·ITU-T G.729的一个实现例子(包括附录b的vod检测等功能)-ITU-T g.729 example, include VOD detect of reference B, etc.文件列表(点击判断是否您需要的文件): g729b_v14 .........\acelp_co.c .........\basic_op.c .....
上传时间： 2013-05-20
上传用户：Garfield
2012TI杯陕西赛题H题,2012TI杯陕西赛题B题--频率补偿电路.
上传时间： 2013-10-07
上传用户：ysystc670
地弹的形成：芯片内部的地和芯片外的PCB地平面之间不可避免的会有一个小电感。这个小电感正是地弹产生的根源，同时，地弹又是与芯片的负载情况密切相关的。下面结合图介绍一下地弹现象的形成。 简单的构造如上图的一个小“场景”，芯片A为输出芯片，芯片B为接收芯片，输出端和输入端很近。输出芯片内部的CMOS等输入单元简单的等效为一个单刀双掷开关，RH和RL分别为高电平输出阻抗和低电平输出阻抗，均设为20欧。GNDA为芯片A内部的地。GNDPCB为芯片外PCB地平面。由于芯片内部的地要通过芯片内的引线和管脚才能接到GNDPCB，所以就会引入一个小电感LG，假设这个值为1nH。CR为接收端管脚电容，这个值取6pF。这个信号的频率取200MHz。虽然这个LG和CR都是很小的值，不过，通过后面的计算我们可以看到它们对信号的影响。先假设A芯片只有一个输出脚，现在Q输出高电平，接收端的CR上积累电荷。当Q输出变为低电平的时候。CR、RL、LG形成一个放电回路。自谐振周期约为490ps，频率为2GHz，Q值约为0.0065。使用EWB建一个仿真电路。（很老的一个软件，很多人已经不懈于使用了。不过我个人比较依赖它，关键是建模，模型参数建立正确的话仿真结果还是很可靠的，这个小软件帮我发现和解决过很多实际模拟电路中遇到的问题。这个软件比较小，有比较长的历史，也比较成熟，很容易上手。建议电子初入门的同学还是熟悉一下。）因为只关注下降沿，所以简单的构建下面一个电路。起初输出高电平，10纳秒后输出低电平。为方便起见，高电平输出设为3.3V，低电平是0V。（实际200M以上芯片IO电压会比较低，多采用1.5－2.5V。）
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上传时间： 2013-10-17
上传用户：zhishenglu
IBM硬盘Drive Fitness工具最新 3.20版
上传时间： 2013-11-20
上传用户：hahayou
用C++实现的B-Tree算法
上传时间： 2014-01-20
上传用户：jiahao131
在线医药销售管理系统(b/s)
上传时间： 2013-12-19
上传用户：moerwang
A Simple isochronous transfer. Reads 8051 ports A,B and C, and continuously sends a five byte packet over EP8IN:
标签： continuously isochronous and transfer
上传时间： 2015-02-01
上传用户：ywqaxiwang
键盘只有一个键 b ，开发板是自制的
标签： 键盘
上传时间： 2015-02-01
上传用户：xz85592677
一个B-树实现与编辑
上传时间： 2015-02-04
上传用户：thuyenvinh
图像检索的代码b
上传时间： 2015-02-04
上传用户：奇奇奔奔
