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ANSYS workbench设计、仿真与优化

  • 相控阵雷达原理_张光义

    有源相控阵雷达技术在世界各国的国防与经济建设中发挥着重要的作用。为了全面展现有源相控阵雷达天线结构的研制,本书较详尽地阐述了有源相控阵雷达天线结构在总体技术、工业造型技术、热控技术、仿真与试验技术、有源模块结构技术、新材料与工艺技术等方面的研究,并介绍了许多国内外雷达领域的设计实例,本书的内容具有较强的实用性。

    标签: 雷达

    上传时间: 2022-04-07

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  • LMS算法自适应滤波器的MATLAB仿真与DSP实现

    该文档为LMS算法自适应滤波器的MATLAB仿真与DSP实现讲解文档,是一份很不错的参考资料,具有较高参考价值,感兴趣的可以下载看看………………

    标签: lms 自适应滤波器 matlab dsp

    上传时间: 2022-04-14

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  • 电子系统仿真与MATLAB

    电子系统仿真与MATLAB

    标签: 电子系统 matlab

    上传时间: 2022-04-26

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  • Multisim2001电路设计及仿真教材

    Multisim2001电路设计及仿真教程!

    标签: multisim

    上传时间: 2022-04-29

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  • 半导体太赫兹源、探测器与应用 半导体科学与技术丛书(脑控技术丛书)

    半导体太赫兹源、探测器与应用 半导体科学与技术丛书(脑控技术)

    标签: 太赫兹 脑控技术 无线电

    上传时间: 2022-06-09

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  • AT89C51单片机编写的C代码,用proteus设计电路仿真案例

    采用C代码编写的8位LED流水灯程序,附件是用PROTEUS设计的仿真电路工程,直接可以使用。请用Proteus 8以上版本。下面是验证好的源代码,供大家参考学习:------------------------------------------#include <reg51.h>void main(){LED;t0,t1,t2,t3,t4,t5,t6,t7;LED=P1;P1=0xFF;while(10){P1=0xFE;for(t0=10;t0<25000;t0++){;}P1=0xFD;for(t1=0;t1<25000;t1--) {;}P1=0xFB;for(t2=0;t2<25000;t2++) {;}P1=0xF7;for(t3=0;t3<25000;t3--) {;}P1=0xEF;for(t4=0;t4<25000;t4++) {;}P1=0xDF;for(t5=0;t5<25000;t5--){;}P1=0xBF;for(t6=0;t6<25000;t6++){;}P1=0x7F;for(t7=0;t7<25000;t7++){;}P1=0xBF;for(t6=0;t6<25000;t6++){;}P1=0xDF;for(t5=0;t5<25000;t5++){;}P1=0xEF;for(t4=0;t4<25000;t4++) {;}P1=0xF7;for(t3=0;t3<25000;t3++) {;}P1=0xFB;for(t2=0;t2<25000;t2++) {;}P1=0xFD;for(t1=0;t1<25000;t1++){;}P1=0xFE;}} ----------------------------------------------------

    标签: at89c51 单片机 proteus 电路仿真

    上传时间: 2022-06-09

    上传用户:zhanglei193

  • 射频功率放大器集成电路研究

    射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用,是现代无线通信的关键设备.与传统的行被放大器相比,射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点;由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要,使得功率放大器的研制变得十分重要,因此对该课题的研究具有非常重要的意义.设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs,SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工艺具有较好的射频特性和输出功率能力,但其价格昂贵,工艺一致性差;CMOS工艺的功率输出能力不大,很难应用于高输出功率的场合;而SiGe BiCMOS工艺的性能介于GaAS和CMOS工艺之间,价格相对低廉并和CMOS电路兼容,非常适合于中功率应用场合.本文介绍了应用与无线局域网和Ka波段的射频集成功率放大器的设计和实现,分别使用了CMOS,SiGe BiCMOS,GaAs三种工艺.(1)由SMIC 0.18um CMOS工艺实现的放大器工作频率为2.4GHz,采用了两级共源共栅电路结构,在5V电源电压下仿真结果为小信号增益22dB左右,1dB压缩点处输出功率为20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%,最大饱和输出功率大于24dBm且PAE大于20%,芯片面积为1.4mm*0.96mm;(2)由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工艺实现的功率放大器工作频率为5.25GHz,分为前置推动级和末级功率级,电源电压为3.3V,仿真结果为小信号增益28dB左右,1dB压缩点处输出功率大于26dBm,功率附加效率大于15%,最大饱和输出功率为29.5dBm,芯片面积为1.56mm"1.2mm;(3)由WIN 0.15um GaAs工艺实现的功率放大器工作频率为27-32GHz,使用了三级功率放大器结构,在电源电压为5V下仿真结果为1dB压缩点的输出功率Pras 26dBm,增益在20dB以上,最大饱和输出功率为29.9dBm且PAE大于25%,芯片面积为2.76mm"1.15mm.论文按照电路设计、仿真、版图设计、流片和芯片测试的顺序详细介绍了功率放大器芯片的设计过程,对三种工艺实现的功率放大器进行了对比,并通过各自的仿真结果对出现的问题进行了详尽的分析。

    标签: 射频功率放大器 集成电路

    上传时间: 2022-06-20

    上传用户:shjgzh

  • QC2.0 电源快充解决方案(原理图、PCB源文件、程序源码、仿真等).

    QC2.0 电源快充解决方案(原理图、PCB源文件、程序源码、仿真等).

    标签: QC2.0 电源快充

    上传时间: 2022-06-21

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  • TINA-TI模拟电路设计、仿真和分析软件教程

    本资料为仿真软件TINA-TI的教程

    标签: TINA-TI 模拟电路

    上传时间: 2022-06-26

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  • 实用硬件电路原理图,包括单片机电源设计、放大电路设计和集成稳压电源设计

    实用硬件电路原理图,包括单片机电源设计、放大电路设计和集成稳压电源设计

    标签: 硬件电路 单片机 电源

    上传时间: 2022-06-30

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