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高PSRR（电源抑制比）技术是现代电子设计中不可或缺的关键要素，尤其在对电源噪声敏感的应用场景如精密测量、音频处理及通信设备中发挥着重要作用。通过优化电路设计以实现更高的PSRR值，可以显著提升系统性能与稳定性。本页面汇集了12036份精选资源，涵盖理论研究、实践案例分析以及最新技术进展，旨在为工程师提供全面的学习资料和技术支持，助力您掌握这一核心技能，推动项目创新与发展。

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介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在...

📅 👤 thesk123
CMOS 高电源抑制 带隙基准 电压源

基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变...

📅 👤 88mao
CMOS 高电源抑制 工艺 基准电压源

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