一种高电源抑制比带隙基准电压源的设计
摘要:采用共源共栅运算放大器作为驱动,设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路,并在TSMC0.18Um CMOS工艺下,采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明:在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益,电源抑制比达到-100dB,电源电压在2.5耀4.5V...
摘要:采用共源共栅运算放大器作为驱动,设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路,并在TSMC0.18Um CMOS工艺下,采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明:在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益,电源抑制比达到-100dB,电源电压在2.5耀4.5V...
提出采用双级变换电路的方法,研制出一种新型的单相有源逆变蓄电池回馈放电装置,主要介绍了本放电装置中IGBT器件的驱动电路的设计,对从事电力电子技术特别是对从蓄电池放电技术研究的工程技术人员具有较高的参考价值。...
在大功率弧焊电源设计中,IGBT 已成为主流的可控功率开关器件。IGBT 驱动电路作为功率电路和控制电路之间的接口,应具备驱动延迟小、安全隔离、IGBT 过电流/过电压保护准确等功能。针对新型高压大功率IGBT 驱动模块2ED300C17-S 的过电流检测及保护功能进行了研究,提出了与过电流保护功能...
特长 3相无刷电机控制用预驱动IC。采用高耐压CMOS制程位置检出可与3个霍尔元件或霍尔IC连接120度通电驱动PWM控制方式(上侧驱动)功率限制回路内藏电流限制回路内藏升压动作时的初期充电控制可能。回转数为3脉冲/360度。...
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