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查看全部 500 份 →半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN SiC）材料及器件测试
半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求...
2022-01-03
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不确定离散时滞系统的D稳定鲁棒容错控制
针对离散一步时滞系统,研究了传感器失效后有一定性能保证的D 稳定容错控制问题, 给出一个对传感器失效具有完整性的D 稳定控制系统需满足的一个充分条件,进而讨论了参数不确定离散时滞系统的D稳定鲁棒容错控
2023-12-19
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