共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应，在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅偏置电路，且能应用于任意电流密度。根据饱和电压和共源共栅级电流密度的定义,本文提出器件宽长比与输出电压摆幅的关系,并设计一种高摆幅的共源共栅级偏置电路。
标签： CMOS 工艺 共源共栅 偏置电路
上传时间： 2013-10-08
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MOS关模型 Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输出，因此等效值由于Vds电压要比原来大很多，这个称为米勒效应。由于SPEC上面的值按照特定的条件下测试得到的，我们在实际应用的时候需要修改Cgd的值。
标签： MOS 驱动 功耗计算
上传时间： 2013-12-09
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熔断器在公共电网中的电缆保护（从变压器下端至终端用户上端）的历史和未来:配电网络的安全仅需考虑短路故障发生时的保护不需过多考虑过电流不需过多考虑过载不需远程控制不需经常操作不需专业人员进行操作不需手动调整概述：1866年当西门子发明第一台发电机时，德国建立了发电厂。（爱迪生在1879年发明了第一个灯泡，金米勒公司成立于1897年）电网：一百多年来德国的电网一直采用熔断器作为保护手段，并不断的发展和进步。六十年前整个欧洲制定了标准，都采用了同样的保护手段。
标签： 熔断器 保护 电网 电缆
上传时间： 2014-01-03
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初学密码内容，共享下实现的米勒素数测试代码，请多多指教
标签： 密码
上传时间： 2015-08-10
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VHDL源代码，使用VHDL语言编写，米勒型状态机
标签： VHDL 源代码
上传时间： 2013-12-18
上传用户：Ants
VHDL源代码程序，使用VHDL语言编写，米勒，莫尔型状态机
标签： VHDL 源代码 程序
上传时间： 2016-05-26
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这是讲解状态机的一个资料，里面讲解了摩尔和米勒状态机的设计实例，很详细且有实例。
标签： 状态
上传时间： 2014-01-05
上传用户：13160677563
介绍了构成IGBT驱动电路的基本要求，分析光耦驱动门极电路原理及理论计算，阐述了采用光耦驱动产生米勒效应的原理。最后，给出了消除米勒效应的方法以及通过实验验证了消除米勒效应的效果。
标签： 光耦驱动 igbt
上传时间： 2022-04-15
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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）绝缘栅双极型品体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流，广泛应用于风电、光伏、电动汽车、智能电网等行业中。在电动汽车行业中，电机控制器、辅助动力系统，电动空调中，IGBT有着广泛的使用，大功率IGB多应用于电机控制器中，由于电动汽车电机控制器工作环境干扰比较大，IGBT的门极分布电容及实际开关中存在的米勒效应等寄生参数的直接影响到驱动电路的可靠性1电机控制器在使用过程中，在过流、短路和过压的情况下要对1GBT实行比较完善的保护。过流会引起电机控制器的温度上升，可通过温度传感器来进行检测，并由相应的电路来实现保护；过压一般发生在IGBT关断时，较大的di/dt会在寄生电感上产生了较高的电压，可通过采用缓冲电路来钳制，或者适当降低开关速率。短路故障发生后瞬时就会产生极大的电流，很快就会损坏1GBT，主控制板的过流保护根本来不及，必须由硬件电路控制驱动电路瞬间加以保护。因此驱动器的设计过程中，保护功能设计得是否完善，对系统的安全运行尤其重要。
标签： 新能源汽车 电机控制器 igbt
上传时间： 2022-06-22
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勒让德-高斯求积法求磁感应强度
标签： 高斯 磁感应强度
上传时间： 2013-12-28
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