MOSFET的驱动保护电路的设计
功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用;但它承受短时过载的能力较弱,使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求;计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOSFET的匹配;设计了基于IR2130驱动模块的MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,...
功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用;但它承受短时过载的能力较弱,使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求;计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOSFET的匹配;设计了基于IR2130驱动模块的MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,...
提出一种新型的综合性馈电保护装置,重点讨论该系统的工作原理、硬件结构、软件流程以及抗干扰技术,测试结果和使用情况表明,系统保护装置既保证了准确的动作电阻值和选择性。又提高了馈电系统的可靠性、稳定性且满足了实际应用。 ...
Moai锂电保护IC资料...
IC 特色 : ˙ 半谐振模式之 ZVS零电压切换 , 能有效降低切换损失 , 提高效率 , 并具展频功能 , 改善EMI . ˙ 轻 / 重载的 Duty Factor 皆在 CCM 与 DCM 边缘 , 是最能发挥次级 "同步整流" 效率的一种工作模式 . ˙ 空载时进入 Cyc...
差动保护整定范例一: 三圈变压器参数如下表: 变压器容量Se 31500KVA 变压器接线方式 Yn,y,d11 变压器变比Ue 110kV/35kV/10kV 110kV侧TA变比nTA 300/5 35KV侧TA变比nTA 1000/5 10KV侧TA变比n...