100mΩ+MOSFET
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透过MOSFET电压电流最佳化控制传导性及辐射性EMI
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我...
2014-09-08
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实用晶闸管电路大全(SCR,MOSFET,GTR,IGBT应用指南)481页-11.3M.pdf
专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G 实用晶闸管电路大全(SCR,MOSFET,GTR,IGBT应用指南)481页-11.3M.pdf
2013-07-25
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实用晶闸管电路大全(SCR,MOSFET,GTR,IGBT应用指南)481页 11.3M.pdf
实用电子技术专辑 385册 3.609G实用晶闸管电路大全(SCR,MOSFET,GTR,IGBT应用指南)481页 11.3M.pdf
2014-05-05
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实用晶闸管电路大全(SCR,MOSFET,GTR,IGBT应用指南)481页 11.3M.pdf
资料->【B】电子技术->【B2】电路设计->【0】电路集锦->实用晶闸管电路大全(SCR,MOSFET,GTR,IGBT应用指南)481页 11.3M.pdf
2023-04-17
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实用晶闸管电路大全(SCR,MOSFET,GTR,IGBT应用指南)481页-11.3M.pdf
专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G 实用晶闸管电路大全(SCR,MOSFET,GTR,IGBT应用指南)481页-11.3M.pdf
2023-08-22
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HIP2060双MOSFET的优点、使用中的典型问题及应用电路的介绍
The HIP2060 is a dual MOSFET array topology in a half-bridgeconfiguration which represents a new
2024-04-21
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由 MOSFET 和电源变压器构建的逆变器的工作原理和设计制造
基于MOSFET和变压器的逆变器,不错的资料摘 要 :文章介绍一种由 MOSFET 和电源变压器构建的逆变器的工作原理和设计制造。其输出功率由 MOSFET 和电源 变压器的功率决定,因其制作简单,也很适合业余电子技术爱好者制作与应用。&...
2022-09-12
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