面积优化

共 48 篇文章
面积优化 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 48 篇文章,持续更新中。

CoolMos的原理、结构及制造

对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。<br /> 但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区

一种带振幅调节的晶体振荡器

<span id="LbZY">设计了一种带振幅控制的晶体振荡器,用于32 768 Hz的实时时钟。振幅调节环采用源接地振荡器形式来得到高的频率稳定性和低的功耗。使用MOS管电阻有效的减小了版图面积。电路在0.35 &mu;m、5 V CMOS工艺上实现,仿真和测试结果都能满足设计要求。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-

一种基于gm_ID方法设计的可变增益放大器

<span id="LbZY">提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型,可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大,以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法,优化了任意工作范围内,基于gm /ID和VGS关系的晶体管设计,实

Construction Strategy of ESD P

Construction Strategy of ESD Protection Circuit<BR>Abstract: The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept<BR>ions of ESD protection design are presented.<BR>Key wo

非理想运放构建的低通滤波电路优化设计

<span id="LbZY">分析了基于理想运算放大器构建的滤波器性能以及参数选原则。针对理想运算放大器所构建的滤波器模型当运算放大器为非理想器件时所制造出的滤波器响应性能并不理想这一问题。研究了非理想运算放大器构建的滤波器器件参数对响应时间的影响,提出了一种选取其最优参数值以构建所需滤波器的方法,实验结果表明了该方法的有效性。<br /> <img alt="" src="http://dl.

ESD电热模拟分析

静电放电(ESD)是造成大多数电子元器件或电路系统破坏的主要因素。因此,电子产品中必须加上ESD保护,提供ESD电流泄放路径。电路模拟可应用于设计和优化新型ESD保护电路,使ESD保护器件的设计不再停留于旧的设计模式。文中讨论了器件由ESD引起的热效应的失效机理及研究热效应所使用的模型。介绍用于ESD模拟的软件,并对一些相关模拟结果进行了分析比较。<br /> <br />

5-12GHz新型复合管宽带功率放大器设计

<p> 采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果显示,在5~12 GHz频带内,复合晶体管结构的输出阻抗值更稳定,带宽得到有效扩展,最高增益达到11 dB,带内波动&lt;0.5 dB,在9 GHz工作频率时,其1 dB压缩点处的输出功率为26 dBm。</p> <p> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12

MEMS传感器的静止带宽测试

<div> 对于采用MEMS加速度计和陀螺仪的工业系统而言,优化带宽可能是关键考虑因素。这代表着精度(噪声)与响应时间之间的一种经典权衡。虽然多数MEMS传感器制造商都会给出典型带宽指标,往往还需要验证传感器或整个系统的实际带宽。在确定加速度计和陀螺仪的带宽特性时,一般需要使用振动台或其他机械激励源。要精确确定特性,需要全面了解应用于受测器件(DUT)的运动。在此过程中需要管理多种潜在误差源。在

小面积和大面积光电二极管的低噪声放大器

<p> &nbsp;</p> <div> Photodiodes can be broken into two categories: largearea photodiodes with their attendant high capacitance(30pF to 3000pF) and smaller area photodiodes withrelatively low capaci

MT-013 评估高速DAC性能

ADC需要FFT处理器来评估频谱纯度,DAC则不同,利用传统的模拟频谱分析仪就能直接 研究它所产生的模拟输出。DAC评估的挑战在于要产生从单音正弦波到复杂宽带CDMA信 号的各种数字输入。数字正弦波可以利用直接数字频率合成技术来产生,但更复杂的数字 信号则需要利用更精密、更昂贵的字发生器来产生。 评估高速DAC时,最重要的交流性能指标包括:建立时间、毛刺脉冲面积、失真、无杂散 动态范围(SFDR)

600V_CoolMOS优化设计

<div> CoolMOS具有优越的直流特性。为了设计出一个600V CoolMOS结构,首先CoolMOS的结构人手,结合电荷平衡

基于粒子群模糊C均值聚类的快速图像分割

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">模糊C-均值聚类算法是一种无监督图像分割技术,但存在着初始隶属度矩阵随机选取的影响,可能收敛到局部最优解的缺点。提出了一种粒子群优化与模糊C-均值聚类相

声卡虚拟示波器

功能简介 虚仪声卡万用仪是一个功能强大的基于个人电脑的虚拟仪器。它由声卡实时双踪示波器、声卡实时双踪频谱分析仪和声卡双踪信号发生器组成,这三种仪器可同时使用。本仪器内含一个独特设计的专门适用于声卡信号采集的算法,它能连续监视输入信号,只有当输入信号满足触发条件时,才采集一幀数据,即先触发后采集,因而不会错过任何触发事件。这与同类仪器中常用的先采集一长段数据,然后再在其中寻找触发点的方式,即先采集后

多头动臂式贴片机贴装时间分阶段启发式优化算法

摘要:贴片机贴装时间是影响表面组装生产线效率的重要因素,文中提出了一种改进式分阶段启发式算法解决具有分飞行换嘴结构的多贴装头动臂式贴片机贴装时间优化问题;首先,根据飞行换嘴的特点,提出了适用于飞行换嘴的喂料器组分配方案;其次,依据这一分配结果,通过改进式启发式算法实现了喂料器组在喂料器机构上的分配;最后,结合近邻搜索法解决了元器件的贴装顺序优化问题;仿真结果证明,文中采用的改进分阶段启发式算法比传

一种弱耦合非对称渐变线定向耦合器的快速设计

<span id="LbZY">给出了一种快速设计任意弱耦合非对称渐变线定向耦合器的方法,以线性渐变为基础,通过仿真优化获取最优渐变,摆脱了传统方法中的复杂运算。为改善定向耦合器在频率高端的定向性,在结构上引入了锯齿加载。设计了一个带宽为0.5GHz到20GHz,耦合度为-25dB的定向耦合器,利用三维电磁仿真软件HFSS进行了结果验证。</span><br /> <br /> <br />

基于小信号S参数的功率放大器设计

首先把功率管的小信号<em>S</em>参数制成S2P文件,然后将其导入ADS软件中,在ADS中搭建功率管的输入输出端口匹配电路,按照最大增益目标对整个电路进行优化,最后完成电路的设计。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120213153I0440.jpg" />

扇形微带短截线型滤波器的设计_魏新泉

<div> 采用扇形微带短截线作为滤波器的基本单元,设计出具有宽频特性的滤波器,在微波平面电路的设计中有着良好的应用前景。通过设计扇形微带短截线单元的物理尺寸,能够实现特定频段的高选择性滤波器。用ADS 和HFSS 对这种新型滤波器与传统直形滤波器进行了特性对比,在特性方面,新型滤波器比传统滤波器具有更陡峭的过渡带和更宽的频带等优点;在结构方面,新型滤波器电路相对传统滤波器可以减少基板面积。

改进的基于模型匹配的快速目标识别

<span id="LbZY">文中建立不同类型目标的模型匹配数据库;采用最小周长多边形构造目标主体轮廓的近似多边形,以简化目标主体轮廓减少算法处理的数据量;提取具有仿射不变性的多边形顶点个数、最长线段两侧顶点个数、同底三角形面积比向量特征不变量对待识别目标进行描述,应用3个特征量在模型匹配数据库中逐一进行分层遍历搜索匹配。实验表明,基于模型匹配的目标识别算法能够快速的识别目标,提高了目标识别的实

了解ADF7021的AFC环路并为实现最小前同步码长度而进行优化

<div> 无线电通信网络中的远程收发器使用自己的独立时钟源。因此,这些收发器容易产生频率误差。当发射机启动通信链路时,关联的接收机需要在数据包的前同步码阶段校正这些误差,以确保正确的解调<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-130R21619121G.jpg" />

一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/