集成电路验证
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功率MOSFET与高压集成电路
本内容提供了功率MOSFET与高压集成电路的知识概括。众所周知,由于采用了绝缘栅,功率MOSFET器件只需很小的驱动功率,且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(o...
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集成电路电磁骚扰测试方法
集成电路电磁骚扰测试方法:摘要:本文分析了高频数字集成电路产生电磁发射的原因及其电磁发射的测量原理,简要说明了集成电路电磁骚扰的几种测试方法及其理论依据,介绍了法拉第笼法与磁场探头法的...
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双极型集成电路的ESD保护
静电放电(ESD)会对集成电路(IC)造成破坏性的能量冲击,良好的IC设计能够在IC装配到应用电路的过程中保护IC免遭ESD冲击的破坏。安装后,IC还必须能够承受ESD穿过静电防护电路进入最终电路的冲...