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骚扰抗扰度

  • 特点: 1. 双轴倾角传感器 2. 测量范围0.5g(±30 度)或者1g(±90 度) 3. 单极5V 供电

    特点: 1. 双轴倾角传感器 2. 测量范围0.5g(±30 度)或者1g(±90 度) 3. 单极5V 供电,比例电压输出 4. 高分辨率双轴倾角传感器 5. 数字SPI 或模拟输出 6. 内置温度传感器 7. 长期稳定性非常好 8.高分辨率,低噪声,工作温度范围宽 优势: 长期稳定性好,温度特性优良 抗冲击能力强 应用: 双轴平台调平 倾斜测量 垂直方向的各种角度的测量

    标签: 0.5 1g 双轴倾角传感器 单极

    上传时间: 2016-09-17

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  • 改善WEDM-HS 加工表面粗糙度值的工艺探讨

    改善WEDM-HS 加工表面粗糙度值的工艺探讨

    标签: WEDM 加工 表面粗糙度 工艺探讨

    上传时间: 2013-04-15

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  • GB-T4677.5-1984 印制板翘曲度测试方法

    GB-T4677.5-1984 印制板翘曲度测试方法

    标签: 4677.5 GB-T 1984 印制板

    上传时间: 2013-06-12

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  • GB 9254-2008 信息技术设备的无线电骚扰限值和测量方法

    GB 9254-2008 信息技术设备的无线电骚扰限值和测量方法

    标签: 9254 2008 GB 信息技术

    上传时间: 2013-06-17

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  • GB-T4677.4-1984 印制板抗剥强度测试方法

    GB-T4677.4-1984 印制板抗剥强度测试方法

    标签: 4677.4 GB-T 1984 印制板

    上传时间: 2013-04-15

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  • 电子元器件抗ESD技术讲义.rar

    电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式(MM) 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器(消电器、电中和器或离子平衡器) 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度(ESDS)检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容(以MIL-STD-883E 方法3015.7为例) 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I-V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具-TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理

    标签: ESD 电子元器件 讲义

    上传时间: 2013-07-13

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  • GB-9254-2008-信息技术设备的无线电骚扰限值和测量方法.pdf

    专辑类-国标类相关专辑-313册-701M GB-9254-2008-信息技术设备的无线电骚扰限值和测量方法.pdf

    标签: 9254 2008 GB

    上传时间: 2013-06-20

    上传用户:1136815862

  • GB-T4677.5-1984-印制板翘曲度测试方法.pdf

    专辑类-国标类相关专辑-313册-701M GB-T4677.5-1984-印制板翘曲度测试方法.pdf

    标签: 4677.5 GB-T 1984

    上传时间: 2013-04-24

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  • 无线通信中射频功率放大器预失真技术研究.rar

    正交频分复用(OFDM)技术由于具有频谱利用率高、抗多径能力强等突出优点,因此在高速无线通信领域得到了广泛的应用。但是,OFDM信号具有较高的峰平比(PAPR),受功率放大器(简称功放)非线性效应的影响,产生信号带内失真和带外频谱扩展,从而导致系统性能下降。因此,功放线性化技术,对于无线通信技术的发展具有重要的意义。其中,数字预失真技术以其准确性、复杂度、自适应性等方面良好的综合性能,已经成为最具发展潜力的功放线性化技术。本文深入研究了适用于无线通信OFDM系统的数字预失真技术,研究内容主要涉及:功率放大器预失真模型构造、预失真模型参数辨识、OFDM系统预失真方案设计等方面。 本文主要研究工作与创新点总结如下: 1.针对现有无记忆多项式预失真器在输出回退(OBO)减小时的性能受限问题,基于分段非线性补偿的思想,提出了一种动态系数多项式预失真方法。动态系数多项式具有多组系数,随着输入信号幅度的变化,多项式选取不同的系数组合,从而降低非线性补偿的误差;文中讨论了动态系数多项式模型的构造方法,并且给出了基于直接学习结构的简化递归系数估计算法。

    标签: 无线通信 射频功率放大器 技术研究

    上传时间: 2013-04-24

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  • 车用CAN总线抗电磁干扰能力研究.rar

    本文主要围绕车用CAN总线抗电磁干扰能力进行了研究。 首先,在在参考国内外相关研究资料的基础上,依据FORD公司的ES-XW7T-1A278-AC电磁兼容标准、IS07637-3对非电源线的瞬态传导抗干扰测试标准和IS011452-4大电流注入(BCI)电磁兼容性标准,利用瑞士EMTEST公司的UCS-200M、CSW500D等设备,搭建了3个用于测试CAN总线抗干扰能力的实验平台。 在所搭建的测试平台上,着重从CAN总线通讯介质选择和CAN节点抗干扰设计两个方面进行了理论分析和对比实验研究,得出了当采用屏蔽双绞线和非屏蔽双绞线作为总线通讯介质时,影响其抗干扰能力的因素;当CAN总线节点采用的不同的物理层参数时,如光耦、共模线圈、磁珠、滤波电容、分裂端接电阻、不同的总线发送电平、不同的CAN收发器等,对CAN总线抗干扰能力的影响,给出了一些增强CAN节点电路抗干扰能力的建议及一种推荐电路。 最后提出了一种新的提高CAN总线抗干扰能力的方法,即通过把CAN总线的CANH和CANL数据线分别通过一个电阻连接到总线收发器的地和电源端,使总线的差分电平整体下拉,从而降低总线收发器对某些干扰引起的电平波动所产生的误判断以达到增强抗电磁干扰的目的。并在基于FORD公司的ES-XW7T-1A278-AC电磁兼容标准所搭建的CAN总线测试平台上进行实验,验证了其有效性。

    标签: CAN 车用 总线

    上传时间: 2013-06-19

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