非易失SRAM

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　　为了保证在高温条件下，正确使用高频硅PNP晶体管3CG120，文中对3CG120在不同温度段的失效机理进行了研究。通过对硅PNP型晶体管3CG120进行170~340 ℃温度范围内序进应力加速寿命试验，发现在170~240 ℃，240~...

2013-10-15 146 非易失SRAM

功率合成器是大功率固态高功放的重要组成器件。应用散射参数原理对功率合成器的合成效率进行了研究，对一路或者几路功率合成器输入失效时的合成效率进行了分析，并在某型大功率固态高功放功率合成器中进行了验证。

2013-10-08 194 非易失SRAM

在本课题中，兼顾了效率及线性度，采用自适应预失真前馈复合线性化系统来改善高功率放大器的线性度。由于加入自适应控制模块，射频电路不受温度、时漂、输入功率等的影响，可始终处于较佳工作状态，这使得整个放大系统更为实用，也更具有拓展价值。

2013-11-21 23 非易失SRAM