高功率因素
共 143 篇文章
高功率因素 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 143 篇文章，持续更新中。
高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流<BR>特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据<BR>功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实<BR>用可靠的驱动电路。此外，对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而<BR>引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。
CMOS和TTL电路探讨
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通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大，作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指
高集成四通道工业控制应用的电压输出DAC
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Digital-to-analog converters (DACs) are prevalent inindustrial control and automated test applications.General-purpose automated test equipment often requiresmany channels of pr
基于AD9959的高精度多通道雷达信号源设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">现代相控阵雷达为了保证空间功率合成精度需要高精度的雷达信号，设计实现了一种以AD9959为核心的高精度多通道雷达信号源。信号源利用多片AD9959产生3
10Gbits GPON系统的完整，紧凑型APD偏置解决方案
雪崩光電二極管 (APD) 接收器模塊在光纖通信繫統中被廣泛地使用。APD 模塊包含 APD 和一個信號調理放大器，但並不是完全獨立。它仍舊需要重要的支持電路，包括一個高電壓、低噪聲電源和一個用於指示信號強度的精準電流監視器<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-130522164034G1.jpg" style="width
自适应预失真前馈功率放大系统分析
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在本课题中，兼顾了效率及线性度，采用自适应预失真前馈复合线性化系统来改善高功率放大器的线性度。由于加入自适应控制模块，射频电路不受温度、时漂、输入功率等的影响，可始终处于较佳工作状态，这使得整个放大系统更为实用，也更具有拓展价值。</p>
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基于ADS高效率微波功率放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">基于ADS软件，选取合适的静态直流工作点，采用负载牵引法得到LDMOS晶体管BLF7G22L130的输出和输入阻抗特性，并通过设计和优化得到最佳的共轭匹
水声信号功率放大器的设计与实现
设计了水声信号发生系统中的功率放大电路，可将前级电路产生的方波信号转换为正弦信号，同时进行滤波、功率放大，使其满足换能器对输入信号的要求。该电路以单片机AT89C52，集成6阶巴特沃思低通滤波芯片MF6以及大功率运算放大器LM12为核心，通过标准RS232接口与PC进行通信，实现信号增益的程控调节，对干扰信号具有良好的抑制作用。经调试该电路工作稳定正常，输出波形无失真，在输出功率以及放大增益、波纹
25W立体声数字放大器-德州仪器
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TAS5727EVM 评估板用于演示和证明德州仪器TAS5727 器件的性能。TAS5727 将一个高性能的PWM处理器与一个D 类音频功率放大器整合在一起。该EVM 可以利用两个桥接负载(BTL) (2.0) 来配置。如需了解有关TAS5727EVM 器件的详细信息，请查阅（器件数据表SLOS637）。脉宽调制器(PWM)基于TI 的Equibit™技术。TAS5727
磁珠的原理及应用
<P><FONT face=宋体>由于电磁兼容的迫切要求，电磁干扰</FONT>(EMI)<FONT face=宋体>抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂，单单依靠理论知识是完全不够的，它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题，还要考虑接地、</FONT> <FONT face=宋体>电路与</FONT>PCB<FONT face=宋
低功耗高速跟随器的设计
提出了一种应用于CSTN-LCD系统中低功耗、高转换速率的跟随器的实现方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高压工艺SPICE模型的仿真结果表明，在典型的转角下，打开2个辅助模块时，静态功耗约为35 μA；关掉辅助模块时，主放大器的静态功耗为24 μA。有外接1 μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为10 μs；没有外接1μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为13μs。验证表明，该跟随器能
MILMEGA新款EMC测试放大器
2010年4月13日， 专业设计和制造固态高功率宽带放大器的MILMEGA公司于2010年亚太区电磁兼容(APEMC)国际学术大会及展览会期间宣布推出一款新的放大器产品。该款产品主要针对商用EMC测试IEC 61000-4-3 标准(覆盖频率范围为80 MHz～1 GHz)。MILMEGA的这一新产品将给EMC测试领域带来革命性的突破。
宽频带高功率射频脉冲功率放大器
利用MOS场效应管(MOSFET)，采取AB类推挽式功率放大方式，采用传输线变压器宽带匹配技术，设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块，其输出脉冲功率达1200W，工作频段0.6M~10MHz。调试及实用结果表明，该放大器工作稳定，性能可靠
工业监控和便携式仪器的6通道SAR型ADC
14 位 LTC®2351-14 是一款 1.5Msps、低功率 SAR 型 ADC，具有 6 個同時采樣差分輸入通道。它采用單 3V 工作電源，並具有 6 個獨立的采樣及保持放大器 (S/HA) 和一個 ADC。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-1305221JKV46.jpg" style="width: 4
基于AD603程控增益大功率宽带直流放大器的设计
基于AD603程控增益大功率宽带直流放大器
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
任意波发生器的研究与设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">在任意波形发生器设计中，DDS技术具有成本低、功耗小、分辨率高和切换时间快等优点，但波形形状任意可编辑性较差；软件无线电技术可产生任意复杂波形，但切换时
SIEMENS LOGO!在外翅片机中的应用
<P>项目简介</P>
<P>外翅片机用于将普通的光亮铜管加工成翅片状铜管,翅片管大都用于要求有高翅片系数的热交换设备中,使用翅片管与使用光管相比重量可减少1/3~1/2.</P>
一种带振幅调节的晶体振荡器
<span id="LbZY">设计了一种带振幅控制的晶体振荡器，用于32 768 Hz的实时时钟。振幅调节环采用源接地振荡器形式来得到高的频率稳定性和低的功耗。使用MOS管电阻有效的减小了版图面积。电路在0.35 μm、5 V CMOS工艺上实现，仿真和测试结果都能满足设计要求。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-
实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较<BR>深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算<BR>方法，并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究，所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的<BR>MoSFET驱动电路具有指导意义．