关键字：12v开关电源+12V、0.5A单片开关稳压电源的电路如图所示。其输出功率为6w.当输入交流电压在 110~260V范围内变化时，电压调整率Svs 1%。当负载电流大幅度变化时，负载调整率Si=5%~7%。为简化电路，这里采用了基本反馈方式。接通电源后，220V交流电首先经过桥式整流和C1滤波，得到约+300V的直流高压，再通过高频变压器的初级线圈 N1，给WS157提供所需的工作电压。从次级线圈 N2上输出的脉宽调制功率信号，经 VD7，C4，L和C5进行高频整流滤波，获得 +12V，0.5A的稳压输出。反馈线圈 N3上的电压则通过 VD6，R2、C3整流滤波后，将控制电流加至控制端 C上。由VD5，R1，和C2构成的吸收回路，能有效抑制漏极上的反向峰值电压。该电路的稳压原理分析如下：当由于某种原因致使Uo4时，反馈线圈电压及控制端电流也随之降低，而芯片内部产生的误差电压 Urt时，PWM比较器输出的脉冲占空比 Dt，经过MOSFET和降压式输出电路使得 Uot，最终能维持输出电压不变。反之亦然。如图所示12v开关电源电路图
标签： 开关电源
上传时间： 2022-06-26
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基于TDS2285芯片的正弦波1200W逆变器开发指南以TDS2285芯片为核心，打造一款正弦波1200W逆变机器，使大家对TDS2285芯片有更深入的了解。我们知道在许多逆变的场合中，都是低压DC直流电源要变成高压AC电源，所以中间是需要升压才能完成这一变化，我们此次讨论的依然是采用高颖的方式来做逆变，采用高频的方式相对于工频方式来做有许多优点：高转换效率，极低的空载电流，重量轻，体积小等。也许有人会说工频的皮实，耐冲击，对于这一点我也非常认同，不过需要指出的是，高频的做的好，一点也不会输于工额的，这一点，已经通过我们公司的产品和TDS2285的出货情况得到了肯定，所以，以下就让大家看看TDS2285芯片在该系统中表现吧！DC-DC升压部分：此次设计是采用DC24V输入，为了要保证输出AC220，在此环节中，DC-DC升压部分至少需要将DC24V升压到220VAC*1.414-DC31 1v，这样在311V的基础上才能有稳定的AC220V出来，为了能达到这一目地，我们采用非常熟悉的推挽电路TOP来做该DC-DC变换，电路图如下：
上传时间： 2022-06-26
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本标准等同采用IEC61000-4-5；1995《电磁兼容第4部分：试验和测量技术第5分部分：浪涌（冲击）抗扰度试验》。本标准是《电磁兼容试验和测量技术》系列国家标准的之一，该系列标准包括以下标准：GB/T17626.1-1998电磁兼容试验和测量技术抗扰度试验总论GB/T17626.2-1998电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验GB/T17626.3-1998电磁兼容试验和测量技术射频电磁场辐射抗扰度试验GB/T17626.4-1998电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验GB/T 17626.5-1999电磁兼容试验和测量技术浪涌（冲击）抗扰度试验GB/T17626.6-1998电磁兼容试验和测量技术射频场感应的传导骚扰抗扰度GB/T17626.7-1998电磁兼容试验和测量技术供电系统及所连设备谐波、谐间波的测量和测量仪器导则GB/T17626.8-1998电磁兼容试验和测量技术工频磁场抗扰度试验GB/T17626.9-1998电磁兼容试验和测量技术脉冲磁场抗扰度试验GB/T17626.10-1998电磁兼容试验和测量技术阻尼振荡磁场抗扰度试验GB/T17626.11-1999电磁兼容试验和测量技术电压暂降、短时中断和电压渐变抗扰度试验GB/T17626.12-1998电磁兼容试验和测量技术振荡波抗扰度试验本标准的附录A是标准的附录。本标准的附录B是提示的附录。本标准由中华人民共和国电子工业部提出。本标准由全国电磁兼容标准化联合工作组归口。本标准起草单位：电子工业部标准化研究所、机械工业部广州电器科学研究所、电力工业部武汉高压研究所等。本标准主要起草人：陈世钢、王素英、姚带月、聂定珍、文芳。
标签： 电磁兼容
上传时间： 2022-06-29
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DC-DC电路设计输入最大可到55V用于48V-24V,48V-15V,48V-12V。 36V-24V,36V-15V,36V-12V。输出电流可达10A。
标签： DC-DC
上传时间： 2022-06-30
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是一款固定频率，电流模式升压变换器，高达1.2MHz的工作频率使得外围电感电容可以选择更小的规格。内置软启动功能减小了启动冲击电流。轻载时自动切换至PFM模式。LY1061包含了输入欠压锁定，电流限制以及过热保护功能。小尺寸的封装给PCB省下更多的空间。 ● 集成0.8欧姆的高压功率MOSFET● 内部4A的开关电流限制● 2V-24V的输入电压,VFB:0.6V● 1.2MHz 固定工作频率● 输出电流2A ● 内部补偿功能 ● 输出电压高达28V● 轻负载条件下，能进行自动脉冲调制。LY1061是一款固定频率，SOT23-6封装的电流模式升压变换器，高达1.2MHz的工作频率使得外围电感电容可以选择更小● 效率高达97% 应用： 电池供电设备/ 机顶盒/ LCD偏置电源/ 无线产品及DSL调制调解器/ PCI网卡或插槽供电 DC-DC / AC-DC 电压检测 降压 DC-DC 同步降压 ESD电压保护
标签： FTB628
上传时间： 2022-07-03
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概述TM1638是带键盘扫描接口的LED（发光二极管显示器）驱动控制专用电路，内部集成有MCU数字接口、数据锁存器、LED高压驱动、键盘扫描等电路。主要应用于冰箱、空调、家庭影院等产品的高段位显示屏驱动。特性说明>采用功率CMOS工艺>显示模式10段×8位键扫描（8×3bit）>辉度调节电路（占空比8级可调）串行接口（CLK，STB，DIO）振荡方式：RC振荡（450KHz+5%）内置上电复位电路>采用SOP28封装注意：DIO口输出数据时为N营开漏输出，在读键的时候需要外接1K-10K的上拉电阻。本公司推荐10K的上拉电阻。DIO在时钟的下降沿控制N管的动作，此时读数时不稳定，你可以参考图（6），在时钟的上升沿读数才时稳定。
标签： tm1638
上传时间： 2022-07-03
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LM5116 是一款用于由高压或宽范围变化输入电源供电的降压稳压器应用的同步降压控制器。 此控制方法基于采用 一个经仿真电流斜坡的电流模式控制。 电流模式控制可提供固有的线路前馈、逐周期电流限制和简化的环路补偿。 经仿真控制斜坡的使用减少了脉宽调制电路的噪声敏感度，从而实现高输入电压应用中所必需的对极小占空比的可 靠控制。 工作频率可在 50kHz 至 1MHz 之间进行编程。 LM5116 使用自适应死区时间控制来驱动外部高侧和低侧NMOS 功率开关。 一个用户可选二极管仿真模式可实现断续模式运行，以提高轻负载时的效率。 一个低静态电流 关断禁用控制器，并且消耗的总输入电流少于 10µA。 额外特性包括一个高压偏置稳压器、用于提高效率的自动切 换至外部偏压、热关断、频率同步、逐周期限流限制和可调线路欠压闭锁。
标签： 开关稳压电源
上传时间： 2022-07-03
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VK1629C 是带键盘扫描接口的 LED（发光二极管显示器）驱动控制专用电路，内部 集成有 MCU 数字接口、数据锁存器、LED 高压驱动、键盘扫描等电路。主要应用于冰 箱、空调、家庭影院等产品的高段位显示屏驱动。·采用功率 CMOS 工艺 ·显示模式 15 段×8 位 ·键扫描（8×1bit） ·辉度调节电路（占空比 8 级可调） ·串行接口（CLK，STB，DIO） ·振荡方式：RC 振荡 ·内置上电复位电路 ·采用 SOP32 封装
标签： LED驱动
上传时间： 2022-07-08
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FU6831 是一款集成 8051 内核和电机控制引擎(ME)的电机驱动专用芯片，8051 内核处理常规事务，ME 处理电机实时事务，双核协同工作实现各种高性能电机控制。其中 8051 内核大部分指令周期为 1T 或 2T，芯片内部集成有高速运算放大器、比较器、Pre-driver、高速 ADC、高速乘/除法器、CRC、SPI、I2C、UART、多种 TIMER、PWM 等功能，内置高压 LDO，适用于 BLDC/PMSM 电机的方波、SVPWM/SPWM、FOC 驱动控制。预驱动为 3P3N Predriver 输出。
标签： fu6831
上传时间： 2022-07-09
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FU6831/11 是一款集成 8051 内核和电机控制引擎(ME)的电机驱动专用芯片，8051 内核处理常规事务，ME 处理电机实时事务，双核协同工作实现各种高性能电机控制。其中 8051 内核大部分指令周期为 1T 或 2T，芯片内部集成有高速运算放大器、比较器、Pre-driver(FU6811 除外)、高速 ADC、高速乘/除法器、CRC、SPI、I2C、UART、多种 TIMER、PWM 等功能，内置高压 LDO，适用于BLDC/PMSM 电机的方波、SVPWM/SPWM、FOC 驱动控制。预驱动类型为：FU6811 为 Gate Driver 输出；FU6831 为 3P3N Predriver 输出。
标签： FU6831
上传时间： 2022-07-09
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