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在 2812 开发板上外扩了一片256K * 16位SRAM，其地址映射在ZONE6或ZONE7上，SRAM的测试过程主要是对外部SRAM的 0X100000---0X104000进行写操作，即向0X100000—0X104000中写入0—0X3FFF，然后读出到0X104000---0X107FF...
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利用Atmel闪存结构设计的优势，对AT29C040系列闪速存储器进行编程
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fm1808中文资料 描述 FM1808是用先进的铁电技术制造的 256K位的非易失性的记忆体 铁电随机 存储器 FRAM 是一种具有非易失 性 并且可以象RAM一样快速读写 但 它没有BBSRAM模组系统的设计复杂 性 缺点和相关的可靠性问题 数据在 掉电可以保存10年 高速写以及...
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