· 摘要： MATLAB是一种建立在向量、数组、矩阵基础上,面向科学和工程计算的高级语言,为科学研究和工程计算提供了一个方便有效的工具.该文简要介绍了B样条和B样条小波的构成,并利用MATLAB语言编写了绘制任意阶B样条和B样条小波图形的程序.
上传时间： 2013-04-24
上传用户：sqq
苏泊尔C21S02-B电磁炉电路图,红线标注，重点模块说明！
上传时间： 2013-06-22
上传用户：huangzr5
制作基于PIC Mcu 的ADS-B接收机的全套资料，包括SCH、PCB、源码和PC端软件。
上传时间： 2013-04-24
上传用户：cx111111
2012TI杯陕西赛题H题,2012TI杯陕西赛题B题--频率补偿电路.
上传时间： 2013-10-07
上传用户：ysystc670
isoad系列产品实现传感器和主机之间的信号安全隔离和高精度数字采集与传输，广泛应用于rs-232/485总线工业自动化控制系统，4-20ma / 0-10v信号测量、监视和控制，小信号的测量以及工业现场信号隔离及长线传输等远程监控场合。通过软件的配置，可接入多种传感器类型，包括电流输出型、电压输出型、以及热电偶等等。 产品内部包括电源隔离，信号隔离、线性化，a/d转换和rs-485串行通信等模块。每个串口最多可接256只iso ad系列模块，通讯方式采用ascii 码字符通讯协议或modbus rtu通讯协议，其指令集兼容于adam模块，波特率可由用户设置，能与其他厂家的控制模块挂在同一rs-485总线上，便于主机编程。 isoad系列产品是基于单片机的智能监测和控制系统，所有用户设定的校准值，地址，波特率，数据格式，校验和状态等配置信息都储存在非易失性存储器eeprom里。 isoad系列产品按工业标准设计、制造，信号输入 / 输出之间隔离，可承受3000vdc隔离电压，抗干扰能力强，可靠性高。工作温度范围- 45℃～+80℃。
上传时间： 2013-11-23
上传用户：comer1123
为简化总线式RS485隔离器的设计，提出基于脉冲变压器的总线式RS485隔离器的技术方案。该方案具有简单实用、无需电源、无需考虑数据流向、在有限范围内波特率自适应、底层用户群体易于理解和掌控等特点。给出了基本实验电路和脉冲变压器的主要设计依据。基于脉冲变压器的总线式RS485隔离器，尤其适合工业环境下半双工的A、B两线制RS485通信网的升级改造，其基本思想也适用于全双工的W、X、Y、Z四线制RS485/RS422通信网。
上传时间： 2013-10-07
上传用户：lizx30340
电子、电气产品的设计，必须保证在一定的电磁环境中能正常工作，既满足标准规定的抗干扰极限值要求，在受到一定的电磁干扰时，无性能降级或故障；又要满足标准规定的电磁辐射极限值的要求，对电磁环境不构成污染。所以，产品设计之初，就要从分析产品预期的电磁环境、干扰源、耦合途径和敏感部件入手，采用相应的技术措施，抑制干扰源、切断或削弱耦合途径，增强敏感部件的抗干扰能力等。文中详细介绍了一款485通讯隔离产品从辐射超标到顺利通过FCC CLASS B认证，在原理设计、PCB制板等多方面所做的各项改进措施。文中所提到的方法及规则，对产品EMC设计具有很大的参考及指导意义。
上传时间： 2013-10-24
上传用户：sz_hjbf
非隔离或隔离式电源驱别
上传时间： 2013-10-27
上传用户：dudu1210004
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
隔离型RS-485收发器ADM2483,ADM2484E,ADM2587E内部电路应用原理及应用
上传时间： 2014-11-13
上传用户：bvdragon
