📚 霍尔效应技术资料

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霍尔效应是电磁效应的一种,这一现象是美国物理学家霍尔(E.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机制时发现的。[1]当电流垂直于外磁场通过半导体时,载流子发生偏转,垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场,从而在半导体的两端产生电势差,这一现象就是霍尔效应,这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应使用左手定则判断。

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基于 MLX90393芯片设计了一种新型的空间角位移传感器,详细阐述了该传感器的工作原理、设计方法和数学模型。该传感器基于霍尔效应可以测量空间 X、Y 和 Z三个方向的磁场分量,通过数学建模将这三个值转化成空间角位移分量α和β,从而确定一个物体在空间中的角位移。本实验基于一个空间角位移平台和 STM...

📅 👤 1208020161

DH249一款基于混合信号的全极性霍尔效应传感器。平均功耗45uA,它采用先进的斩波稳定技术,提供精确、稳定的磁性开关点。它由反向电压保护器、电压调整器,霍尔电压发生器、信号放大器,史密特触发器和集电及开路的输出级组成。它是一种双磁极工作的磁敏电路,适合于矩形或者柱形磁体下工作。工作温度范围可以在:...

📅 👤 旭521

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