驱动函数
共 64 篇文章
驱动函数 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 64 篇文章，持续更新中。
ICL8038 单片函数发生器
ICL8038 单片函数发生器
信号分离电路(ppt)
<P>第四章 信号分离电路<BR> <BR>第四章 信号分离电路 第一节 滤波器的基本知识<BR>一、滤波器的功能和类型<BR>1、功能：滤波器是具有频率选择作用的电路或运算处理系统，具有滤除噪声和分离各种不同信号的功能。<BR>2、类型：<BR>按处理信号形式分：模拟滤波器和数字滤波器<BR>按功能分：低通、高通、带通、带阻<BR>按电路组成分：LC
基于MDK RTX 的COrtex-M3 多任务应用设计
基于MDK RTX 的COrtex—M3 多任务应用设计<br />
武汉理工大学 方安平 武永谊<br />
摘要：本文描述了如何在Cortex—M3 上使用MDK RL—RTX 的方法，并给出了一个简单的多任务应用设计。<br />
关键词：MDK RTX，Cortex，嵌入式，ARM， STM32F103VB<br />
1 MDK RL—RT
带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度，100 MS/s采样频率的高速流
DN494 - 驱动一个低噪声、低失真18位、1.6Msps ADC
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LTC®2379-18 是一款 18 位、1.6Msps SAR ADC，具有极高的 SNR (101dB) 和 THD (–120dB)。该器件还具有一种独特的数字增益压缩功能，因而免除了在 ADC驱动器电路中增设一个负电源的需要。<br />
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PCF8591的AD和DA程序
PCF8591AD和DA驱动程序
模拟示波器驱动
东震三号模拟示波器
MT-019 DAC接口基本原理
本教程概述与内置基准电压源、模拟输出、数字输入和时钟驱动器的DAC接口电路相关的 一些重要问题。由于ADC也需要基准电压源和时钟，因此本教程中与这些主题相关的大多 数概念同样适用于ADC。
傅里叶变换的复指数函数展开式
模拟数字信号
基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作
基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作
功率MOSFET驱动保护电路方案
分析了对功率MOSFET器件的设计要求；设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。<br />
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模电函数发生器课程设计报告
模电函数发生器课程设计报告,<br />
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现在我们通过对函数信号发生器的原理以及构成设计一个能变换出三角波、正弦波、方波的简易发生器。我们通过对电路的分析，参数的确定选择出一种最适合本课题的方案。在达到课题要求的前提下保证经济、方便、优化的设计策略。<br />
复合卡诺图在多输出组合逻辑电路设计中的应用
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为了使设计的多输出组合逻辑电路达到最简，运用复合卡诺图化简多输出函数，找出其各项的公共项，得到的表达式不一定是最简的，但是通过找公共项，使电路中尽量使用共用的逻辑门，从而减少电路整体的逻辑门，使电路简单。结果表明，利用复合卡诺图化简后设计出的电路更为简单。</p>
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AD8397轨到轨、高输出电流放大器
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AD8397内置两个电压反馈型运算放大器，能够以出色的线性度驱动高负载。共发射极、轨到轨输出级的输出电压能力优于典型射随输出级，驱动25 负载时摆幅可以达到任一供电轨的0.5 V范围以内。低失真、高输出电流和宽输出动态范围使AD8397特别适合要求高负载上大信号摆幅的应用。<br />
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运算放大器增益稳定性第2部分-DC增益误差分析
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在第 1 部分中，我们计算了频率域中非反相运算放大器结构的闭环传输函数。特别是，我们通过假设运算放大器具有一阶开环响应，推导出了传输函数。计算增益误差时，振幅响应很重要。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-130319152240J3.jpg" style="width: 441px; height: 27
mos管门级驱动电阻计算
mos管门级驱动电阻计算
MOS管驱动基础和时间功耗计算
MOS关模型
<P>Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输
High-Speed Digital System desi
前面讨论了很多内容，基本上涉及了有关PCB板的绝大部分相关的知识。第二章探讨了传输线的基本原理，第三章探讨了串扰，在第四章里我们阐述了许多在现代设计中必须关注的非理想互连的问题。对于信号从驱动端引脚到接收端引脚的电气路径的相关问题，我们已经做了一些探究，然而对于硅芯片，即处于封装内部的IC来说，其信号传输通常要通过过孔和连接器来进行，对这样的情况我们该如何处理？在本章中，我们将通过对封装、过孔和连
高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流<BR>特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据<BR>功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实<BR>用可靠的驱动电路。此外，对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而<BR>引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。
函数信号发生器
模拟电路的基础