📚 霍尔传感器技术资料

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霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。

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基于 ＭＬＸ９０３９３芯片设计了一种新型的空间角位移传感器，详细阐述了该传感器的工作原理、设计方法和数学模型。该传感器基于霍尔效应可以测量空间 Ｘ、Ｙ 和 Ｚ三个方向的磁场分量，通过数学建模将这三个值转化成空间角位移分量α和β，从而确定一个物体在空间中的角位移。本实验基于一个空间角位移平台和 ＳＴＭ...

📅 👤 1208020161
mlx90393 霍尔效应 位移传感器

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霍尔电子元件的结构及其应用电路图-6页-0.6M.pdf
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277 CS 霍尔开关电路

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