在当今能源短缺的情况下，电动车的发展变的尤为重要。车用电机控制器是电动汽车的最关键的部分之一，受到了国内外学者的高度重视，近些年来发展也非常迅速。永磁同步电动机因有高效率、高功率密度、调速性能好等优点，被用作电动汽车驱动电机，对其控制方法的研究很有意义.IGBT是永磁同步电机控制器的核心部件，然而IGBT驱动效果的好坏对电机驱动的安全性和可靠性有非常大影响，所以对IGBT驱动技术的研究很意义。本文首先对永磁同步电机建立了数学模型，并介绍了矢量控制方法和空间矢景脉宽调制（SVPWM）技术，并在MATLAB/Simulink环境下对SVPWM进行仿真。本论文以TMS320F2812为主控芯片，在该控制器中还包括了电源电路、信号检测电路和保护电路等，在论文中对每一硬件部分做了详细的介绍，分析了每个电路的功能和作用。同时介绍了软件流程，重点介绍了中断部分的软件流程，并对位置信号处理和校正做了详细说明，在硬件电路中着重分析了驱动电路部分。对IGBT的选型做了详细的介绍，并对驱动电路的要求做了进一步的说明。在本论文中驱动芯片选用的是HCPL-316J，it IGBT开通和关断所需的+15V和-5V电压，由所设计的开关电源电路提供。同时对IGBT的通态损耗和开关损耗做了分析，并对引起损耗的参数做了分析说明。最后为了验证控制器的特性，在实验台架上做了大量的实验，验证了控制器的整体方案的设计。通过实验证明该控制器能够在电动车中可靠运行。
上传时间： 2022-06-21
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IGBT模块的一些基本知识2·怎样读数据手册3.IGBT的驱动电路4，电压尖峰吸收回路5·短路6，IGBT模块的可靠性和实效分析7，仿真软件Melcosim的使用方法8.一些注意事项正的门极电压推荐15V（±10%）如右图所示Vog越高Vceat和Eon越小，损耗减小。但是16.5V以上的话短路耐量很小。所以正的门极电压为+15V±10%最合适。负的门极电压推荐5~10V右图表示开关损失与-Vcg的关系。-Voa=5V时Eoff不再变化，所以最小值设定为-Vo-5合适。另外，IGBT门极上会有尖峰电压重叠，为了防止不出现过大的负电压-Vgの的电压为5~10V最合适。（在一些场合无负压也是可以的）1类短路>桥臂直通>短路回路中电感较小，电流的上升速度极快>容易通过检测Vce（sat）实现保护II类短路>相间短路或对地短路短路回路ф电感稍大，电流的上升速度较慢>可以使用vce（sat），也可以使用霍尔来实现保护>这类短路，回路ф的电感是不确定的
标签： igbt模块
上传时间： 2022-06-21
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一、IGBT 驱动1 驱动电压的选择IGBT 模块GE 间驱动电压可由不同地驱动电路产生。典型的驱动电路如图1 所示。图1 IGBT 驱动电路示意图Q1，Q2 为驱动功率推挽放大，通过光耦隔离后的信号需通过Q1，Q2 推挽放大。选择Q1，Q2 其耐压需大于50V 。选择驱动电路时，需考虑几个因素。由于IGBT 输入电容较MOSFET 大，因此IGBT 关断时，最好加一个负偏电压，且负偏电压比MOSFET 大， IGBT 负偏电压最好在-5V~-10V 之内；开通时，驱动电压最佳值为15V 10％ ,15V 的驱动电压足够使IGBT 处于充分饱和，这时通态压降也比较低，同时又能有效地限制短路电流值和因此产生的应力。若驱动电压低于12V ，则IGBT 通态损耗较大， IGBT 处于欠压驱动状态；若 VGE >20V ，则难以实现电流的过流、短路保护，影响 IGBT 可靠工作。2 栅极驱动功率的计算由于IGBT 是电压驱动型器件，需要的驱动功率值比较小，一般情况下可以不考虑驱动功率问题。但对于大功率IGBT ，或要求并联运行的IGBT 则需要考虑驱动功率。IGBT 栅极驱动功率受到驱动电压即开通VGE( ON )和关断 VGE( off ) 电压，栅极总电荷 QG 和开关 f 的影响。栅极驱动电源的平均功率 PAV 计算公式为：PAV =（VGE(ON ) +VGE( off ) ）* QG *f对一般情况 VGE( ON ) =15V，VGE( off ) =10V，则 PAV 简化为： PAV =25* QG *f。f 为 IGBT 开关频率。栅极峰值电流 I GP 为：
上传时间： 2022-06-21
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本论文所涉及的电源管理方案来源于与台湾某上市公司的横向合作项目，在电源管理产品朝着低功耗、高效率和智能化方向发展的形势下，论文采用了一种开关电源与低压降（LDO）线性电压调节器结合应用的集成方案，即将LDO作为升压型电源管理芯片的内部供电模块。按照方案的要求，本文设计了一种含缓冲级的低压降线性电压调节器。设计采用0.6um 30V BCD工艺，实现LDO的输入电压范围为6-13V：满足在-25-85℃的工作温度范围内，输出电压为5V：在典型负载电流（12.5mA）下，LDO的压降电压为120mv.文章首先阐述了整个方案的工作原理，给出LDO设计的指标要求；其次，依据系统方案的指标要求和制造工艺约束，实现包含误差放大器、基准源和保护电路等子模块在内的电压调整器：此外，文章还着重探讨了“如何利用放大器驱动100pF数量级的大电容负载”的问题：最后，给出整个模块总体电路的仿真验证结果。LDO的架构分析和设计以及基准源的设计是本文的核心内容。在LDO架构设计部分，文章基于对三种不同LDO拓扑的分析，选择并实现了含缓冲器级的LDO.设计中通过改进反馈网络，采用反馈电容，实现对LDO的环路补偿。同时，为提高误差放大器驱动功率管的能力、适应LDO低功耗发展的需求，文章探讨了如何使用放大器驱动大负载电容的问题。基于密勒定理和根轨迹原理，本文通过研究密勒电容的作用，采用MPC（Miller-Path-Compensation）结构，实践了两级放大器驱动大负载电容的方案，并把MPC补偿技术推广到三级放大器的设计中。
上传时间： 2022-06-22
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AD7606是鄙人最近调试过的一个模块，这里也给大家分享分享使用的经验，以下是原理图，仍然是备注了详细的注意事项，方便读图和调试：PCB如下，3D封装，这个KF2EDGK-3.81-10P座子花了不少时间画3D封装了~ 不过还是值得，看着很舒服，也方便配合结构设计AD7606这个ADC芯片用的比较广泛，主要是性能不错而且价格不算高，它主要有以下一些特点：8/6/4 路同步采样输入真双极性模拟输入范围：±10 V、±5 V5V模拟单电源，2.3V至+5V VDRIVE完全集成的数据采集解决方案模拟输入箝位保护具有1 MΩ模拟输入阻抗的输入缓冲器二阶抗混叠模拟滤波器片内精密基准电压及基准电压缓冲器16位、200 kSPS ADC（所有通道）通过数字滤波器提供过采样功能
标签： ad7606
上传时间： 2022-06-24
上传用户：得之我幸78
一无线模块概述关于无线充电的原理和设计方案网上有很多，这里就不再赘述，此处主要记录一下从淘宝上买来的无线模块的测试结果。我从淘宝上买来的无线模块如下：其主要特性如下：输入电压：5~12V最大负载电流：1.3A接收输出电压电流：5V/1.5A，12V/700mA发射线圈尺寸：外径43mm，厚度2.3mm发射模块尺寸：18mm*8.5mm*15mm接收模块尺寸：10mm*25mm*3mm接收线圈尺寸：外径43mm，厚度1.2mm接收最佳距离：3~6mm二芯片资料从网上并没有搜到比较靠谱的芯片资料，唯一有的就是XKT-408和XKT-510的使用手册。准确的说，淘宝上卖的都是XKT系列的无线充电解决方案。发射模块我直接使用了上图中的发射模块，并未做任何更改。这里我主要关心的是接收端芯片：T-3168其规格说明书下载链接：
标签： 无线充电
上传时间： 2022-06-25
上传用户：trh505
1.CS8900A简介CS8900A集成了构建一个完整的以太网电路所需的全部模拟和数字电路，是一种真正的单芯片、全双工以太网解决方案。它的主要功能模块包括：■直接ISA总线接口■802.3MAC引擎■集成的缓冲寄存器■串行EEPROM接口■完整的模拟前端（包括10BASE-T和AUI）2.CS8900A配置正常运行时，CS8900A执行两种基本的功能：以太网数据包的发送和接收。在使用这两种基本功能前，必须对CS8900A进行适当的配置。CS8900A的配置工作在上电或者复位时进行，通过向其内部的配置和控制寄存器写入不同的参数来实现。以下7种情况会引起CS8900A内部寄存器和电路的复位：■外部复位：RESET引脚拉高至少400ns■上电复位：上电时复位，直至Vcc达到约2.5V以上时跳出复位■掉电复位：供电电压下降到低于约2.5V时复位，直至重新恢复至约2.5V以上时跳出复位EEPROM复位：检测到EEPROM校验和错误时复位
上传时间： 2022-06-25
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MCU与WIFI通信概述一、MCU与串口硬件通信接口电路框图：WIFl模块与MCU设备采用串口通信方式进行通信，命令和数据通过串口协议进行相互交互。WIFI模块采用3.3V电源供电，MCU设备如果5V供电，在TXD线和RXD线串联470欧的电阻.如果3.3V供电，则不需增加线上串联电阻.UART参效设置：波特率：115200数据位；8位奇偶检验：无停止位：1位二、通信协议MCU发送通信格式：注：长度（H）（L）是从帧顺序号开始算起到结束的字节数。比如数据内容中共有10个数据字节，那么长度为13，长度（H）=0，长度（L）=13注：ACK/NCK ACK表示操作成功（0x56）NCK表示操作失败（0x15）数据内容：返回成功为0返回不成功的参数内容通信采用应答的格式，保证数据可靠性，同时也保证当前网络的状态
上传时间： 2022-06-25
上传用户：默默
在电子和自动化技术的应用中，单片机和DAC（数模转换器）是经常需要同时使用的，然而许多单片机内部并没有集成DAC，即使有些单片机内部集成了DAC，DAC的精度也往往不高，在高精度的应用中还是需要外接DAC，这样增加了成本。但是，几乎所有的单片机都提供定时器或者PWM输出功能。如果能应用单片机的PWM输出（或者通过定时器和软件一起来实现PWM输出），经过简单的变换电路就可以实现DAC，这将大量降低成本电子设备的成本、减少体积，并容易提高精度。本文在对PWM到DAC转换关系的理论分析的基础上，设计出输出为0~5V电压的DAC。1应用PWM实现DAC的理论分析PWM是一种周期一定而高低电平的占空比可以调制的方波信号，图1是一种在电路中经常遇到的PWM波。该PWM的高低电平分别为VH和VL，理想的情况VL等于0，但是实际中一般不等于0，这往往是应用中产生误差的一个主要原因。
上传时间： 2022-06-25
上传用户：ttalli
近年来，随着电子技术的快速发展，使得低电压、大电流电路为未来主要发展趋势。低电压、大电流工作有利于提高工作电路的整体功率，但同时也给电路设计带来了新的问题。传统的变换器中常采用普通二极管或肖特基二极管整流方式，在低压、大电流输出的电路中，应用传统二极管整流的电路，其整流的损耗比较大，工作效率比较低。一般普通二极管的压降为1.0-1.3V，即便应用压降较低的肖特基二极管（SBD），产生压降一般也要有0.5V左右，从而使整流的损耗增加，电源的工作效率降低，己经不能满足现代开关电源高性能的需求。因此，应用同步整流（SR）技术可达到此要求，即应用功率MOS管代替传统的二极管整流。由于功率MOS管具有导通电阻很低、开关时间较短、输入阻抗很高的特点，很大程度的减少了开关功率MOS管整流时的损耗，使得工作效率有一个显著提高，因此功率MOS管以成为低压大电流功率变换器首选的整流器件。要想得到经济、高效的变换器，同步整流技术与反激变换器电路结合将会是一个很好的选择。反激变换器拓扑电路的优点是电路结构简单、输入与输出电气隔离、输入、输出工作电压范围较宽，可以实现多路的输出，因而在高电压、低电流的场合应用广泛，特别是在5~200W电源中一般采用反激变换器。
标签： 开关电源
上传时间： 2022-06-25
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