雪崩击穿

雪崩击穿是半导体器件中一种重要的物理现象,当反向电压达到一定值时,少数载流子在强电场作用下加速并碰撞产生大量电子-空穴对,导致电流急剧增加。该技术广泛应用于高压整流器、稳压管及保护电路设计中。深入理解雪崩击穿机制对于提升电力电子设备性能至关重要。本页面汇集了44个精选资源,涵盖理论分析与实际应用案例...

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在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用...

2013-10-31 191 雪崩击穿

MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。

2022-12-24 3 雪崩击穿

研制了采用AT89C51单片机的绝缘油击穿电压测试仪,提高了仪器的自动化程度和测试数据的准确性,介绍了仪器的硬件组成和软件设计,说明了系统的工作过程,分析了测量误差和减小误差的措施.

2024-10-21 7 雪崩击穿