霍尔效应
霍尔效应是电磁效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔（E.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机制时发现的。[1]当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个电势差也被称为霍...
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单层膜的巨磁阻抗（GMI）效应
巨磁阻抗软磁薄膜因为在制备上与集成电路工艺具有兼容性而在传感器等工程领域具有广阔的应用前景。综述了单层膜的研究现状，着重讨论了横向各向异性、驱动电流和外加磁场方向对巨磁阻抗效应的影响，并且从理论上讨论
2024-03-23
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氟离子敏场效应管的研制
阐述了一种氟离子敏场效应晶体管(FISFET) 型传感器的结构和工作原理。它是在pH2ISFET传感器的基础上用PVC 方法把离子敏场效应晶体管和氟化物敏感膜相结合,制成氟离子敏场效应晶体管。该传感器
2024-05-12
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