一 实验目的: 1. 了解单片机的用途,增加感性认识,激发学习微机原理这门课的兴趣 2. 对单片机不同型号和种类有一定的了解，抓住内在规律学好微机原理这门课 二 实验内容: 1. 观看单片机控制演示实验 a) 单片机控制红绿灯 b) 单片机控制软驱步进电机 c) 单片机演奏音乐 d) 单片机调速步进马达 2. 通过CAI软件了解单片机不同型号和种类 三 实验报告： 1. 到图书馆或网站查找不同种类的单片机（至少写出与CAI课件不同的五种型 号） 2. 你认为单片机用途大吗？对该课程有兴趣吗？打算怎样学习这门课?
上传时间： 2014-12-27
上传用户：
关于PCB封装的资料收集整理. 大的来说,元件有插装和贴装.零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念.因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD 元件放上，即可焊接在电路板上了。晶体管是我们常用的的元件之一，在DEVICE。LIB库中，简简单单的只有NPN与PNP之分，但实际上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3，如果它是NPN的2N3054，则有可能是铁壳的TO-66或TO-5，而学用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，还有TO-5，TO-46，TO-52等等，千变万化。还有一个就是电阻，在DEVICE 库中，它也是简单地把它们称为RES1 和RES2，不管它是100Ω 还是470KΩ都一样，对电路板而言，它与欧姆数根本不相关，完全是按该电阻的功率数来决定的我们选用的1/4W 和甚至1/2W 的电阻，都可以用AXIAL0.3 元件封装，而功率数大一点的话，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下：电阻类及无极性双端元件：AXIAL0.3-AXIAL1.0无极性电容：RAD0.1-RAD0.4有极性电容：RB.2/.4-RB.5/1.0二极管：DIODE0.4及DIODE0.7石英晶体振荡器：XTAL1晶体管、FET、UJT：TO-xxx(TO-3,TO-5)可变电阻（POT1、POT2）：VR1-VR5这些常用的元件封装，大家最好能把它背下来，这些元件封装，大家可以把它拆分成两部分来记如电阻AXIAL0.3 可拆成AXIAL 和0.3，AXIAL 翻译成中文就是轴状的，0.3 则是该电阻在印刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil（因为在电机领域里，是以英制单位为主的。同样的，对于无极性的电容，RAD0.1-RAD0.4也是一样；对有极性的电容如电解电容，其封装为RB.2/.4，RB.3/.6 等，其中“.2”为焊盘间距，“.4”为电容圆筒的外径。对于晶体管，那就直接看它的外形及功率，大功率的晶体管，就用TO—3，中功率的晶体管，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金属壳的，就用TO-66，小功率的晶体管，就用TO-5，TO-46，TO-92A等都可以，反正它的管脚也长，弯一下也可以。对于常用的集成IC电路，有DIPxx，就是双列直插的元件封装，DIP8就是双排，每排有4个引脚，两排间距离是300mil,焊盘间的距离是100mil。SIPxx 就是单排的封装。等等。值得我们注意的是晶体管与可变电阻，它们的包装才是最令人头痛的，同样的包装，其管脚可不一定一样。例如，对于TO-92B之类的包装，通常是1 脚为E（发射极），而2 脚有可能是B 极（基极），也可能是C（集电极）；同样的，3脚有可能是C，也有可能是B，具体是那个，只有拿到了元件才能确定。因此，电路软件不敢硬性定义焊盘名称（管脚名称），同样的，场效应管，MOS 管也可以用跟晶体管一样的封装，它可以通用于三个引脚的元件。Q1-B，在PCB 里，加载这种网络表的时候，就会找不到节点（对不上）。在可变电阻
上传时间： 2013-11-03
上传用户：daguogai
arm指令集(1) ARM跳转指令可以从当前指令向前或向后的32MB地址空间跳转。这类跳转指令有以下4种。 （1）B 跳4专指令 B〔条件） （地址） B指令属于ARM指令集，是最简单的分支指令。一旦遇到一个B指令，ARM处理器将立即跳转到给定的地址，从那里继续执行。注意：存储在分支指令中的实际值是相对当前R15的值的一个偏移量，而不是一个绝对地址。它的值由汇编器来计算，是24位有符号数，左移两位后有符号扩展为32位，表示的有效偏移位为26位（＋／－ 32 MB）。 （2）BL 带返回的跳转指令 BI，〔条件） （地址） BL指令也属于ARM指令集，是另一个分支指令。就在分支之前，在寄存器R14中装载上R15的内容，因此可以重新装载R14到R15中来返回到这个分支之后的那个指令处执行，它是子例程的一个基本但强力的实现。 （3）BLX 带返回和状态切换的跳转指令 BLX ＜地址＞ BLX指令有两种格式，第1种格式的BLX指令记作BLX（1）。BLX（1）从ARM指令集跳转到指令中指定的目标地址，并将程序状态切换到Thumb状态，该指令同时将PC寄存器的内容复制到LR寄存器中。 BLX（1）指令属于无条件执行的指令。 第2种格式的BLX指令记作BLX（2）。BLX（2）指令从ARM指令集跳转到指令中指定的目标地址，目标地址的指令可以是ARM指令，也可以是Thumb指令。目标地址放在指令中的寄存器＜dest＞中，该地址的bit［0］值为0，目标地址处的指令类型由CPSR中的T位决定。该指令同时将PC寄存器的内容复制到LR寄存器中。 （4）BX 带状态切换的跳转指令 BX（条件） （dest） BX指令跳转到指令中指定的目标地址，目标地址处的指令可以是ARM指令，也可以是Thumb指令。目标地址值为指令的值和0xFl·FFFFFF做“与”操作的结果，目标地址处的指令类型由寄存器决定。
上传时间： 2014-12-27
上传用户：laomv123
linux 中断和设备驱动 本章介绍L i n u x内核是如何维护它支持的文件系统中的文件的，我们先介绍 V F S ( Vi r t u a lFile System，虚拟文件系统)，再解释一下L i n u x内核的真实文件系统是如何得到支持的。L i n u x的一个最重要特点就是它支持许多不同的文件系统。这使 L i n u x非常灵活，能够与许多其他的操作系统共存。在写这本书的时候， L i n u x共支持1 5种文件系统： e x t、 e x t 2、x i a、 m i n i x、 u m s d o s、 msdos 、v f a t、 p r o c、 s m b、 n c p、 i s o 9 6 6 0、 s y s v、 h p f s、 a ffs 和u f s。无疑随着时间的推移，L i n u x支持的文件系统数还会增加。
上传时间： 2013-11-13
上传用户：zxh122
pic单片机实用教程(提高篇)以介绍PIC16F87X型号单片机为主，并适当兼顾PIC全系列，共分9章，内容包括：存储器；I/O端口的复位功能；定时器/计数器TMR1；定时器TMR2；输入捕捉/输出比较/脉宽调制CCP；模/数转换器ADC；通用同步/异步收发器USART；主控同步串行端口MSSP：SPI模式和I2C模式。突出特点：通俗易懂、可读性强、系统全面、学练结合、学用并重、实例丰富、习题齐全。＜br＞本书作为Microchip公司大学计划选择用书，可广泛适用于初步具备电子技术基础和计算机知识基础的学生、教师、单片机爱好者、电子制作爱好者、电器维修人员、电子产品开发设计者、工程技术人员阅读。本教程全书共分2篇，即基础篇和提高篇，分2册出版，以适应不同课时和不同专业的需要，也为教师和读者增加了一种可选方案。 第1章 EEPROM数据存储器和FIASH程序存储器1.1 背景知识1.1.1 通用型半导体存储器的种类和特点1.1.2 PIC单片机内部的程序存储器1.1.3 PIC单片机内部的EEPROM数据存储器1.1.4 PIC16F87X内部EEPROM和FIASH操作方法1.2 与EEPROM相关的寄存器1.3 片内EEPROM数据存储器结构和操作原理1.3.1 从EEPROM中读取数据1.3.2 向EEPROM中烧写数据1.4 与FLASH相关的寄存器1.5 片内FLASH程序存储器结构和操作原理1.5.1 读取FLASH程序存储器1.5.2 烧写FLASH程序存储器1.6 写操作的安全保障措施1.6.1 写入校验方法1.6.2 预防意外写操作的保障措施1.7 EEPROM和FLASH应用举例1.7.1 EEPROM的应用1.7.2 FIASH的应用思考题与练习题第2章 输入/输出端口的复合功能2.1 RA端口2.1.1 与RA端口相关的寄存器2.1.2 电路结构和工作原理2.1.3 编程方法2.2 RB端口2.2.1 与RB端口相关的寄存器2.2.2 电路结构和工作原理2.2.3 编程方法2.3 RC端口2.3.1 与RC端口相关的寄存器2.3.2 电路结构和工作原理2.3.3 编程方法2.4 RD端口2.4.1 与RD端口相关的寄存器2.4.2 电路结构和工作原理2.4.3 编程方法2.5 RE端口2.5.1 与RE端口相关的寄存器2.5.2 电路结构和工作原理2.5.3 编程方法2.6 PSP并行从动端口2.6.1 与PSP端口相关的寄存器2.6.2 电路结构和工作原理2.7 应用举例思考题与练习题第3章 定时器/计数器TMR13.1 定时器/计数器TMR1模块的特性3.2 定时器/计数器TMR1模块相关的寄存器3.3 定时器/计数器TMR1模块的电路结构3.4 定时器/计数器TMR1模块的工作原理3.4.1 禁止TMR1工作3.4.2 定时器工作方式3.4.3 计数器工作方式3.4.4 TMR1寄存器的赋值与复位3.5 定时器/计数器TMR1模块的应用举例思考题与练习题第4章 定时器TMR24.1 定时器TMR2模块的特性4.2 定时器TMR2模块相关的寄存器4.3 定时器TMR2模块的电路结构4.4 定时器TMR2模块的工作原理4.4.1 禁止TMR2工作4.4.2 定时器工作方式4.4.3 寄存器TMR2和PR2以及分频器的复位4.4.4 TMR2模块的初始化编程4.5 定时器TMR2模块的应用举例思考题与练习题第5章 输入捕捉/输出比较/脉宽调制CCP5.1 输入捕捉工作模式5.1.1 输入捕捉摸式相关的寄存器5.1.2 输入捕捉模式的电路结构5.1.3 输入捕捉摸式的工作原理5.1.4 输入捕捉摸式的应用举例5.2 输出比较工作模式5.2.1 输出比较模式相关的寄存器5.2.2 输出比较模式的电路结构5.2.3 输出比较模式的工作原理5.2.4 输出比较模式的应用举例5.3 脉宽调制输出工作模式5.3.1 脉宽调制模式相关的寄存器5.3.2 脉宽调制模式的电路结构5.3.3 脉宽调制模式的工作原理5.3.4 脉定调制模式的应用举例5.4 两个CCP模块之间相互关系思考题与练习题第6章 模/数转换器ADC6.1 背景知识6.1.1 ADC种类与特点6.1.2 ADC器件的工作原理6.2 PIC16F87X片内ADC模块6.2.1 ADC模块相关的寄存器6.2.2 ADC模块结构和操作原理6.2.3 ADC模块操作时间要求6.2.4 特殊情况下的A/D转换6.2.5 ADC模块的转换精度和分辨率6.2.6 ADC模块的内部动作流程和传递函数6.2.7 ADC模块的操作编程6.3 PIC16F87X片内ADC模块的应用举例思考题与练习题第7章 通用同步/异步收发器USART7.1 串行通信的基本概念7.1.1 串行通信的两种基本方式7.1.2 串行通信中数据传送方向7.1.3 串行通信中的控制方式7.1.4 串行通信中的码型、编码方式和帧结构7.1.5 串行通信中的检错和纠错方式7.1.6 串行通信组网方式7.1.7 串行通信接口电路和参数7.1.8 串行通信的传输速率7.2 PIC16F87X片内通用同步/异步收发器USART模块7.2.1 与USART模块相关的寄存器7.2.2 USART波特率发生器BRG7.2.3 USART模块的异步工作方式7.2.4 USART模块的同步主控工作方式7.2.5 USART模块的同步从动工作方式7.3 通用同步/异步收发器USART的应用举例思考题与练习题第8章 主控同步串行端口MSSP——SPI模式8.1 SPI接口的背景知识8.1.1 SPI接口信号描述8.1.2 基于SPI的系统构成方式8.1.3 SPI接口工作原理8.1.4 兼容的MicroWire接口8.2 PIC16F87X的SPI接口8.2.1 SPI接口相关的寄存器8.2.2 SPI接口的结构和操作原理8.2.3 SPI接口的主控方式8.2.4 SPI接口的从动方式8.3 SPI接口的应用举例思考题与练习题第9章 主控同步串行端口MSSP——I（平方）C模式9.1 I（平方）C总线的背景知识9.1.1 名词术语9.1.2 I（平方）C总线的技术特点9.1.3 I（平方）C总线的基本工作原理9.1.4 I（平方）C总线信号时序分析9.1.5 信号传送格式9.1.6 寻址约定9.1.7 技术参数9.1.8 I（平方）C器件与I（平方）C总线的接线方式9.1.9 相兼容的SMBus总线9.2 与I（平方）C总线相关的寄存器9.3 典型信号时序的产生方法9.3.1 波特率发生器9.3.2 启动信号9.3.3 重启动信号9.3.4 应答信号9.3.5 停止信号9.4 被控器通信方式9.4.1 硬件结构9.4.2 被主控器寻址9.4.3 被控器接收——被控接收器9.4.4 被控器发送——被控发送器9.4.5 广播式寻址9.5 主控器通信方式9.5.1 硬件结构9.5.2 主控器发送——主控发送器9.5.3 主控器接收——主控接收器9.6 多主通信方式下的总线冲突和总线仲裁9.6.1 发送和应答过程中的总线冲突9.6.2 启动过程中的总线冲突9.6.3 重启动过程中的总线冲突9.6.4 停止过程中的总线冲突9.7 I（平方）C总线的应用举例思考题与练习题附录A 包含文件P16F877.INC附录B 新版宏汇编器MPASM伪指令总表参考文献
上传时间： 2013-12-14
上传用户：xiaoyuer
关于3g无线网优的：WCDMA无线基本原理 课程目标： 掌握3G移动通信的基本概念 掌握3G的标准化过程 掌握WCDMA的基本网络结构以及各网元功能 掌握无线通信原理 掌握WCDMA的关键技术 参考资料： 《3G概述与概况》 《中兴通讯WCDMA基本原理》 《ZXWR RNC（V3.0）技术手册》 《ZXWR NB09技术手册》 第1章 概述 1 1.1 移动通信的发展历程 1 1.1.1 移动通信系统的发展 1 1.1.2 移动通信用户及业务的发展 1 1.2 3G移动通信的概念 2 1.3 为什么要发展第三代移动通信 2 1.4 3G的标准化过程 3 1.4.1 标准组织 3 1.4.2 3G技术标准化 3 1.4.3 第三代的核心网络 4 1.4.4 IMT-2000的频谱分配 6 1.4.5 2G向3G移动通信系统演进 7 1.4.6 WCDMA核心网络结构的演进 11 第2章 WCDMA系统介绍 13 2.1 系统概述 13 2.2 R99网元和接口概述 14 2.2.1 移动交换中心MSC 16 2.2.2 拜访位置寄存器VLR 16 2.2.3 网关GMSC 16 2.2.4 GPRS业务支持节点SGSN 16 2.2.5 网关GPRS支持节点GGSN 17 2.2.6 归属位置寄存器与鉴权中心HLR/AuC 17 2.2.7 移动设备识别寄存器EIR 17 2.3 R4网络结构概述 17 2.3.1 媒体网关MGW 19 2.3.2 传输信令网关T-SGW、漫游信令网关R-SGW 20 2.4 R5网络结构概述 20 2.4.1 媒体网关控制器MGCF 22 2.4.2 呼叫控制网关CSCF 22 2.4.3 会议电话桥分MRF 22 2.4.4 归属用户服务器HSS 22 2.5 UTRAN的一般结构 22 2.5.1 RNC子系统 23 2.5.2 Node B子系统 25 第3章 扩频通信原理 27 3.1 扩频通信简介 27 3.1.1 扩频技术简介 27 3.1.2 扩频技术的现状 27 3.2 扩频通信原理 28 3.2.1 扩频通信的定义 29 3.2.2 扩频通信的理论基础 29 3.2.3 扩频与解扩频过程 30 3.2.4 扩频增益和抗干扰容限 31 3.2.5 扩频通信的主要特点 32 第4章 无线通信基础 35 4.1 移动无线信道的特点 35 4.1.1 概述 35 4.1.2 电磁传播的分析 37 4.2 编码与交织 38 4.2.1 信道编码 39 4.2.2 交织技术 42 4.3 扩频码与扰码 44 4.4 调制 47 第5章 WCDMA关键技术 49 5.1 WCDMA系统的技术特点 49 5.2 功率控制 51 5.2.1 开环功率控制 51 5.2.2 闭环功率控制 52 5.2.3 HSDPA相关的功率控制 55 5.3 RAKE接收 57 5.4 多用户检测 60 5.5 智能天线 62 5.6 分集技术 64 第6章 WCDMA无线资源管理 67 6.1 切换 67 6.1.1 切换概述 67 6.1.2 切换算法 73 6.1.3 基于负荷控制原因触发的切换 73 6.1.4 基于覆盖原因触发的切换 74 6.1.5 基于负荷均衡原因触发的切换 77 6.1.6 基于移动台移动速度的切换 79 6.2 码资源管理 80 6.2.1 上行扰码 80 6.2.2 上行信道化码 83 6.2.3 下行扰码 84 6.2.4 下行信道化码 85 6.3 接纳控制 89 6.4 负荷控制 95 第7章 信道 97 7.1 UTRAN的信道 97 7.1.1 逻辑信道 98 7.1.2 传输信道 99 7.1.3 物理信道 101 7.1.4 信道映射 110 7.2 初始接入过程 111 7.2.1 小区搜索过程 111 7.2.2 初始接入过程 112
上传时间： 2013-11-21
上传用户：tdyoung
TKS仿真器B系列快速入门
上传时间： 2013-10-31
上传用户：aix008
磁芯电感器的谐波失真分析 摘 要：简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB，从而降低总谐波失真THD的历史过程，分析了诸多因数对谐波测量的影响，提出了磁心性能的调控方向。 关键词：比损耗系数， 磁滞常数ηB ，直流偏置特性DC-Bias，总谐波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年来，变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家，在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上，进行了深入的探讨和广泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施，促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。 一、 历史回顾 总谐波失真（Total harmonic distortion） ，简称THD，并不是什么新的概念，早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17－78“载波用铁氧体罐形磁心”中，规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示，利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法，专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统，其非线性失真有很严格的要求。 图中 ZD —— QF867 型阻容式载频振荡器，输出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通滤波器，阻抗 150Ω，阻带衰耗大于61dB， Lg88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 选频电平表，输入高阻抗， L ——被测无心罐形磁心及线圈， C ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时，所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝， （线架为一格） ， 其空心电感值为 318μH（误差1％） 被测磁心配对安装好后，先调节振荡器频率为 36.6～40KHz， 使输出电平值为+17.4 dB， 即选频表在 22′端子测得的主波电平 （P2）为+17.4 dB，然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平（P3）， 则三次谐波衰耗值为：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 为放大器增益dB 从以往的资料引证， 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作，其中测量系统的高、低通滤波器，信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严，阻抗必须匹配，薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成，以保证本身的“洁净” ，不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求， 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初，1409 所和四机部、邮电部各厂，从工艺上改变了推板空气窑烧结，出窑后经真空罐冷却的落后方式，改用真空炉，并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料，在此基础上，还实现了高μ7000～10000材料的突破，从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM（频率划分调制）向PCM（脉冲编码调制） 转换时期， 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ，100KHz）的超优铁氧体材料<3>，其磁滞系数降为优铁
上传时间： 2013-12-15
上传用户：天空说我在
电子发烧友网：本资料是关于单片机及接口技术这门课程的期末考试试卷及答案的详解。 8.当需要从MCS-51单片机程序存储器取数据时，采用的指令为( )。 a)MOV A, @R1 b)MOVC A, @A + DPTR c)MOVX A, @ R0 d)MOVX A, @ DPTR 二、填空题(每空1分，共30分) 1.一个完整的微机系统由 和 两大部分组成。 2.8051 的引脚RST是____(IN脚还是OUT脚)，当其端出现____电平时,8051进入复位状态。8051一直维持这个值，直到RST脚收到____电平，8051才脱离复位状态，进入程序运行状态，从ROM H单元开始取指令并翻译和执行。 3.半导体存储器分成两大类 和 ，其中 具有易失性，常用于存储 。
上传时间： 2015-01-03
上传用户：wfl_yy
一个简单好用的B+树算法实现
上传时间： 2015-01-04
上传用户：缥缈
