这些资料，必须参考相应设备的商业手册。
标签： CX_Programmer 编程 教程
上传时间： 2013-10-12
上传用户：l银幕海
