1.7.1 图的邻接矩阵存储表示 311 范例1-102 图的邻接矩阵存储表示 ∷相关函数：CreateFAG函数 CreateDG函数 1.7.2 图的邻接表存储表示 324 范例1-103 图的邻接表存储表示 324 ∷相关函数：CreateFAG函数 1.7.3 有向图的十字链表存储表示 335 范例1-104 有向图的十字链表存储表示 335 ∷相关函数：CreateDG函数 1.7.4 无向图的邻接多重表存储表示 344 范例1-105 无向图的邻接多重表存储表示 344 ∷相关函数：CreateGraph函数 1.7.5 最小生成树 355 范例1-106 最小生成树 355 ∷相关函数：MiniSpanTree_PRIM函数 1.7.6 关节点和重连通分量 359 范例1-107 关节点和重连通分量 359 ∷相关函数：FindArticul函数 1.7.7 拓扑排序 366 范例1-108 拓扑排序 366 ∷相关函数：TopologicalSort函数 1.7.8 关键路径 374 范例1-109 关键路径 374 ∷相关函数：CriticalPath函数 1.7.9 最短路径 383 范例1-110 最短路径 383 ∷相关函数：ShortestPath_DIJ函数 1.7.10 每一对顶点之间的最短路径 387 范例1-111 每一对顶点之间的最短路径 387 ∷相关函数：ShortestPath_FLOYD函数
上传时间： 2017-04-16
上传用户：曹云鹏
本代码为编码开关代码，编码开关也就是数字音响中的 360度旋转的数字音量以及显示器上用的（单键飞梭开 关）等类似鼠标滚轮的手动计数输入设备。 我使用的编码开关为5个引脚的，其中2个引脚为按下 转轮开关（也就相当于鼠标中键）。另外3个引脚用来 检测旋转方向以及旋转步数的检测端。引脚分别为a,b,c b接地a，c分别接到P2.0和P2.1口并分别接两个10K上拉 电阻，并且a，c需要分别对地接一个104的电容，否则 因为编码开关的触点抖动会引起轻微误动作。本程序不 使用定时器，不占用中断，不使用延时代码，并对每个 细分步数进行判断，避免一切误动作，性能超级稳定。 我使用的编码器是APLS的EC11B可以参照附件的时序图 编码器控制流水灯最能说明问题，下面是以一段流水 灯来演示。
上传时间： 2017-07-03
上传用户：gaojiao1999
如题目：一下是第一章目录 第一章 硬件接口 1.1 3D应用程序与硬件的交互作用 1.1.1 在计算机屏幕上显示图像 1.1.2 事件反应 1.2 使用不同的体系结构 1.2.1 MS-DOS. 1.2.2 MS-Windows. 1.2.3 X11. 1.2.4 NeXTStep. 1.2.5 MacOS.
上传时间： 2013-12-03
上传用户：zhangliming420
DS18B20_two_thermo This program will NOT work on BASCOM earlier than 1.11.6.2, cause of the CRC-function and (maybe ?) its not possible to declare functions in earlier environment. But the 1w-functions work from 1.11.4 , I think
标签： two_thermo CRC-fun program earlier
上传时间： 2017-07-29
上传用户：wcl168881111111
实验源代码 //Warshall.cpp #include<stdio.h> void warshall(int k,int n) { int i , j, t; int temp[20][20]; for(int a=0;a<k;a++) { printf("请输入矩阵第%d 行元素:",a); for(int b=0;b<n;b++) { scanf ("%d",&temp[a][b]); } } for(i=0;i<k;i++){ for( j=0;j<k;j++){ if(temp[ j][i]==1) { for(t=0;t<n;t++) { temp[ j][t]=temp[i][t]||temp[ j][t]; } } } } printf("可传递闭包关系矩阵是:\n"); for(i=0;i<k;i++) { for( j=0;j<n;j++) { printf("%d", temp[i][ j]); } printf("\n"); } } void main() { printf("利用 Warshall 算法求二元关系的可传递闭包\n"); void warshall(int,int); int k , n; printf("请输入矩阵的行数 i: "); scanf("%d",&k); 四川大学实验报告 printf("请输入矩阵的列数 j: "); scanf("%d",&n); warshall(k,n); }
上传时间： 2016-06-27
上传用户：梁雪文以
无线充电Qi协议，版本：1.2.4，全册：part 1、2、3&4；全册齐全。
上传时间： 2022-04-01
上传用户：ttalli
1. 文档概述1.1. 文档目的本文档描述对SPI-4.2 协议的理解，从浅入深地详细讲解规范。1.2. SPI-4.2 简介SPI-4.2 协议的全称为System Packet Interface ，可译为“系统包接口” 。该协议由OIF（ Optical Internetwoking Forum ）创建，用于规定10Gbps 带宽应用下的物理层（ PHY）和链路层（ Link ）之间的接口标准。SPI-4.2 是一个支持多通道的包或信元传输的接口，主要应用于OC-192 ATM 或PoS 的带宽汇聚、及10G 以太网应用中。1.3. 参考资料1) SPI-4.2 协议的标准文档。2) 中兴公司对SPI-4.2 协议文档的翻译稿。2. SPI-4.2 协议2.1. SPI-4.2 系统参考模型图 1 SPI-4.2 系统参考模型图X:\ 学习笔记\SPI-4.2 协议详解.doc - 1 - 创建时间： 2011-5-27 21:53:00田园风光书屋NB0005 v1.1 SPI-4.2 协议详解SPI-4.2 是一种物理层和链路层之间的支持多通道的数据包传输协议，其系统参考模型如上图所示，从链路层至物理层的数据方向，称为“发送”方向，从物理层至链路层的数据方向，称为“接收”方向。在两个方向上，都存在着流控机制。值得注意的是， SPI-4.2 是一种支持多通道（ Port）的传输协议。一个通道，指接收或发送方向上，相互传输数据的一对关联的实体。有很多对关联的实体，即很多个通道，都在同时传输数据，它们可复用SPI 总线。最多可支持256 个通道。例如OC-192 的192 个STS-1 通道，快速以太网中的100 个通道等， 各个通道的数据都可以相互独立地复用在SPI总线上传输。
标签： SPI-4.2协议
上传时间： 2022-06-19
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本驱动为WK2124的linux驱动，支持linux3.1到4.4的内核。调试平台采用的rockchip的RK3288.
上传时间： 2022-07-20
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电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式（MM） 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器（消电器、电中和器或离子平衡器） 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度（ESDS）检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容（以MIL-STD-883E 方法3015.7为例） 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具－TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理
上传时间： 2013-07-13
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第一章 开关电源的基本工作原理 1-1．几种基本类型的开关电源 1-2．串联式开关电源 1-2-1．串联式开关电源的工作原理 1-2-2．串联式开关电源输出电压滤波电路 1-2-3．串联式开关电源储能滤波电感的计算 1-2-4．串联式开关电源储能滤波电容的计算 1-3．反转式串联开关电源 1-3-1．反转式串联开关电源的工作原理 1-3-2．反转式串联开关电源储能电感的计算 1-4-1．并联式开关电源的工作原理 1-4-2．并联式开关电源输出电压滤波电路 1-4-3．并联开关电源储能电感的计算 1-4-4．并联式开关电源储能滤波电容的计算 1-5．单激式变压器开关电源 1-5-1．单激式变压器开关电源的工作原理 1-6-1．正激式变压器开关电源工作原理 1-6．正激式变压器开关电源 1-6-2．正激式变压器开关电源的优缺点 1-6-3．正激式变压器开关电源电路参数的计算 1-7．反激式变压器开关电源 1-7-1．反激式变压器开关电源工作原理 1-7-2．开关电源电路的过渡过程 1-7-3．反激式变压器开关电源电路参数计算 1-7-4．反激式变压器开关电源的优缺点 1-8．双激式变压器开关电源 1-8-1．推挽式变压器开关电源的工作原理 1-8-2．半桥式变压器开关电源
上传时间： 2013-04-24
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