电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式（MM） 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器（消电器、电中和器或离子平衡器） 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度（ESDS）检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容（以MIL-STD-883E 方法3015.7为例） 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具－TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理
上传时间： 2013-07-13
上传用户：2404
高速电机由于转速高、体积小、功率密度高，在涡轮发电机、涡轮增压器、高速加工中心、飞轮储能、电动工具、空气压缩机、分子泵等许多领域得到了广泛的应用。永磁无刷直流电机由于效率高、气隙大、转子结构简单，因此特别适合高速运行。高速永磁无刷直流电机是目前国内外研究的热点，其主要问题在于：（1）转子机械强度和转子动力学；（2）转子损耗和温升。本文针对高速永磁无刷直流电机主要问题之一的转子涡流损耗进行了深入分析。转子涡流损耗是由定子电流的时间和空间谐波以及定子槽开口引起的气隙磁导变化所产生的。首先通过优化定子结构、槽开口和气隙长度的大小来降低电流空间谐波和气隙磁导变化所产生的转子涡流损耗；通过合理地增加绕组电感以及采用铜屏蔽环的方法来减小电流时间谐波引起的转子涡流损耗。其次对转子充磁方式和转子动力学进行了分析。最后制作了高速永磁无刷直流电机样机和控制系统，进行了空载和负载实验研究。论文主要工作包括： 一、采用解析计算和有限元仿真的方法研究了不同的定子结构、槽开口大小、以及气隙长度对高速永磁无刷直流电机转子涡流损耗的影响。对于2极3槽集中绕组、2极6槽分布叠绕组和2极6槽集中绕组的三台电机的定子结构进行了对比，利用傅里叶变换，得到了分布于定子槽开口处的等效电流片的空间谐波分量，然后采用计及转子集肤深度和涡流磁场影响的解析模型计算了转子涡流损耗，通过有限元仿真对解析计算结果加以验证。结果表明：3槽集中绕组结构的电机中含有2次、4次等偶数次空间谐波分量，该谐波分量在转子中产生大量的涡流损耗。采用有限元仿真的方法研究了槽开口和气隙长度对转子涡流损耗的影响，在空载和负载状态下的研究结果均表明：随着槽开口的增加或者气隙长度的减小，转子损耗随之增加。因此从减小高速永磁无刷电机转子涡流损耗的角度考虑，2极6槽的定子结构优于2极3槽结构。 二、高速永磁无刷直流电机额定运行时的电流波形中含有大量的时间谐波分量，其中5次和7次时间谐波分量合成的电枢磁场以6倍转子角速度相对转子旋转，11次和13次时间谐波分量合成的电枢磁场以12倍转子角速度相对转子旋转，这些谐波分量与转子异步，在转子保护环、永磁体和转轴中产生大量的涡流损耗，是转子涡流损耗的主要部分。首先研究了永磁体分块对转子涡流损耗的影响，分析表明：永磁体的分块数和透入深度有关，对于本文设计的高速永磁无刷直流电机，当永磁体分块数大于12时，永磁体分块才能有效地减小永磁体中的涡流损耗；反之，永磁体分块会使永磁体中的涡流损耗增加。为了提高转子的机械强度，在永磁体表面通常包裹一层高强度的非磁性材料如钛合金或者碳素纤维等。分析了不同电导率的包裹材料对转子涡流损耗的影响。然后利用涡流磁场的屏蔽作用，在转子保护环和永磁体之间增加一层电导率高的铜环。有限元分析表明：尽管铜环中会产生涡流损耗，但正是由于铜环良好的导电性，其产生的涡流磁场抵消了气隙磁场的谐波分量，使永磁体、转轴以及保护环中的损耗显著下降，整体上降低了转子涡流损耗。分析了不同的铜环厚度对转子涡流损耗的影响，研究表明转子各部分的涡流损耗随着铜屏蔽环厚度的增加而减小，当铜环的厚度达到6次时间谐波的透入深度时，转子损耗减小到最小。 三、对于给定的电机尺寸，设计了两台电感值不同的高速永磁无刷直流电机，通过研究表明：电感越大，电流变化越平缓，电流的谐波分量越低，转子涡流损耗越小，因此通过合理地增加绕组电感能有效的降低转子涡流损耗。 四、研究了高速永磁无刷直流电机的电磁设计和转子动力学问题。对比分析了平行充磁和径向充磁对高速永磁无刷直流电机性能的影响，结果表明：平行充磁优于径向充磁。设计并制作了两种不同结构的转子：单端式轴承支撑结构和两端式轴承支撑结构。对两种结构进行了转子动力学分析，实验研究表明：由于转子设计不合理，单端式轴承支撑结构的转子转速达到40，000rpm以上时，保护环和定子齿部发生了摩擦，破坏了转子动平衡，导致电机运行失败，而两端式轴承支撑结构的转子成功运行到100，000rpm以上。 五、最后制作了平行充磁的高速永磁无刷直流电机样机和控制系统，进行了空载和负载实验研究。对比研究了PWM电流调制和铜屏蔽环对转子损耗的影响，研究表明：铜屏蔽环能有效的降低转子涡流损耗，使转子损耗减小到不加铜屏蔽环时的1/2；斩波控制会引入高频电流谐波分量，使得转子涡流损耗增加。通过计算绕组反电势系数的方法，得到了不同控制方式下带铜屏蔽环和不带铜屏蔽环转子永磁体温度。采用简化的暂态温度场有限元模型分析了转子温升，有限元分析和实验计算结果基本吻合，验证了铜屏蔽环的有效性。
上传时间： 2013-05-18
上传用户：zl123!@#
一本很好的汇编语言教程，跟大家一起分享 课程介绍 第1章 预备知识 1.1 汇编语言的由来及其特点 1 机器语言 2 汇编语言 3 汇编程序 4 汇编语言的主要特点 5 汇编语言的使用领域 1.2 数据的表示和类型 1 数值数据的表示 2 非数值数据的表示 3 基本的数据类型 1.3 习题 第2章 CPU资源和存储器 2.1 寄存器组 1 寄存器组 2 通用寄存器的作用 3 专用寄存器的作用 2.2 存储器的管理模式 1 16位微机的内存管理模式 2 32位微机的内存管理模式 2.3 习题 第3章 操作数的寻址方式 3.1 立即寻址方式 3.2 寄存器寻址方式 3.3 直接寻址方式 3.4 寄存器间接寻址方式 3.5 寄存器相对寻址方式 3.6 基址加变址寻址方式 3.7 相对基址加变址寻址方式 3.8 32位地址的寻址方式 3.9 操作数寻址方式的小结 3.10 习题 第4章 标识符和表达式 4.1 标识符 4.2 简单内存变量的定义 1 内存变量定义的一般形式 2 字节变量 3 字变量 4 双字变量 5 六字节变量 6 八字节变量 7 十字节变量 4.3 调整偏移量伪指令 1 偶对齐伪指令 2 对齐伪指令 3 调整偏移量伪指令 4 偏移量计数器的值 4.4 复合内存变量的定义 1 重复说明符 2 结构类型的定义 3 联合类型的定义 4 记录类型的定义 5 数据类型的自定义 4.5 标号 4.6 内存变量和标号的属性 1 段属性操作符 2 偏移量属性操作符 3 类型属性操作符 4 长度属性操作符 5 容量属性操作符 6 强制属性操作符 7 存储单元别名操作符 4.7 表达式 1 进制伪指令 2 数值表达式 3 地址表达式 4.8 符号定义语句 1 等价语句 2 等号语句 3 符号名定义语句 4.9 习题 第5章 微机CPU的指令系统 5.1 汇编语言指令格式 1 指令格式 2 了解指令的几个方面 5.2 指令系统 1 数据传送指令 2 标志位操作指令 3 算术运算指令 4 逻辑运算指令 5 移位操作指令 6 位操作指令 7 比较运算指令 8 循环指令 9 转移指令 10 条件设置字节指令 11 字符串操作指令 12 ASCII-BCD码调整指令 13 处理器指令 5.3 习题 第6章 程序的基本结构 6.1 程序的基本组成 1 段的定义 2 段寄存器的说明语句 3 堆栈段的说明 4 源程序的结构 6.2 程序的基本结构 1 顺序结构 2 分支结构 3 循环结构 6.3 段的基本属性 1 对齐类型 2 组合类型 3 类别 4 段组 6.4 简化的段定义 1 存储模型说明伪指令 2 简化段定义伪指令 3 简化段段名的引用 6.5 源程序的辅助说明伪指令 1 模块名定义伪指令 2 页面定义伪指令 3 标题定义伪指令 4 子标题定义伪指令 6.6 习题 第7章 子程序和库 7.1 子程序的定义 7.2 子程序的调用和返回指令 1 调用指令 2 返回指令 7.3 子程序的参数传递 1 寄存器传递参数 2 存储单元传递参数 3 堆栈传递参数 7.4 寄存器的保护与恢复 7.5 子程序的完全定义 1 子程序完全定义格式 2 子程序的位距 3 子程序的语言类型 4 子程序的可见性 5 子程序的起始和结束操作 6 寄存器的保护和恢复 7 子程序的参数传递 8 子程序的原型说明 9 子程序的调用伪指令 10 局部变量的定义 7.6 子程序库 1 建立库文件命令 2 建立库文件举例 3 库文件的应用 4 库文件的好处 7.7 习题 第8章 输入输出和中断 8.1 输入输出的基本概念 1 I/O端口地址 2 I/O指令 8.2 中断 1 中断的基本概念 2 中断指令 3 中断返回指令 4 中断和子程序 8.3 中断的分类 1 键盘输入的中断功能 2 屏幕显示的中断功能 3 打印输出的中断功能 4 串行通信口的中断功能 5 鼠标的中断功能 6 目录和文件的中断功能 7 内存管理的中断功能 8 读取和设置中断向量 8.4 习题 第9章 宏 9.1 宏的定义和引用 1 宏的定义 2 宏的引用 3 宏的参数传递方式 4 宏的嵌套定义 5 宏与子程序的区别 9.2 宏参数的特殊运算符 1 连接运算符 2 字符串整体传递运算符 3 字符转义运算符 4 计算表达式运算符 9.3 与宏有关的伪指令 1 局部标号伪指令 2 取消宏定义伪指令 3 中止宏扩展伪指令 9.4 重复汇编伪指令 1 伪指令REPT 2 伪指令IRP 3 伪指令IRPC 9.5 条件汇编伪指令 1 条件汇编伪指令的功能 2 条件汇编伪指令的举例 9.6 宏的扩充 1 宏定义形式 2 重复伪指令REPEAT 3 循环伪指令WHILE 4 循环伪指令FOR 5 循环伪指令FORC 6 转移伪指令GOTO 7 宏扩充的举例 8 系统定义的宏 9.7 习题 第10章 应用程序的设计 10.1 字符串的处理程序 10.2 数据的分类统计程序 10.3 数据转换程序 10.4 文件操作程序 10.5 动态数据的编程 10.6 COM文件的编程 10.7 驻留程序 10.8 程序段前缀及其应用 1 程序段前缀的字段含义 2 程序段前缀的应用 10.9 习题 第11章 数值运算协处理器 11.1 协处理器的数据格式 1 有符号整数 2 BCD码数据 3 浮点数 11.2 协处理器的结构 11.3 协处理器的指令系统 1 操作符的命名规则 2 数据传送指令 3 数学运算指令 4 比较运算指令 5 超越函数运算指令 6 常数操作指令 7 协处理器控制指令 11.4 协处理器的编程举例 11.5 习题 第12章 汇编语言和C语言 12.1 汇编语言的嵌入 12.2 C语言程序的汇编输出 12.3 一个具体的例子 12.4 习题 附录
上传时间： 2013-07-05
上传用户：hw1688888
可配置端口电路是FPGA芯片与外围电路连接关键的枢纽，它有诸多功能：芯片与芯片在数据上的传递(包括对输入信号的采集和输出信号输出)，电压之间的转换，对外围芯片的驱动，完成对芯片的测试功能以及对芯片电路保护等。 本文采用了自顶向下和自下向上的设计方法，依据可配置端口电路能实现的功能和工作原理，运用Cadence的设计软件，结合华润上华0.5μm的工艺库，设计了一款性能、时序、功耗在整体上不亚于xilinx4006e[8]的端口电路。主要研究以下几个方面的内容： 1.基于端口电路信号寄存器的采集和输出方式，本论文设计的端口电路可以通过配置将它设置成单沿或者双沿的触发方式[7]，并完成了Verilog XL和Hspiee的功能和时序仿真，且建立时间小于5ns和保持时间在0ns左右。和xilinx4006e[8]相比较满足设计的要求。 2.基于TAP Controller的工作原理及它对16种状态机转换的控制，对16种状态机的转换完成了行为级描述和实现了捕获、移位、输出、更新等主要功能仿真。 3.基于边界扫描电路是对触发器级联的构架这一特点，设计了一款边界扫描电路，并运用Verilog XL和Hspiee对它进行了功能和时序的仿真。达到对芯片电路测试设计的要求。 4.对于端口电路来讲，有时需要将从CLB中的输出数据实现异或、同或、与以及或的功能，为此本文采用二次函数输出的电路结构来实现以上的功能，并运用Verilog XL和Hspiee对它进行了功能和时序的仿真。满足设计要求。 5.对于0.5μm的工艺而言，输入端口的电压通常是3.3V和5V，为此根据设置不同的上、下MOS管尺寸来调整电路的中点电压，将端口电路设计成3.3V和5V兼容的电路，通过仿真性能上已完全达到这一要求。此外，在输入端口处加上扩散电阻R和电容C组成噪声滤波电路，这个电路能有效地抑制加到输入端上的白噪声型噪声电压[2]。 6.在噪声和延时不影响电路正常工作的范围内，具有三态控制和驱动大负载的功能。通过对管子尺寸的大小设置和驱动大小的仿真表明：在实现TTL高电平输出时，最大的驱动电流达到170mA，而对应的xilinx4006e的TTL高电平最大驱动电流为140mA[8]；同样，在实现CMOS高电平最大驱动电流达到200mA,而xilinx4006e的CMOS驱动电流达到170[8]mA。 7.与xilinx4006e端口电路相比，在延时和面积以及功耗略大的情况下，本论文研究设计的端口电路增加了双沿触发、将输出数据实现二次函数的输出方式、通过添加译码器将配置端口的数目减少的新的功能，且驱动能力更加强大。
上传时间： 2013-07-20
上传用户：顶得柱
硬件高手的设计经验分享 一：成本节约 现象一：这些拉高/拉低的电阻用多大的阻值关系不大，就选个整数5K吧 点评：市场上不存在5K的阻值，最接近的是4.99K（精度1%），其次是5.1K（精度5%），其成本分别比精度为20%的4.7K高4倍和2倍。20%精度的电阻阻值只有1、1.5、2.2、3.3、4.7、6.8几个类别（含10的整数倍）；类似地，20%精度的电容也只有以上几种值，如果选了其它的值就必须使用更高的精度，成本就翻了几倍，却不能带来任何好处。
上传时间： 2013-05-22
上传用户：璇珠官人
- vii - 8.1.1 实验目的 315 8.1.2 实验设备 315 8.1.3 实验内容 315 8.1.4 实验原理 315 8.1.5 实验操作步骤 318 8.1.6 实验参考程序 319 8.1.7 练习题 321- vi - 6.4 USB 接口实验 266 6.4.1 实验目的 266 6.4.2 实验设备 267 6.4.3 实验内容 267 6.4.4 实验原理 267 6.4.5 实验操作步骤 270 6.4.6 实验参考程序 272 6.4.7 实验练习题 280 6.5 SPI接口通讯实验 281 6.5.1 实验目的 281 6.5.2 实验设备 281 6.5.3 实验内容 281 6.5.4 实验原理 281 6.5.5 实验操作步骤 285 6.5.6 实验参考程序 287 6.5.7 练习题 289 6.6 红外模块控制实验 289 6.6.1 实验目的 289 6.6.2 实验设备 289 6.6.3 实验内容 289 6.6.4 实验原理 289 6.6.5 实验操作步骤 291 6.6.6 实验参考程序 291 6.6.7 练习题 296 第七章 基础应用实验 296 7.1 A/D 转换实验 296 7.1.1 实验目的 296 7.1.2 实验设备 296 7.1.3 实验内容 296 7.1.4 实验原理 296 7.1.5 实验设计 298 7.1.6 实验操作步骤 299 7.1.7 实验参考程序 300 7.1.8 练习题 301 7.2 PWM步进电机控制实验 301 7.2.1 实验目的 301 7.2.2 实验设备 301 7.2.3 实验内容 301 7.2.4 实验原理 301 7.2.5 实验操作步骤 309 7.2.6 实验参考程序 311 7.2.7 练习题 313 第八章 高级应用实验 315 8.1 GPRS模块控制实验 315 - v - 5.2 5x4键盘控制实验 219 5.2.1 实验目的 219 5.2.2 实验设备 219 5.2.3 实验内容 219 5.2.4 实验原理 219 5.2.5 实验设计 221 5.2.6 实验操作步骤 222 5.2.7 实验参考程序 223 5.2.8 练习题 224 5.3 触摸屏控制实验 224 5.3.1 实验目的 224 5.3.2 实验设备 224 5.3.3 实验内容 224 5.3.4 实验原理 224 5.3.5 实验设计 231 5.3.6 实验操作步骤 231 5.3.7 实验参考程序 232 5.3.8 练习题 233 第六章 通信与接口实验 234 6.1 IIC 串行通信实验 234 6.1.1 实验目的 234 6.1.2 实验设备 234 6.1.3 实验内容 234 6.1.4 实验原理 234 6.1.5 实验设计 238 6.1.6 实验操作步骤 241 6.1.7 实验参考程序 243 6.1.8 练习题 245 6.2 以太网通讯实验 246 6.2.1 实验目的 246 6.2.2 实验设备 246 6.2.3 实验内容 246 6.2.4 实验原理 246 6.2.5 实验操作步骤 254 6.2.6 实验参考程序 257 6.2.7 练习题 259 6.3 音频接口 IIS 实验 260 6.3.1 实验目的 260 6.3.2 实验设备 260 6.3.3 实验内容 260 6.3.4 实验原理 260 6.3.5 实验步骤 263 6.3.6实验参考程序 264 6.3.7 练习题 266 - iv - 4.4 串口通信实验 170 4.4.1 实验目的 170 4.4.2 实验设备 170 4.4.3 实验内容 170 4.4.4 实验原理 170 4.4.5 实验操作步骤 176 4.4.6 实验参考程序 177 4.4.7 练习题 178 4.5 实时时钟实验 179 4.5.1 实验目的 179 4.5.2 实验设备 179 4.5.3 实验内容 179 4.5.4 实验原理 179 4.5.5 实验设计 181 4.5.6 实验操作步骤 182 4.5.7 实验参考程序 183 4.6.8 练习题 185 4.6 数码管显示实验 186 4.6.1 实验目的 186 4.6.2 实验设备 186 4.6.3 实验内容 186 4.6.4 实验原理 186 4.6.5 实验方法与操作步骤 188 4.6.6 实验参考程序 189 4.6.7 练习题 192 4.7 看门狗实验 193 4.7.1 实验目的 193 4.7.2 实验设备 193 4.7.3 实验内容 193 4.7.4 实验原理 193 4.7.5 实验设计 195 4.7.6 实验操作步骤 196 4.7.7 实验参考程序 197 4.7.8 实验练习题 199 第五章 人机接口实验 200 5.1 液晶显示实验 200 5.1.1 实验目的 200 5.1.2 实验设备 200 5.1.3 实验内容 200 5.1.4 实验原理 200 5.1.5 实验设计 211 5.1.6 实验操作步骤 213 5.1.7 实验参考程序 214 5.1.8 练习题 219 - ii - 3.1.1 实验目的 81 3.1.2 实验设备 81 3.1.3 实验内容 81 3.1.4 实验原理 81 3.1.5 实验操作步骤 83 3.1.6 实验参考程序 87 3.1.7 练习题 88 3.2 ARM汇编指令实验二 89 3.2.1 实验目的 89 3.2.2 实验设备 89 3.2.3 实验内容 89 3.2.4 实验原理 89 3.2.5 实验操作步骤 90 3.2.6 实验参考程序 91 3.2.7 练习题 94 3.3 Thumb 汇编指令实验 94 3.3.1 实验目的 94 3.3.2 实验设备 94 3.3.3 实验内容 94 3.3.4 实验原理 94 3.3.5 实验操作步骤 96 3.3.6 实验参考程序 96 3.3.7 练习题 99 3.4 ARM处理器工作模式实验 99 3.4.1 实验目的 99 3.4.2实验设备 99 3.4.3实验内容 99 3.4.4实验原理 99 3.4.5实验操作步骤 101 3.4.6实验参考程序 102 3.4.7练习题 104 3.5 C 语言程序实验一 104 3.5.1 实验目的 104 3.5.2 实验设备 104 3.5.3 实验内容 104 3.5.4 实验原理 104 3.5.5 实验操作步骤 106 3.5.6 实验参考程序 106 3.5.7 练习题 109 3.6 C 语言程序实验二 109 3.6.1 实验目的 109 3.6.2 实验设备 109 3.6.3 实验内容 109 3.6.4 实验原理 109 - iii - 3.6.5 实验操作步骤 111 3.6.6 实验参考程序 113 3.6.7 练习题 117 3.7 汇编与 C 语言的相互调用 117 3.7.1 实验目的 117 3.7.2 实验设备 117 3.7.3 实验内容 117 3.7.4 实验原理 117 3.7.5 实验操作步骤 118 3.7.6 实验参考程序 119 3.7.7 练习题 123 3.8 综合实验 123 3.8.1 实验目的 123 3.8.2 实验设备 123 3.8.3 实验内容 123 3.8.4 实验原理 123 3.8.5 实验操作步骤 124 3.8.6 参考程序 127 3.8.7 练习题 134 第四章 基本接口实验 135 4.1 存储器实验 135 4.1.1 实验目的 135 4.1.2 实验设备 135 4.1.3 实验内容 135 4.1.4 实验原理 135 4.1.5 实验操作步骤 149 4.1.6 实验参考程序 149 4.1.7 练习题 151 4.2 IO 口实验 151 4.2.1 实验目的 151 4.2.2 实验设备 152 4.2.3 实验内容 152 4.2.4 实验原理 152 4.2.5 实验操作步骤 159 4.2.6 实验参考程序 160 4.2.7 实验练习题 161 4.3 中断实验 161 4.3.1 实验目的 161 4.3.2 实验设备 161 4.3.3 实验内容 161 4.3.4 实验原理 162 4.3.5 实验操作步骤 165 4.3.6 实验参考程序 167 4.3.7 练习题 170 目 录 I 第一章 嵌入式系统开发与应用概述 1 1.1 嵌入式系统开发与应用 1 1.2 基于 ARM的嵌入式开发环境概述 3 1.2.1 交叉开发环境 3 1.2.2 模拟开发环境 4 1.2.3 评估电路板 5 1.2.4 嵌入式操作系统 5 1.3 各种 ARM开发工具简介 5 1.3.1 ARM的 SDT 6 1.3.2 ARM的ADS 7 1.3.3 Multi 2000 8 1.3.4 Embest IDE for ARM 11 1.3.5 OPENice32-A900仿真器 12 1.3.6 Multi-ICE 仿真器 12 1.4 如何学习基于 ARM嵌入式系统开发 13 1.5 本教程相关内容介绍 14 第二章 EMBEST ARM实验教学系统 17 2.1 教学系统介绍 17 2.1.1 Embest IDE 集成开发环境 17 2.1.2 Embest JTAG 仿真器 19 2.1.3 Flash 编程器 20 2.1.4 Embest EduKit-III开发板 21 2.1.5 各种连接线与电源适配器 23 2.2 教学系统安装 23 2.3 教学系统的硬件电路 27 2.3.1 概述 27 2.3.2 功能特点 27 2.3.3 原理说明 28 2.3.4 硬件结构 41 2.3.5 硬件资源分配 44 2.4 集成开发环境使用说明 51 2.4.1 Embest IDE 主框架窗口 51 2.4.2 工程管理 52 2.4.3 工程基本配置 55 2.4.4 工程的编译链接 71 2.4.5 加载调试 72 2.4.6 Flash编程工具 80 第三章 嵌入式软件开发基础实验 81 3.1 ARM汇编指令实验一 81
上传时间： 2013-04-24
上传用户：xaijhqx
目录 第1章 概述 1.1 采用C语言提高编制单片机应用程序的效率 1.2 C语言具有突出的优点 1.3 AvR单片机简介 1.4 AvR单片机的C编译器简介 第2章 学习AVR单片机C程序设计所用的软件及实验器材介绍 2.1 IAR Enlbedded Workbench IDE C语言编译器 2.2 AVR Studio集成开发环境 2.3 PonyProg2000下载软件及SL—ISP下载软件 2.4 AVR DEM0单片机综合实验板 2.5 AvR单片机JTAG仿真器 2.6 并口下载器 2.7 通用型多功能USB编程器 第3章 AvR单片机开发软件的安装及第一个入门程序 3.1 安装IAR for AVR 4.30集成开发环境 3.2 安装AVR Studio集成开发环境 3.3 安装PonyProg2000下载软件 3.4 安装SLISP下载软件 3.5 AvR单片机开发过程 3.6 第一个AVR入门程序 第4章 AVR单片机的主要特性及基本结构 4.1 ATMEGA16(L)单片机的产品特性 4.2 ATMEGA16(L)单片机的基本组成及引脚配置 4.3 AvR单片机的CPU内核 4.4 AvR的存储器 4.5 系统时钟及时钟选项 4.6 电源管理及睡眠模式 4.7 系统控制和复位 4.8 中断 第5章 C语言基础知识 5.1 C语言的标识符与关键字 5.2 数据类型 5.3 AVR单片机的数据存储空间 5.4 常量、变量及存储方式 5.5 数组 5.6 C语言的运算 5.7 流程控制 5.8 函数 5.9 指针 5.10 结构体 5.11 共用体 5.12 中断函数 第6章 ATMEGA16(L)的I/O端口使用 6.1 ATMEGAl6(L)的I/O端口 6.2 ATMEGAl6(L)中4组通用数字I/O端口的应用设置 6.3 ATMEGA16(L)的I/O端口使用注意事项 6.4 ATMEGAl6(L)PB口输出实验 6.5 8位数码管测试 6.6 独立式按键开关的使用 6.7 发光二极管的移动控制(跑马灯实验) 6.8 0～99数字的加减控制 6.9 4×4行列式按键开关的使用 第7章 ATMEGAl6(L)的中断系统使用 7.1 ATMEGA16(L)的中断系统 7.2 相关的中断控制寄存器 7.3 INT1外部中断实验 7.4 INTO／INTl中断计数实验 7.5 INTO／INTl中断嵌套实验 7.6 2路防盗报警器实验 7.7 低功耗睡眠模式下的按键中断 7.8 4×4行列式按键的睡眠模式中断唤醒设计 第8章 ATMEGAl6(L)驱动16×2点阵字符液晶模块 8.1 16×2点阵字符液晶显示器概述 8.2 液晶显示器的突出优点 8.3 16×2字符型液晶显示模块(LCM)特性 8.4 16×2字符型液晶显示模块(LCM)引脚及功能 8.5 16×2字符型液晶显示模块(LCM)的内部结构 8.6 液晶显示控制驱动集成电路HD44780特点 8.7 HD44780工作原理 8.8 LCD控制器指令 8.9 LCM工作时序 8.10 8位数据传送的ATMEGAl6(L)驱动16×2点阵字符液晶模块的子函数 8.11 8位数据传送的16×2 LCM演示程序1 8.12 8位数据传送的16×2 LCM演示程序2 8.13 4位数据传送的ATMEGA16(L)驱动16×2点阵字符液晶模块的子函数 8.14 4位数据传送的16×2 LCM演示程序 第9章 ATMEGA16(L)的定时/计数器 9.1 预分频器和多路选择器 9.2 8位定时/计时器T/C0 9.3 8位定时/计数器0的寄存器 9.4 16位定时/计数器T/C1 9.5 16位定时/计数器1的寄存器 9.6 8位定时/计数器T/C2 9.7 8位T/C2的寄存器 9.8 ICC6.31A C语言编译器安装 9.9 定时/计数器1的计时实验 9.10 定时/计数器0的中断实验 9.11 4位显示秒表实验 9.12 比较匹配中断及定时溢出中断的测试实验 9.13 PWM测试实验 9.14 0～5 V数字电压调整器 9.15 定时器(计数器)0的计数实验 9.16 定时/计数器1的输入捕获实验 ......
上传时间： 2013-07-30
上传用户：yepeng139
目录 第1章 初识Protel 99SE 1．1 Protel 99SE的特点 1．2 Protel 99SE的安装 1．2．1 主程序的安装 1．2．2 补丁程序的安装 1．2．3 附加程序的安装 1．3 Protel 99SE的启动与工作界面 第2章 设计电路原理图 2．1 创建一个新的设计数据库 2．2 启动原理图编辑器 2．3 绘制原理图前的参数设置 2．3．1 工作窗口的打开／切换／关闭 2．3．2 工具栏的打开／关闭 2．3．3 绘图区域的放大／缩小 2．3．4 图纸参数设置 2．4 装入元件库 2．5 放置元器件 2．5．1 通过原理图浏览器放置元器件 2．5．2 通过菜单命令放置元器件 2．6 调整元器件位置 2．6．1 移动元器件 2．6．2 旋转元器件 2．6．3 复制元器件 2．6．4 删除元器件 2．7 编辑元器件属性 2．8 绘制电路原理图 2．8．1 普通导线连接 2．8．2 总线连接 2．8．3 输入／输出端口连接 2．9 Protel 99SE的文件管理 2．9．1 保存文件 2．9．2 更改文件名称 2．9．3 打开设计文件 2．9．4 关闭设计文件 2．9．5 删除设计文件 第3章 设计层次电路原理图 3．1 自顶向下设计层次原理图 3．1．1 建立层次原理图总图 3．1．2 建立层次原理图功能电路原理图 3．2 自底向上设计层次原理图 3．3 层次原理图总图／功能电路原理图之间的切换 第4章 电路原理图的后期处理 4．1 检查电路原理图 4．1．1 重新排列元器件序号 4．1．2 电气规则测试 4．2 电路原理图的修饰 4．2．1 在原理图浏览器中管理电路图 4．2．2 对齐排列元器件 4．2．3 对节点／导线进行整体修改 4．2．4 在电路原理图中添加文本框 4．3 放置印制电路板布线符号 第5章 制作／编辑电路原理图元器件库 5．1 创建一个新的设计数据库 5．2 启动元器件库编辑器 5．3 编辑元器件库的常用工具 5．3．1 绘图工具 5．3．2 IEEE符号工具 5．4 在元器件库中制作新元器件 5．4．1 制作新元器件前的设置 5．4．2 绘制新元器件 5．4．3 在同一数据库下创建一个新的元器件库 5．4．4 修改原有的元器件使其成为新元器件 5．4．5 从电路原理图中提取元器件库 第6章 生成各种原理图报表文件 6．1 生成网络表文件 6．1．1 网络表文件的结构 6．1．2 网络表文件的生成方法 6．2 生成元器件材料清单列表 6．3 生成层次原理图组织列表 6．4 生成层次原理图元器件参考列表 6．5 生成元器件引脚列表 第7章 设计印制电路板 7．1 肩动印制电路板编辑器 7．2 PCB的组成 7．3 PCB中的元器件 7．3．1 PCB中的元器件组成 7．3．2 PCB中的元器件封装 7．4 设置工作层面 7．5 设置PCB工作参数 7．5．1 设置布线参数 7．5．2 设置显示模式 7．5．3 设置几何图形显示／隐藏功能 7．6 对PCB进行布线 7．6．1 准备电路原理图并设置元器件属性 7．6．2 启动印制电路板编辑器 7．6．3 设定PCB的几何尺寸 7．6．4 加载元器件封装库 7．6．4 装入网络表 7．6．5 调整元器件布局 7．6．6 修改元器件标沣 7．6．7 自动布线参数设置 7．6．8 自动布线器参数设置 7．6．9 选择自动布线方式 7．6．10 手动布线 7．7 PCB布线后的手动调整 7．7．1 增加元器件封装 7．7．2 手动调整布线 7．7．3 手动调整布线宽度 7．7．4 补泪焊 7．7．5 在PcB上放置汉字 7．8 通过PCB编辑浏览器进行PCB的管理 7．8．1 设置网络颜色属性 7．8．2 快速查找焊盘 7．9 显示PCB的3D效果图 7．10 生成PCB钻孔文件报表 ......
上传时间： 2013-06-17
上传用户：wanqunsheng
一、应用可靠性概念 1、可靠性概念 2、固有可靠性与应用可靠性 3、易产生应用可靠性问题的器件 4、使用应力对可靠性的影响 二、电子元器件的选用 1、电子元器件的质量等级 2、电子元器件的选择要点 3、电子元器件的最大额定值 4、电子元器件的降额应用 三、电子元器件的可靠性应用 1、电子元器件的防浪涌应用 2、电子元器件的防静电应用 3、电子元器件的防干扰应用 4、CMOS群件的防闩锁应用 四、电子元器件的EMC应用 1、干扰来源及传播路径 2、接地与屏蔽 3、滤波 4、电缆及终端 5、差分 6、软件抗干扰 五、可靠性防护元件 1、TVS二极管 2、压敏电阻 3、PTC与NTC热敏电阻 4、专用防护元件 六、电子线路的可靠性设计 1、简化设计 2、容差与漂移设计 3、冗余设计 4、低功耗设计 5、潜在通路分析 6、电磁兼容设计 7、均衡设计 七、印制电路版的可靠性设计 1、PCB的布局设计 2、PCB的布线设计 3、PCB的热设计 4、PCB的装配 八、噪声测试作为应用可靠性保证手段 1、噪声与可靠性的关系 2、噪声用于寿命评估 3、噪声用于可靠性筛选 4、噪声用于应力损伤的早期预测
上传时间： 2013-07-28
上传用户：mh_zhaohy
一、应用可靠性概念 1、可靠性概念 2、固有可靠性与应用可靠性 3、易产生应用可靠性问题的器件 4、使用应力对可靠性的影响 二、电子元器件的选用 1、电子元器件的质量等级 2、电子元器件的选择要点 3、电子元器件的最大额定值 4、电子元器件的降额应用 三、电子元器件的可靠性应用 1、电子元器件的防浪涌应用 2、电子元器件的防静电应用 3、电子元器件的防干扰应用 4、CMOS群件的防闩锁应用 四、电子元器件的EMC应用 1、干扰来源及传播路径 2、接地与屏蔽 3、滤波 4、电缆及终端 5、差分 6、软件抗干扰 五、可靠性防护元件 1、TVS二极管 2、压敏电阻 3、PTC与NTC热敏电阻 4、专用防护元件 六、电子线路的可靠性设计 1、简化设计 2、容差与漂移设计 3、冗余设计 4、低功耗设计 5、潜在通路分析 6、电磁兼容设计 7、均衡设计 七、印制电路版的可靠性设计 1、PCB的布局设计 2、PCB的布线设计 3、PCB的热设计 4、PCB的装配 八、噪声测试作为应用可靠性保证手段 1、噪声与可靠性的关系 2、噪声用于寿命评估 3、噪声用于可靠性筛选 4、噪声用于应力损伤的早期预测
标签： 应用可靠性
上传时间： 2013-04-24
上传用户：刺猬大王子
