高压变频器前侧逆变晶闸管自供电驱动系统研究与设计.rar
随着电力电子技术的发展，高压换流设备在工业应用中日益广泛。其核心元件晶闸管（SCR）的电压与电流越来越高（已达到10KV/10KA以上），应用场合要求也越来越高。在国际上，晶闸管的光控技术发展日益成熟。根据对国内晶闸管技术发展前景和需求的展望，本文采用自供电驱动技术与光控技术相结合，研发光控自供电晶...
雪崩击穿技术资料
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雪崩击穿是半导体器件中一种重要的物理现象，当反向电压达到一定值时，少数载流子在强电场作用下加速并碰撞产生大量电子-空穴对，导致电流急剧增加。该技术广泛应用于高压整流器、稳压管及保护电路设计中。深入理解雪崩击穿机制对于提升电力电子设备性能至关重要。本页面汇集了44个精选资源，涵盖理论分析与实际应用案例，助力工程师掌握这一关键技术，优化产品设计。
🔥 雪崩击穿热门资料
查看全部44个资源 »开关电源的安全及EMC设计
开关电源的安全及EMC设计 基于EMC 的ESD 防护设计静电问题是一直困扰电子产品的问题，静电放电导致 ... 经验 认为，每千伏的静电电压击穿距离在1mm 左右，因此PCB 器件，走线...
10Gbits GPON系统的完整，紧凑型APD偏置解决方案
雪崩光電二極管 (APD) 接收器模塊在光纖通信繫統中被廣泛地使用。APD 模塊包含 APD 和一個信號調理放大器，但並不是完全獨立。它仍舊需要重要的支持電路，包括一個高電壓、低噪聲電源和一個用於指示信號強度的精準電流監視器 ...
CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起...
BUCK变换中的尖峰问题
BucK变换器在开关转换瞬间．由于线路上存在感抗，会在主功率管和二极管上产生电压尖峰，使之承受较大的电压应力和电流冲击，从而导致器件热损坏及电击穿 因此，为避免此现象，有必要对电压尖峰的原因进行分析研究，找出有效的解决办法。...
💻 雪崩击穿源代码
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