功率MOSFET与高压集成电路
本内容提供了功率MOSFET与高压集成电路的知识概括。众所周知,由于采用了绝缘栅,功率MOSFET器件只需很小的驱动功率,且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。
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Just a few years ago an affordable 60 V, 10 mW powertransistor was a dream. After all, 10 mW is the
SD4840/4841/4842/4843/4844是用于开关电源的内置高压MOSFET电流模式PWM控制器系列产品。该电路待机功耗低,启动电流低。在待机模式下,电路进入打嗝模式,从而有效地降低电路的
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